適用NOR閃存芯片的高壓瞬時增強電路制造技術

本發明專利技術公開了一種適用NOR閃存芯片的高壓瞬時增強電路，其特征在于，所述適用NOR閃存芯片的高壓瞬時增強電路包括邏輯開關控制器、內部邏輯處理電路、耦合電容及放電通路，邏輯開關控制器用來選擇芯片是否采用此瞬時增強電路，內部邏輯處理電路用來智能判斷此增強電路開啟的時機以及控制放電通路，耦合電容用以產生瞬時增強電壓，放電通路在此增強電路空閑時瀉掉耦合電容上的多余電荷，防止電路漏電。本發明專利技術在傳統電荷泵電路的基礎上增加了一個小面積電路，在讀換行的瞬間給電荷泵輸出提供一個充電脈沖，不僅降低了電荷泵的平均功耗，又可以用相對較小的面積滿足高頻讀寫對高壓電荷泵的啟動時間要求。

High voltage instantaneous enhancement circuit suitable for NOR flash memory chip

The invention discloses a high voltage instantaneous for NOR flash chip enhancement circuit, which is characterized in that the instantaneous pressure for NOR flash chip enhancement circuit includes logic switch controller, the internal logic processing circuit, coupling capacitance and discharge path, logic switch controller chip is used to select the instantaneous enhancement circuit, internal logic circuit to judge this enhanced open circuit intelligent timing and control the discharge path, coupling capacitor is used to generate instantaneous increase the voltage, discharge path in this free time and enhancement circuit off excess charge coupled capacitance, prevent circuit leakage. The invention adds a small area of the circuit is based on the traditional charge pump circuit, charge pump output provides a charging pulse in the read line moment, not only reduces the average power consumption of the charge pump, and can use a relatively small area to read and write to meet high frequency high voltage charge pump start time.

