一種高功率密度E型電感器制造技術

本實用新型專利技術公開了一種高功率密度E型電感器，包括磁芯、骨架、銅線繞組以及針腳，磁芯由水平設置的左E型磁芯和右E型磁芯對接而成，左E型磁芯和右E型磁芯均包括對稱設置的邊柱和設置在邊柱之間的中心柱，位于左E型磁芯上的邊柱和中心柱上均設有凸條，位于右E型磁芯上的邊柱和中心柱上均設有與凸條相匹配的凹槽，骨架包括基架和設置在基架上的繞線槽，基架兩端設有與磁芯外框相匹配的卡槽，卡槽之間設有供中心柱插入的通孔，針腳設置在基架的一端，且對稱位于卡槽兩端；與現有的技術方案相比較，本實用新型專利技術整體高度低，體積小，中心柱截面積利用率高，磁芯的可靠性增強，功率密度高。

A high power density type E inductor

The utility model discloses a high power density E type inductor comprises a magnetic core, skeleton, copper wire winding and a pin, left and right E cores E cores by setting the level of core docking, the left and right E cores E cores are symmetrically arranged side column and set the center column on the side between the columns, is located in the center of left side column and column type E on the magnetic core are provided with convex strips, is located in the center right side column and column on the E cores are provided with grooves matched with the convex strip, the skeleton consists of a pedestal and a set of winding slots on the base frame, the frame ends are provided with a card slot matching with the core frame, through holes for the center column insertion slot is arranged between the pin is arranged in the frame is symmetrically located at both ends of the groove and the card; compared with the existing technology, the utility model has the advantages of small volume, low overall height, cross section center column geelee The utility model has the advantages of high reliability, high magnetic core reliability and high power density.

【技術實現步驟摘要】
一種高功率密度E型電感器
本技術涉及一種高功率密度E型電感器，屬于電感器領域。
技術介紹
電感器是能夠把電能轉化為磁能而存儲起來的元件。電感器具有一定的電感，它只阻礙電流的變化。如果電感器在沒有電流通過的狀態下，電路接通時它將試圖阻礙電流流過它；如果電感器在有電流通過的狀態下，電路斷開時它將試圖維持電流不變。電感器又稱扼流器、電抗器、動態電抗器?，F有技術下的E型電感器的磁芯與骨架之間只通過粘膠固定，使用時間久了之后電路中產生的熱量對粘膠有影響，使得左E型磁芯和右E型磁芯之間容易松動，影響電感器的正常功能。
技術實現思路
(一)要解決的技術問題為解決上述問題，本技術提出了一種高功率密度E型電感器。(二)技術方案本技術的高功率密度E型電感器，包括磁芯、骨架、銅線繞組以及針腳，所述磁芯由水平設置的左E型磁芯和右E型磁芯對接而成，所述左E型磁芯和右E型磁芯均包括對稱設置的邊柱和設置在所述邊柱之間的中心柱，位于所述左E型磁芯上的所述邊柱和中心柱上均設有凸條，位于所述右E型磁芯上的所述邊柱和中心柱上均設有與所述凸條相匹配的凹槽，所述骨架包括基架和設置在所述基架上的繞線槽，所述基架兩端設有與所述磁芯外框相匹配的卡槽，所述卡槽之間設有供所述中心柱插入的通孔，所述針腳設置在所述基架的一端，且對稱位于所述卡槽兩端。作為優選的技術方案，所述磁芯的高度為1.5cm-2cm。作為優選的技術方案，所述中心柱的截面積為16mm2-36mm2。作為優選的技術方案，所述凸條至少設有一個。作為優選的技術方案，所述繞線槽至少設有一個。作為優選的技術方案，所述針腳至少設有兩對。(三)有益效果本技術與現有技術相比較，其具有以下有益效果：本技術的高功率密度E型電感器，整體高度低，體積小，中心柱截面積利用率高，凸條和凹槽的配合使用加強了左E型磁芯和右E型磁芯之間的固定性，增強了磁芯的可靠性，功率密度高。附圖說明為了更清楚地說明本技術實施例或現有技術中的技術方案，下面將對實施例或現有技術描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本技術的一些實施例，對于本領域普通技術人員來講，在不付出創造性勞動的前提下，還可以根據這些附圖獲得其他的附圖。圖1是本技術的俯視圖；圖2是左E型磁芯的結構示意圖；圖3是右E型磁芯的結構示意圖；圖4是基架的主視圖。1-磁芯；2-骨架；21-基架；211-卡槽；212-通孔；22-繞線槽；3-銅線繞組；4-針腳；5-左E型磁芯；6-右E型磁芯；7-邊柱；8-中心柱；9-凸條；10-凹槽。具體實施方式如附圖所示的一種高功率密度E型電感器，包括磁芯1、骨架2、銅線繞組3以及針腳4，所述磁芯1由水平設置的左E型磁芯5和右E型磁芯6對接而成，所述左E型磁芯5和右E型磁芯6均包括對稱設置的邊柱7和設置在所述邊柱7之間的中心柱8，位于所述左E型磁芯5上的所述邊柱7和中心柱8上均設有凸條9，位于所述右E型磁芯6上的所述邊柱7和中心柱8上均設有與所述凸條9相匹配的凹槽10，所述骨架2包括基架21和設置在所述基架21上的繞線槽22，所述基架21兩端設有與所述磁芯1外框相匹配的卡槽211，所述卡槽211之間設有供所述中心柱8插入的通孔212，所述針腳4設置在所述基架21的一端，且對稱位于所述卡槽211兩端。進一步地，所述磁芯1的高度為1.5cm-2cm。進一步地，所述中心柱8的截面積為16mm2-36mm2。進一步地，所述凸條9至少設有一個。進一步地，所述繞線槽22至少設有一個。進一步地，所述針腳4至少設有兩對。本技術具體實施如下：將左E型磁芯和右E型磁芯的中心柱分別插入骨架上的通孔內，直到凸條完全插入凹槽內，然后用粘膠將邊柱之間粘牢，進一步固定，將銅線繞組的首尾分別焊接在兩側對稱的針腳上即可。本技術的高功率密度E型電感器，整體高度低，體積小，中心柱截面積利用率高，磁芯的高度為1.5cm-2cm，優選1.7cm，通過對磁芯及骨架的優化設計能使磁芯與線圈達到最佳搭配，大大減小了整體體積且提高了單位功率的密度，凸條和凹槽的配合使用加強了左E型磁芯和右E型磁芯之間的固定性，增強了磁芯的可靠性。上面所述的實施例僅僅是對本技術的優選實施方式進行描述，并非對本技術的構思和范圍進行限定。在不脫離本技術設計構思的前提下，本領域普通人員對本技術的技術方案做出的各種變型和改進，均應落入到本技術的保護范圍，本技術請求保護的
技術實現思路
，已經全部記載在權利要求書中。本文檔來自技高網...

