防止曝光光罩污染的裝置及曝光裝置制造方法及圖紙

本實用新型專利技術提供了一種防止曝光光罩污染的裝置及曝光裝置，所述防止曝光光罩污染的裝置包括：氣體供給模塊，包括上層出風口和下層出風口，所述上層出風口和下層出風口形成包括上層等離子氣流和下層壓縮空氣流的雙層氣幕；氣體回收模塊，設置在與供氣模塊相對的一側，所述氣體回收模塊回收并排放所述氣體供給模塊形成的氣流、大部分揮發物和非污染的小分子物質。本實用新型專利技術利用氣體供給模塊形成的壓縮空氣氣流所產生的氣體剪切力將大部分污染物帶走；部分沒被剪切力帶走的揮發物與上層等離子氣流進行化學反應而轉變為非污染的小分子物質，由此產生的雙重保護以在線防止光罩受到污染。

Device for preventing exposure mask pollution and exposure device

The utility model provides a device for preventing pollution and exposure device for exposure mask, the mask exposure device to prevent pollution include: gas supply module, including the upper outlet and a lower outlet, the upper and lower outlet outlet formed including the upper plasma flow and lower flow of compressed air double gas curtain; gas recovery module is arranged on one side and the relative supply module, the small molecules of the gas recovery module recycling and emissions to the air flow, the gas supply module form most of the volatiles and non pollution. The shear force of gas flow of compressed air of the utility model using a gas supply module of most of the pollutants are not taken away; some small molecules of volatile compounds and the upper plasma flow shear stress were taken into chemical reaction and non pollution, double protection arises to prevent contamination of the mask online.

