一種新型碳化硅閘缽制造技術

一種新型碳化硅閘缽，包括底座、安裝于底座上的匣缽，所述匣缽由若干塊碳化硅磚體堆砌而成，所述碳化硅磚體包括基體，基體的上、下端側壁上對應設置有相互耦合配接的凸條和凹槽，基體的左右端側壁上也對應設置有相互耦合的凸條和凹槽，所述凸條或凹槽呈橫向和縱向交錯分布，形成網格狀，相鄰碳化硅磚體的凸條和凹槽拼接間隙內填充有防腐耐酸的水泥層。制作簡單，堆砌穩固，有待防止泄漏，使用壽命長。

A new type of silicon carbide sluice

A new type of silicon carbide gate bowl, which comprises a base, mounted on the base of the sagger sagger, which is composed of a plurality of silicon carbide bricks piled up, the silicon carbide brick body comprises a matrix, the matrix of upper and lower side wall is correspondingly provided with a coupling connected with the convex strip and the groove, the left and right side matrix the corresponding wall is provided with convex strips and groove coupling, the convex strips or grooves are transversely and longitudinally staggered distribution, shape, and a convex groove splicing gap of adjacent silicon carbide brick body is filled with the acid resistant cement layer. The utility model has the advantages of simple manufacture, stable packing, leakage prevention and long service life.

【技術實現步驟摘要】
一種新型碳化硅閘缽
本技術涉及冶金用爐體領域，尤其涉及鋁液存放容器。
技術介紹
現有碳化硅匣缽磚的燒成工藝，采用SiC-Si3N4-Si在N氣保護條件下高溫燒制過程中加入N氣，氧化形成活性的SiO2、Si2N2O等化合物，這種生產方法所產生的SiO2和Si2N2O活性化合物的含量較低，這種碳化硅匣缽磚的抗變形能力較低，壽命短，同時，采用氮氣保護燒成工藝所消耗電能高，氮氣加熱爐的費用高。這種燒成工藝導致碳化硅匣缽磚的結構和形狀只能為簡單的形狀和結構，但普通的形狀又導致堆砌不穩定，冶金的液體又容易泄漏，有待改進。
技術實現思路
本技術針對現有技術的不足，提供了一種制作簡單，堆砌穩固，有待防止泄漏，使用壽命長的新型碳化硅閘缽。為實現本技術目的，提供了以下技術方案：一種新型碳化硅閘缽，其特征在于包括底座、安裝于底座上的匣缽，所述匣缽由若干塊碳化硅磚體堆砌而成，所述碳化硅磚體包括基體，基體的上、下端側壁上對應設置有相互耦合配接的凸條和凹槽，基體的左右端側壁上也對應設置有相互耦合的凸條和凹槽，所述凸條或凹槽呈橫向和縱向交錯分布，形成網格狀，相鄰碳化硅磚體的凸條和凹槽拼接間隙內填充有防腐耐酸的水泥層。作為優選，碳化硅磚體呈長方形磚體。作為優選，碳化硅磚體呈整體鑄造成型。作為優選，凸條的寬度為10~20mm，高度為30~50mm。作為優選，凸條/凹槽縱向設置為一條，橫向設置為三條。本技術有益效果：本技術磚體制作簡單，堆砌穩固，有待防止泄漏，使用壽命長，適用于產業化生產。附圖說明圖1為本技術的結構示意圖。圖2為圖1的碳化硅磚體主視圖。圖3為圖2的俯視圖。圖4為圖2的仰視圖。圖5為圖2的左視圖。圖6為圖2的右視圖。具體實施方式實施例1：一種新型碳化硅閘缽，包括底座1、安裝于底座1上的匣缽2，所述匣缽2由若干塊碳化硅磚體3堆砌而成，所述碳化硅磚體3包括基體3.1，基體3.1的上、下端側壁上對應設置有相互耦合配接的凸條3.1.1和凹槽3.1.2，基體3.1的左右端側壁上也對應設置有相互耦合的凸條3.1.1和凹槽3.1.2，所述凸條3.1.1或凹槽3.1.2呈橫向和縱向交錯分布，形成網格狀，相鄰碳化硅磚體3的凸條3.1.1和凹槽3.1.2拼接間隙內填充有防腐耐酸的水泥層4。碳化硅磚體3呈長方形磚體。碳化硅磚體3呈整體鑄造成型。凸條3.1.1的寬度為10~20mm，高度為30~50mm。凸條3.1.1/凹槽3.1.2縱向設置為一條，橫向設置為三條。圍繞凸條3.1.1與磚體的連接面設置有一圈弧形溝槽。本文檔來自技高網...

【技術保護點】
一種新型碳化硅閘缽，其特征在于包括底座、安裝于底座上的匣缽，所述匣缽由若干塊碳化硅磚體堆砌而成，所述碳化硅磚體包括基體，基體的上、下端側壁上對應設置有相互耦合配接的凸條和凹槽，基體的左右端側壁上也對應設置有相互耦合的凸條和凹槽，所述凸條或凹槽呈橫向和縱向交錯分布，形成網格狀，相鄰碳化硅磚體的凸條和凹槽拼接間隙內填充有防腐耐酸的水泥層。

【技術特征摘要】
1.一種新型碳化硅閘缽，其特征在于包括底座、安裝于底座上的匣缽，所述匣缽由若干塊碳化硅磚體堆砌而成，所述碳化硅磚體包括基體，基體的上、下端側壁上對應設置有相互耦合配接的凸條和凹槽，基體的左右端側壁上也對應設置有相互耦合的凸條和凹槽，所述凸條或凹槽呈橫向和縱向交錯分布，形成網格狀，相鄰碳化硅磚體的凸條和凹槽拼接間隙內填充有防腐耐酸的水泥層。2.根據...

【專利技術屬性】
技術研發人員：劉湖海，
申請(專利權)人：劉湖海，
類型：新型
國別省市：江蘇,32