抗輻照柵氧擊穿型PROM存儲器編程后老化試驗裝置和方法制造方法及圖紙

本發明專利技術提供了一種抗輻照柵氧擊穿型PROM存儲器編程后老化試驗方法和裝置，方法包括：步驟1，將編程后的抗輻照柵氧擊穿型PROM存儲器進行第一溫度烘焙，持續至少64小時后完成靜態老化，所述第一溫度為140～150℃；步驟2，調整溫度至第二溫度，向靜態老化后的所述存儲器發送激勵信號，并采集所述存儲器響應所述激勵信號獲得的信號處理數據，持續至少160小時后完成動態老化，所述第二溫度為100～125℃；步驟3，根據預存的校驗數據對所述信號處理數據進行校驗。本發明專利技術能夠讓所述編程后的抗輻照柵氧擊穿型PROM存儲器度過早期失效期，將潛在的缺陷盡早暴露，剔除缺陷芯片。

Device and method for post aging test of anti radiation gate oxygen breakdown type PROM memory program

The present invention provides a method and apparatus for aging test, anti irradiation gate oxide breakdown type PROM memory programming method includes the following steps: Step 1, the anti irradiation gate oxide breakdown type PROM memory programming after the first baking temperature, for at least 64 hours after the completion of the static aging, the first temperature is 140 to 150 DEG C; step 2, adjust the temperature to a second temperature, excitation signal to the memory static send after aging, and collect the memory in response to the signal processing data signals received, for at least 160 hours after the completion of the dynamic aging, the second temperature is 100 to 125 DEG C; step 3, according to the verification of the signal processing data check data stored. The invention enables the programmed anti radiation gate oxygen breakdown type PROM memory to pass through the early failure period, expose the latent defects as soon as possible, and eliminate the defective chips.