【技術實現步驟摘要】
防止曝光光罩污染的裝置及曝光裝置
本技術涉及半導體制造領域，尤其涉及一種防止曝光光罩污染的裝置及曝光裝置。
技術介紹
光罩(或掩模)已經普遍應用于半導體制造的曝光裝置中，曝光裝置通常包括以下兩種：使用透鏡將光罩的圖案投影到基板上的投影式曝光裝置和在掩模與基板之間設置微小縫隙而將光罩的圖案轉印到基板的接近式曝光裝置。然而，生產過程中的揮發物和微塵容易致使光罩受到污染，尤其是曝光過程中所使用的光阻由于其極易揮發而污染光罩，從而導致產品會有微觀缺陷或宏觀色差，嚴重影響良率。曝光裝置的光罩污染是一直以來困擾業界的一個問題，尤其是對于接近式曝光裝置，由于接近式曝光裝置的光罩和載臺上產品的間隙較小，一般在300um以下，更容易受到揮發物和微塵污染。現有的解決方案通常是在光罩污染后進行檢查并采用光罩清洗劑或氣體洗滌的方式來清潔光罩，目前市場上在售或者相關文獻提及的曝光設備中，沒有在線防止光罩污染的裝置。而且，在生產過程中，處理光罩污染引起的停機時間會極大地影響產能，并且光罩污染后的檢查、清潔和修補成本也很高。因此，需要提供一種防止曝光光罩污染的裝置及曝光裝置。需要說明的是，公開于該技術
技術介紹
部分的信息僅僅旨在加深對本技術的一般
技術介紹
的理解，而不應當被視為承認或以任何形式暗示該信息構成已為本領域技術人員所公知的現有技術。
技術實現思路
鑒于以上所述現有技術的缺點，本技術提供一種防止曝光光罩污染的裝置及曝光裝置，能夠在線阻隔污染，大幅度降低光罩污染幾率，從而減少光罩清洗頻度并提高產能。為了達到上述目的，在本申請的一個方面，提供一種防止曝光光罩污染的裝置，所述防止曝光光罩污染的裝置包括：氣體供給模塊，設置在曝光光罩下方并且包括上層出風口和下層出風口，所述上層出風口和下層出風口形成包括上層等離子氣流和下層壓縮空氣流的雙層氣幕，所述下層壓縮空氣流產生的剪切力帶走大部分揮發物，所述上層等離子氣流與進人其中的剩余的揮發物發生化學反應以將所述剩余的揮發物轉變成非污染的小分子物質；氣體回收模塊，與所述氣體供給模塊相對地設置，所述氣體回收模塊回收并排放所述氣體供給模塊形成的氣流、大部分揮發物和非污染的小分子物質。在一些實施例中，所述上層出氣口和下層出氣口是能夠按需改變孔徑的可調式出風口。在一些實施例中，所述防止曝光光罩污染的裝置還包括氣流檢測單元、氣流調控單元和控制單元，所述氣流檢測單元和氣流調控單元均連接至所述控制單元，所述氣流檢測單元檢測所述等離子氣流的流速和壓縮空氣流的流速并將檢測到的流速發送給所述控制單元，所述氣流調控單元在所述控制單元的控制下改變所述可調式出風口的孔徑以調節所述等離子氣流的流速和所述壓縮空氣流的流速。在一些實施例中，所述防止曝光光罩污染的裝置還包括用于檢測揮發物的濃度的揮發物濃度檢測單元，所述揮發物濃度檢測單元連接至所述控制單元，所述控制單元根據檢測到的揮發物的濃度來設定所述等離子氣流的流速和所述壓縮空氣流的流速。在一些實施例中，所述氣體供給模塊包括供氣模塊和氣刀，所述供氣模塊用于向所述氣刀提供等離子氣體和壓縮空氣，所述上層出風口和下層出風口設置在所述氣刀上。在一些實施例中，所述上層出氣口和下層出氣口各包括一排出氣孔，每排出氣孔沿所述氣刀的寬度方向均勻排列。在一些實施例中，每個出氣孔上安裝有噴嘴。在一些實施例中，所述防止曝光光罩污染的裝置還包括支架，所述支架用于將所述氣刀固定在曝光光罩的下方。在一些實施例中，所述氣刀的寬度大于或等于曝光場的尺寸。在一些實施例中，所述支架上設置有導軌，所述導軌在控制單元的控制下調節所述氣刀的位置。在本申請的又一方面，還提供一種曝光裝置，所述曝光裝置包括前述一個方面中所述的防止曝光光罩污染的裝置。在一些實施例中，所述防止曝光光罩污染的裝置安裝在所述曝光裝置的光罩的下方。在一些實施例中，所述防止曝光光罩污染的裝置與所述曝光裝置集成。本技術的有益效果是：本技術所提出的一種防止曝光光罩污染的裝置及曝光裝置利用氣刀(或風刀)在光罩下方形成雙層氣幕，下層是壓縮空氣，壓縮空氣所產生的合適的氣體剪切力將大部分污染物帶走；部分沒被剪切力帶走而穿過此氣流層的污染物在到達光罩之前會與上層等離子氣幕進行化學反應而轉變為非污染的小分子物質，同時，下層壓縮空氣還起到了阻隔基板光阻層與等離子氣體反應的作用，由此產生的雙重保護以提前防止光罩受到污染。而且，本技術還根據在線光罩污染的頻度和程度，智能地進行氣流調控，形成大小合適的氣體流速和氣體剪切力保證揮發物的徹底消除，以大幅度降低光罩污染，減少清洗頻度，從而提高產能并且降低光罩清洗與修補成本。因此，本技術可在線提前防止光罩污染，對污染進行在線阻隔，大大改善現有技術方案中光罩污染后再進行檢查并清洗的后處理方式；同時，可大大節省現有方式中清洗和修補光罩的成本。附圖說明通過說明書附圖以及隨后與說明書附圖一起用于說明本技術某些原理的具體實施方式，本技術所具有的其它特征和優點將變得清楚或得以更為具體地闡明。圖1示出了根據本技術實施例的防止曝光光罩污染的裝置的結構示意圖；圖2示出了根據本技術實施例的防止曝光光罩污染的裝置中的氣刀(或風刀)的結構示意圖；圖3示出了根據本技術實施例的出氣孔可采用的不同孔徑的網格板示意圖；圖4示出了防止曝光光罩污染的方法流程圖；圖5示出了包括防止曝光光罩污染的方法的曝光流程圖。應當了解，說明書附圖并不一定按比例地顯示本技術的具體結構，并且在說明書附圖中用于說明本技術某些原理的圖示性特征也會采取略微簡化的畫法。本文所公開的本技術的具體設計特征包括例如具體尺寸、方向、位置和外形將部分地由具體所要應用和使用的環境來確定。在說明書附圖的多幅附圖中，相同的附圖標記表示本技術的相同或等同的部分。具體實施方式在下面的描述中闡述了很多具體細節以便于充分理解本技術。但是本技術能夠以很多不同于在此描述的其它方式來實施，本領域技術人員可以在不違背本技術內涵的情況下做類似推廣，因此本技術不受下面公開的具體實施例的限制。下面，結合附圖對本技術的具體實施例進行描述。請參閱圖1-5所示，本技術提供一種防止曝光光罩污染的裝置和方法。圖1示出了根據本技術實施例的防止曝光光罩污染的裝置的結構示意圖。本技術所提出的防止曝光光罩污染的裝置包括供氣模塊3、氣刀4和氣體回收模塊7。所述供氣模塊3設置在曝光裝置的一側并與所述氣刀4的進氣端氣體連通，所述供氣模塊3向所述氣刀提供壓縮空氣和等離子氣體。所述氣體回收模塊7設置在與供氣模塊3相對的一側，(即，設置在曝光裝置的另一側)，用于及時回收并排放氣刀4吹出的氣體，以減少氣體對曝光裝置空間內其它領域氣場的影響，避免引起靜態灰塵飛揚。所述供氣模塊3和氣體回收模塊7都連接廠務端口。所述氣刀4用于形成氣流平行的雙層氣幕，上層氣幕由等離子氣體構成，下層氣幕由壓縮空氣構成。優選地，所述氣刀4可采用不銹鋼或鋁等金屬材質制成，所述氣刀4的寬度大于或等于曝光裝置的曝光場的尺寸。在一些實施例中，所述供氣模塊3和所述氣刀4可集成在氣體供給模塊中。進一步，所述防止曝光光罩污染的裝置還可包括氣流檢測單元5、氣流調控單元6和控制系統(所述控制系統嵌入曝光本文檔來自技高網...

