像素結構、陣列基板和顯示裝置制造方法及圖紙

一種像素結構、陣列基板和顯示裝置，該像素結構包括：信號線；公共電極線，其與所述信號線的延伸方向相同；晶體管，其包括半導體層，所述半導體層包括源極區和漏極區；第一存儲電極，其與所述公共電極線絕緣、與所述半導體層的漏極區連接；第二存儲電極，其與所述公共電極線連接且與所述第一存儲電極絕緣。在該像素結構中，所述第一存儲電極和所述第二存儲電極都包括設置于所述信號線和所述公共電極線之間且彼此交疊的部分，以形成第一存儲電容。本發明專利技術實施例可以提高像素結構的存儲電容。

Pixel structure, array substrate and display device

A pixel structure, array substrate and display device, the pixel structure includes a signal line; a common electrode line, the extension and the signal line in the same direction; the transistor includes a semiconductor layer, a semiconductor layer including a source region and a drain region; a first storage electrode, the insulation, and the common electrode in line with the semiconductor layer of the drain region is connected; second storage electrode with the common electrode line connected and insulated from the first storage electrode. In the pixel structure, the first memory electrode and the second storage electrode both comprise portions arranged between the signal line and the common electrode line and overlap each other to form a first storage capacitor. The embodiment of the invention can improve the memory capacity of the pixel structure.