【技術保護點】
一種高功率密度E型電感器，包括磁芯(1)、骨架(2)、銅線繞組(3)以及針腳(4)，其特征在于：所述磁芯(1)由水平設置的左E型磁芯(5)和右E型磁芯(6)對接而成，所述左E型磁芯(5)和右E型磁芯(6)均包括對稱設置的邊柱(7)和設置在所述邊柱(7)之間的中心柱(8)，位于所述左E型磁芯(5)上的所述邊柱(7)和中心柱(8)上均設有凸條(9)，位于所述右E型磁芯(6)上的所述邊柱(7)和中心柱(8)上均設有與所述凸條(9)相匹配的凹槽(10)，所述骨架(2)包括基架(21)和設置在所述基架(21)上的繞線槽(22)，所述基架(21)兩端設有與所述磁芯(1)外框相匹配的卡槽(211)，所述卡槽(211)之間設有供所述中心柱(8)插入的通孔(212)，所述針腳(4)設置在所述基架(21)的一端，且對稱位于所述卡槽(211)兩端。

【技術特征摘要】
1.一種高功率密度E型電感器，包括磁芯(1)、骨架(2)、銅線繞組(3)以及針腳(4)，其特征在于：所述磁芯(1)由水平設置的左E型磁芯(5)和右E型磁芯(6)對接而成，所述左E型磁芯(5)和右E型磁芯(6)均包括對稱設置的邊柱(7)和設置在所述邊柱(7)之間的中心柱(8)，位于所述左E型磁芯(5)上的所述邊柱(7)和中心柱(8)上均設有凸條(9)，位于所述右E型磁芯(6)上的所述邊柱(7)和中心柱(8)上均設有與所述凸條(9)相匹配的凹槽(10)，所述骨架(2)包括基架(21)和設置在所述基架(21)上的繞線槽(22)，所述基架(21)兩端設有與所述磁芯(1)外框相匹配的卡槽(211)，所述卡槽...

【專利技術屬性】
技術研發人員：吳連民，劉國琴，
申請(專利權)人：長興隆翔電子有限公司，
類型：新型
國別省市：浙江,33