【技術實現步驟摘要】
適用NOR閃存芯片的高壓瞬時增強電路
本專利技術涉及一種高壓瞬時增強電路，特別是涉及一種適用NOR閃存芯片的高壓瞬時增強電路。
技術介紹
NOR閃存(閃存的一種型號)單元的讀需要芯片內部產生高于電源的電壓。隨著大容量閃存芯片字線(wordline)的變長，內部高壓的電容負載也在迅速增長。在換行讀的過程中，由于電荷泵和字線的電荷共享，內部高壓會有一個瞬間下跌再回升的過程。在高頻情況下，此過程會嚴重影響讀出電路的精確性。傳統的方法是增大電荷泵的輸出電容來減輕電荷分享引起的電壓落差。而大的輸出電容會帶來另一個問題，電荷泵需要更多時間來達到電壓設計值。現代高頻讀頻率大都超過100MHz，相當于要求電荷泵在100ns以內穩定。為同時解決上述兩個問題，需要設計大面積，高功耗的電荷泵。
技術實現思路
本專利技術所要解決的技術問題是提供一種適用NOR閃存芯片的高壓瞬時增強電路，本專利技術在傳統電荷泵電路的基礎上增加了一個小面積電路，在讀換行的瞬間給電荷泵輸出提供一個充電脈沖，不僅降低了電荷泵的平均功耗，又可以用相對較小的面積滿足高頻讀寫對高壓電荷泵的啟動時間要求。本專利技術是通過下述技術方案來解決上述技術問題的：一種適用NOR閃存芯片的高壓瞬時增強電路，其特征在于，所述適用NOR閃存芯片的高壓瞬時增強電路包括邏輯開關控制器、內部邏輯處理電路、耦合電容及放電通路，邏輯開關控制器用來選擇芯片是否采用此瞬時增強電路，內部邏輯處理電路用來智能判斷此增強電路開啟的時機以及控制放電通路，耦合電容用以產生瞬時增強電壓，放電通路在此增強電路空閑時瀉掉耦合電容上的多余電荷，防止電路漏電。優選地，所述內部邏輯處理電路不僅可以通過耦合電容給高壓輸出一個抬升電壓，又可以在電路空閑時將耦合電容上多余的電量放掉。優選地，所述適用NOR閃存芯片的高壓瞬時增強電路僅在芯片工作需要的特定時間工作，而不影響電荷泵高壓的正常通路。優選地，所述耦合電容在電荷泵正常工作的同時作為高壓輸出的容性負載，以此減小高壓輸出的紋波。本專利技術的積極進步效果在于：相比傳統高壓電荷泵，本專利技術在傳統電荷泵電路的基礎上增加了一個小面積電路，在讀換行的瞬間給電荷泵輸出提供一個充電脈沖，不僅降低了電荷泵的平均功耗，又可以用相對較小的面積滿足高頻讀寫對高壓電荷泵的啟動時間要求。附圖說明圖1為本專利技術本專利技術適用NOR閃存芯片的高壓瞬時增強電路的電路圖。圖2為本專利技術其中一種實現方案的電路圖。具體實施方式下面結合附圖給出本專利技術較佳實施例，以詳細說明本專利技術的技術方案。如圖1所示，本專利技術適用NOR閃存芯片的高壓瞬時增強電路包括邏輯開關控制器、內部邏輯處理電路、耦合電容及放電通路，邏輯開關控制器用來選擇芯片是否采用此瞬時增強電路，內部邏輯處理電路用來智能判斷此增強電路開啟的時機以及控制放電通路，耦合電容用以產生瞬時增強電壓，放電通路在此增強電路空閑時瀉掉耦合電容上的多余電荷，防止電路漏電。如圖2所示，本專利技術還可以包括使能引腳KICK_ENB、第一PMOS管M1、第一NMOS管M2、第二NMOS管M3、高壓輸出HV_OUT，邏輯開關控制器同時與第一PMOS管M1的柵極、第一NMOS管M2的柵極、第二NMOS管M3的柵極連接；第一PMOS管M1的源極同時與第一NMOS管M2的漏極、第二NMOS管M3的漏極、耦合電容C1、電源電壓控制器HV_OUT連接。第二NMOS管M3的漏極與耦合電容連接；第一NMOS管M2的源極與第二NMOS管M3的源極都接地。本專利技術的工作原理如下：非換行時，使能引腳KICK_ENB為高，第一PMOS管M1關斷，第一NMOS管M2與第二NMOS管M3導通，連接線a1接地，耦合電容作為高壓電荷泵的負載電容的一部分，起到穩定高壓輸出，減小紋波的作用；換行的瞬間，使能引腳KICK_ENB跳低，第一PMOS管M1導通，第一NMOS管M2與第二NMOS管M3關斷，連接線a1被充電至電源電壓，電源電壓控制器HV_OUT隨之被耦合抬升約一個電源電壓，從而彌補了換行讀時，由于電荷共享導致的高壓瞬間降低。綜上所述，相比傳統高壓電荷泵，本設計在傳統電荷泵電路的基礎上增加了一個小面積電路，在讀換行的瞬間給電荷泵輸出提供一個充電脈沖，不僅降低了電荷泵的平均功耗，又可以用相對較小的面積滿足高頻讀寫對高壓電荷泵的啟動時間要求。以上所述的具體實施例，對本專利技術的解決的技術問題、技術方案和有益效果進行了進一步詳細說明，所應理解的是，以上所述僅為本專利技術的具體實施例而已，并不用于限制本專利技術，凡在本專利技術的精神和原則之內，所做的任何修改、等同替換、改進等，均應包含在本專利技術的保護范圍之內。本文檔來自技高網...

【技術保護點】
一種適用NOR閃存芯片的高壓瞬時增強電路，其特征在于，所述適用NOR閃存芯片的高壓瞬時增強電路包括邏輯開關控制器、內部邏輯處理電路、耦合電容及放電通路，邏輯開關控制器用來選擇芯片是否采用此瞬時增強電路，內部邏輯處理電路用來智能判斷此增強電路開啟的時機以及控制放電通路，耦合電容用以產生瞬時增強電壓，放電通路在此增強電路空閑時瀉掉耦合電容上的多余電荷，防止電路漏電。

【技術特征摘要】
1.一種適用NOR閃存芯片的高壓瞬時增強電路，其特征在于，所述適用NOR閃存芯片的高壓瞬時增強電路包括邏輯開關控制器、內部邏輯處理電路、耦合電容及放電通路，邏輯開關控制器用來選擇芯片是否采用此瞬時增強電路，內部邏輯處理電路用來智能判斷此增強電路開啟的時機以及控制放電通路，耦合電容用以產生瞬時增強電壓，放電通路在此增強電路空閑時瀉掉耦合電容上的多余電荷，防止電路漏電。2.如權利要求1所述的適用NOR閃存芯片的高壓瞬時增強電路，其特征在于...

【專利技術屬性】
技術研發人員：夏菁，任軍，盛榮華，
申請(專利權)人：合肥恒爍半導體有限公司，
類型：發明
國別省市：安徽,34