【技術實現步驟摘要】
像素結構、陣列基板和顯示裝置
本專利技術實施例涉及一種像素結構、陣列基板和顯示裝置。
技術介紹
液晶顯示器是一種通過電場改變液晶分子的排列狀態來調制背光的透過情況以實現顯示的顯示器件。目前，用戶對液晶顯示器的性能要求越來越高，例如不斷追求更高的分辨率、亮度和對比度，更大的屏幕尺寸，更快的響應速度等性能。
技術實現思路
本專利技術實施例提供一種像素結構、陣列基板和顯示裝置，本專利技術實施例可以提高像素結構的存儲電容。本專利技術的至少一個實施例提供一種像素結構，其包括：信號線；公共電極線，其與所述信號線的延伸方向相同；晶體管，其包括半導體層，所述半導體層包括源極區和漏極區；第一存儲電極，其與所述公共電極線絕緣、與所述半導體層的漏極區連接；以及第二存儲電極，其與所述公共電極線連接且與所述第一存儲電極絕緣。在該像素結構中，所述第一存儲電極和所述第二存儲電極都包括設置于所述信號線和所述公共電極線之間且彼此交疊的部分，以形成第一存儲電容。例如，所述第一存儲電極還與所述公共電極線交疊，以形成第二存儲電容。例如，所述第一存儲電極與所述半導體層同層設置。例如，所述第二存儲電極與所述公共電極線同層設置。例如，所述的像素結構還包括第三存儲電極，所述第三存儲電極與所述第一存儲電極連接且與所述第二存儲電極絕緣，并且所述第三存儲電極與所述第二存儲電極彼此交疊以形成第三存儲電容。例如，所述第三存儲電極通過過孔與所述第一存儲電極連接，所述過孔位于所述公共電極線與所述信號線之間。例如，所述的像素結構還包括像素電極，所述第三存儲電極設置于所述像素電極與所述第一存儲電極之間，并且所述第三存儲電極與所述像素電極連接。例如，所述半導體層包括彼此連接且延伸方向相交的第一延伸部和第二延伸部，所述第一延伸部包括所述源極區，所述第二延伸部沿所述公共電極線延伸且與所述第一存儲電極連接。例如，所述第二延伸部與所述公共電極線彼此絕緣并且彼此交疊，以形成第四存儲電容。例如，所述的像素結構還包括與所述公共電極線相交且與所述源極區連接的數據線，所述數據線與所述第一延伸部彼此交疊。例如，所述第一延伸部包括依次連接的所述源極區、第一溝道區、連接區、第二溝道區和所述漏極區。例如，所述信號線為柵線，所述第一溝道區與所述信號線彼此交疊。例如，所述信號線包括凸出部，所述凸出部與所述第二溝道區彼此交疊。本專利技術的至少一個實施例還提供一種陣列基板，其包括根據以上任一項所述的像素結構。本專利技術的至少一個實施例還提供一種顯示裝置，其包括以上所述的陣列基板。本專利技術實施例在用于液晶顯示裝置中時，像素結構的存儲電容除了包括由像素電極和公共電極形成的液晶電容之外，還包括由第一存儲電極和第二存儲電極形成的第一存儲電容，該第一存儲電容與液晶電容并聯以增大像素結構的存儲電容，因此本專利技術實施例可以有效提高像素有效充放電時間和像素電壓保持能力、降低漏電流造成的電荷損失比例；另一方面，本專利技術實施例由于增大了像素結構的存儲電容，可以有效改善因柵線、數據線等制作工藝波動造成的驅動電阻增大、閃爍(flicker)和串擾等不良；再一方面，本專利技術實施例通過利用信號線與公共電極線之間的區域形成第一存儲電容，充分利用了像素結構中的閑置空間，減少了空間浪費。附圖說明為了更清楚地說明本專利技術實施例的技術方案，下面將對實施例的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅涉及本專利技術的一些實施例，而非對本專利技術的限制。圖1a為一種像素結構的俯視示意圖；圖1b為圖1a所示的像素結構的電路圖；圖2a為本專利技術實施例提供的像素結構的俯視示意圖一；圖2b為圖2a中的第一存儲電極與半導體層的示意圖；圖2c為圖2a中的第二存儲電極與公共電極線的示意圖；圖2d為圖2a中的信號線的示意圖；圖2e為沿圖2a中A-A和B-B的剖視示意圖；圖3為本專利技術實施例提供的像素結構的俯視示意圖二；圖4a為本專利技術實施例提供的像素結構的俯視示意圖三；圖4b為沿圖4a中A-A和B-B的剖視示意圖；圖5為本專利技術實施例提供的像素結構的電路示意圖；圖6為本專利技術實施例提供的像素結構的電壓保持能力的示意圖；圖7為本專利技術實施例提供的陣列基板的俯視示意圖；圖8為本專利技術實施例提供的陣列基板在工作時柵掃描信號的時序示意圖。具體實施方式為使本專利技術實施例的目的、技術方案和優點更加清楚，下面將結合本專利技術實施例的附圖，對本專利技術實施例的技術方案進行清楚、完整地描述。顯然，所描述的實施例是本專利技術的一部分實施例，而不是全部的實施例。基于所描述的本專利技術的實施例，本領域普通技術人員在無需創造性勞動的前提下所獲得的所有其他實施例，都屬于本專利技術保護的范圍。除非另外定義，本公開使用的技術術語或者科學術語應當為本專利技術所屬領域內具有一般技能的人士所理解的通常意義。本公開中使用的“第一”、“第二”以及類似的詞語并不表示任何順序、數量或者重要性，而只是用來區分不同的組成部分。“包括”或者“包含”等類似的詞語意指出現該詞前面的元件或者物件涵蓋出現在該詞后面列舉的元件或者物件及其等同，而不排除其他元件或者物件。“連接”或者“相連”等類似的詞語并非限定于物理的或者機械的連接，而是可以包括電性的連接，不管是直接的還是間接的。“上”、“下”、“左”、“右”等僅用于表示相對位置關系，當被描述對象的絕對位置改變后，則該相對位置關系也可能相應地改變。圖1a為一種像素結構的俯視示意圖；圖1b為圖1a所示的像素結構的電路圖。如圖1a和圖1b所示，該像素結構包括柵線5、數據線7、晶體管3和像素電極9。該晶體管3的半導體層3a包括兩個與遮光層4和柵線5交疊的溝道區，并且包括與數據線7通過過孔6c連接的源極區以及與像素電極9通過過孔6a連接的漏極區；該晶體管為雙柵極晶體管，包括如圖1b所示的源極晶體管MOS-1和漏極晶體管MOS-2。在液晶顯示器中，該像素結構的存儲電容由像素電極和公共電極(公共電極在工作時被施加電壓Vcom)之間形成的液晶電容LC構成。本申請的專利技術人注意到，在大尺寸、高分辨率的液晶顯示器中，如圖1a和圖1b所示的像素結構的因存儲電容不足而存在像素有效充放電時間不足、像素電壓保持能力不足等問題。本專利技術實施例公開了一種像素結構、陣列基板和顯示裝置，下面結合附圖對本專利技術實施例進行詳細說明。本專利技術的至少一個實施例提供一種像素結構，如圖2a至圖2e所示，該像素結構包括：信號線51；公共電極線52，其與信號線51的延伸方向大致相同；晶體管30，其包括半導體層31，半導體層31包括源極區31a和漏極區31b；第一存儲電極11，其與公共電極線52絕緣(例如通過如圖2e所示的絕緣層62與公共電極線52絕緣)，并且與半導體層31的漏極區31b連接；第二存儲電極12，其與公共電極線52連接以在工作時被施加公共電極信號，并且與第一存儲電極11絕緣(例如通過絕緣層62與第一存儲電極11絕緣)。在該像素結構中，第一存儲電極11和第二存儲電極12包括設置于信號線51和公共電極線52之間且彼此交疊的部分，以形成第一存儲電容。本專利技術實施例在用于液晶顯示裝置中時，像素結構的存儲電容除了包括由像素電極和公共電極形成的液晶電容之外，還包括由例如與像素電極不同層設置的第一存儲電極11和例如與公共電極不同層設置的第二存儲電極12形成的第一存儲電容，該第一存儲電容與液晶電容本文檔來自技高網...