【技術保護點】
一種防止曝光光罩污染的裝置，其特征在于，所述防止曝光光罩污染的裝置包括：氣體供給模塊，設置在曝光光罩下方并且包括上層出風口和下層出風口，所述上層出風口和下層出風口形成包括上層等離子氣流和下層壓縮空氣流的雙層氣幕，所述下層壓縮空氣流產生的剪切力帶走大部分揮發物，所述上層等離子氣流與進入其中的剩余的揮發物發生化學反應以將所述剩余的揮發物轉變成非污染的小分子物質；氣體回收模塊，與所述氣體供給模塊相對地設置，所述氣體回收模塊回收并排放所述氣體供給模塊形成的氣流、大部分揮發物和非污染的小分子物質。

【技術特征摘要】
1.一種防止曝光光罩污染的裝置，其特征在于，所述防止曝光光罩污染的裝置包括：氣體供給模塊，設置在曝光光罩下方并且包括上層出風口和下層出風口，所述上層出風口和下層出風口形成包括上層等離子氣流和下層壓縮空氣流的雙層氣幕，所述下層壓縮空氣流產生的剪切力帶走大部分揮發物，所述上層等離子氣流與進入其中的剩余的揮發物發生化學反應以將所述剩余的揮發物轉變成非污染的小分子物質；氣體回收模塊，與所述氣體供給模塊相對地設置，所述氣體回收模塊回收并排放所述氣體供給模塊形成的氣流、大部分揮發物和非污染的小分子物質。2.如權利要求1所述的防止曝光光罩污染的裝置，其特征在于，所述上層出氣口和下層出氣口是能夠按需改變孔徑的可調式出風口。3.如權利要求2所述的防止曝光光罩污染的裝置，其特征在于，所述防止曝光光罩污染的裝置還包括氣流檢測單元、氣流調控單元和控制單元，所述氣流檢測單元和氣流調控單元均連接至所述控制單元，所述氣流檢測單元檢測所述等離子氣流的流速和壓縮空氣流的流速并將檢測到的流速發送給所述控制單元，所述氣流調控單元在所述控制單元的控制下改變所述可調式出風口的孔徑以調節所述等離子氣流的流速和所述壓縮空氣流的流速。4.如權利要求3所述的防止曝光光罩污染的裝置，其特征在于，所述防止曝光光罩污染的裝置還包括用于檢測揮發物的濃度的揮發物濃度檢測單元，所述揮發物濃度檢測單元連接至所述控制單元...

【專利技術屬性】
技術研發人員：李會麗，李喆，李志丹，
申請(專利權)人：上海微電子裝備有限公司，
類型：新型
國別省市：上海,31