【技術保護點】
一種像素結構，包括：信號線；公共電極線，其與所述信號線的延伸方向相同；晶體管，其包括半導體層，所述半導體層包括源極區和漏極區；第一存儲電極，其與所述公共電極線絕緣、與所述半導體層的漏極區連接；以及第二存儲電極，其與所述公共電極線連接且與所述第一存儲電極絕緣，其中，所述第一存儲電極和所述第二存儲電極包括設置于所述信號線和所述公共電極線之間且彼此交疊的部分，以形成第一存儲電容。

【技術特征摘要】
1.一種像素結構，包括：信號線；公共電極線，其與所述信號線的延伸方向相同；晶體管，其包括半導體層，所述半導體層包括源極區和漏極區；第一存儲電極，其與所述公共電極線絕緣、與所述半導體層的漏極區連接；以及第二存儲電極，其與所述公共電極線連接且與所述第一存儲電極絕緣，其中，所述第一存儲電極和所述第二存儲電極包括設置于所述信號線和所述公共電極線之間且彼此交疊的部分，以形成第一存儲電容。2.根據權利要求1所述的像素結構，其中，所述第一存儲電極還與所述公共電極線交疊，以形成第二存儲電容。3.根據權利要求1所述的像素結構，其中，所述第一存儲電極與所述半導體層同層設置。4.根據權利要求1所述的像素結構，其中，所述第二存儲電極與所述公共電極線同層設置。5.根據權利要求1所述的像素結構，還包括第三存儲電極，其中，所述第三存儲電極與所述第一存儲電極連接且與所述第二存儲電極絕緣，并且所述第三存儲電極與所述第二存儲電極彼此交疊以形成第三存儲電容。6.根據權利要求5所述的像素結構，其中，所述第三存儲電極通過過孔與所述第一存儲電極連接，所述過孔位于所述公共電極線與所述信號線之間。7.根據權利要求5或6所述的像素結構，還包...

【專利技術屬性】
技術研發人員：丁多龍，劉華鋒，趙生偉，孫超超，王超，呂景萍，楊盟，楊磊，胡重糧，謝霖，順布樂，孫士民，
申請(專利權)人：京東方科技集團股份有限公司，鄂爾多斯市源盛光電有限責任公司，
類型：發明
國別省市：北京,11