【技術實現步驟摘要】
抗輻照柵氧擊穿型PROM存儲器編程后老化試驗裝置和方法
本專利技術涉及芯片老化試驗
，具體地，涉及一種抗輻照柵氧擊穿型PROM存儲器編程后老化試驗裝置和方法。
技術介紹
實踐證明大多數設備的故障率是時間的函數，典型故障曲線稱之為浴盆曲線(Bathtubcurve,失效率曲線)。浴盆曲線是指產品從投入到報廢為止的整個壽命周期內，其可靠性的變化呈現一定的規律。如果取產品的失效率作為產品的可靠性特征值，它是以使用時間為橫坐標，以失效率為縱坐標的一條曲線。因該曲線兩頭高，中間低，有些像浴盆，所以稱為“浴盆曲線”。失效率隨使用時間變化分為三個階段：早期失效期、偶然失效期和耗損失效期。早期失效期(InfantMortality)：表明產品在開始使用時,失效率很高,但隨著產品工作時間的增加,失效率迅速降低。偶然失效期，也稱隨機失效期(RandomFailures)：這一階段的特點是失效率較低，且較穩定，往往可近似看作常數，產品可靠性指標所描述的就是這個時期，這一時期是產品的良好使用階段。而航天產品中的正常使用階段是在太空中或其他不便于維修的場所，因此度過早期失效期進入性能較為平穩的隨機失效期后進入使用、保證器件在正常使用中保持穩定的性能是研究的重點。抗輻照柵氧擊穿型PROM存儲器可能由于硅片的晶格缺陷、制造過程中的材料純凈度問題、氣相存在雜質等因素導致一些工藝缺陷。抗輻照柵氧擊穿型PROM存儲器為一次性編程器件，編程過程實際是利用高壓將MOS管的柵氧化層擊穿與否，達到存儲“0”或“1”的目的。編程的過程實際上是一個破壞性的過程，因此在編程之后的器件可能因為工藝的缺陷而出現一些潛在問題，而這些潛在問題只有在使用之后才會逐漸顯現。因此如何讓編程后的抗輻照柵氧擊穿型PROM存儲器度過早期失效期，如何盡早地發現可能的潛在缺陷，剔除問題器件，篩選出合格芯片是目前的研究重點之一。
技術實現思路
針對現有技術中的缺陷，本專利技術的目的是提供一種抗輻照柵氧擊穿型PROM存儲器編程后老化試驗裝置和方法。根據本專利技術提供的一種抗輻照柵氧擊穿型PROM存儲器編程后老化試驗方法，包括：步驟1，將編程后的抗輻照柵氧擊穿型PROM存儲器進行第一溫度烘焙，持續至少64小時后完成靜態老化，所述第一溫度為140～150℃；步驟2，調整溫度至第二溫度，向靜態老化后的所述存儲器發送激勵信號，并采集所述存儲器響應所述激勵信號獲得的信號處理數據，持續至少160小時后完成動態老化，所述第二溫度為100～125℃；步驟3，根據預存的校驗數據對所述信號處理數據進行校驗。作為一種優化方案，所述步驟3之后還包括步驟4：根據所述校驗篩選獲得功能正常的存儲器。作為一種優化方案，所述步驟3中的校驗數據通過所述存儲器內編輯的程序運行所述激勵信號而獲得。作為一種優化方案，所述步驟2還包括向所述存儲器進行最高5.5V供電。作為一種優化方案，所述第一溫度為150℃。作為一種優化方案，所述第二溫度為125℃。基于同一專利技術構思，本專利技術還提供了一種抗輻照柵氧擊穿型PROM存儲器編程后老化試驗裝置，包括：溫控箱、信號控制器、計算機；所述溫控箱用于：響應所述信號控制器的控制將編程后的抗輻照柵氧擊穿型PROM存儲器進行第一溫度烘焙，所述第一溫度為140～150℃，持續至少64小時后調整溫度至第二溫度，持續至少160小時進行動態老化，所述第二溫度為100～125℃；所述信號控制器用于：控制所述溫控箱的溫度調節和持續時間，和自所述計算機獲取激勵信號并在所述動態老化過程中發送至所述存儲器，并采集所述存儲器響應所述激勵信號獲得的信號處理數據；所述計算機用于：向所述信號控制器發送所述激勵信號，和根據預存的校驗數據對所述信號處理數據進行校驗，所述校驗數據通過所述存儲器內編輯的程序運行所述激勵信號而獲得。作為一種優化方案，所述計算機還用于：根據所述校驗篩選獲得功能正常的存儲器。作為一種優化方案，還包括直流穩壓電源；所述直流穩壓電源用于：向所述信號控制器進行供電，和響應所述信號控制器的控制在所述動態老化過程中向所述存儲器進行最高為5.5V的供電；所述信號控制器還用于在所述動態老化過程中控制所述直流穩壓電源連通所述存儲器。作為一種優化方案，所述溫控箱內還設置有防靜電耐高溫的芯片安裝板，所述存儲器通過所述芯片安裝板安裝于所述溫控箱內并與所述信號控制器電氣連接。與現有技術相比，本專利技術具有如下的有益效果：1、利用靜態老化和動態老化相結合的方式讓編程后的抗輻照柵氧擊穿型PROM存儲器進行超負荷工作而使缺陷在短時間內暴露，快速度過早期失效期后再進入正常使用，避免在使用時發生故障。2、本專利技術提出的150℃為靜態老化溫度的極限溫度，而溫度過低則無法有效地實現靜態老化，因此最低可以為140℃。3、本專利技術提出的第二溫度中125℃為動態老化過程的極限溫度，由于動態老化中還需要進行數據的收發和程序的運行，超過125℃的過高溫度極易導致運行狀態下的芯片損壞。附圖說明為了更清楚地說明本專利技術實施例的技術方案，下面將對實施例描述中所需要使用的附圖作簡單的介紹，顯而易見，下面描述中的附圖僅僅是本專利技術的一些實施例，對于本領域技術人員來講，在不付出創造性勞動的前提下，還可以根據這些附圖獲得其他的附圖。附圖中：圖1是一種抗輻照柵氧擊穿型PROM存儲器編程后老化試驗方法；圖2是一種抗輻照柵氧擊穿型PROM存儲器編程后老化試驗裝置。具體實施方式下文結合附圖以具體實施例的方式對本專利技術進行詳細說明。以下實施例將有助于本領域的技術人員進一步理解本專利技術，但不以任何形式限制本專利技術。應當指出的是，還可以使用其他的實施例，或者對本文列舉的實施例進行結構和功能上的修改，而不會脫離本專利技術的范圍和實質。在本專利技術提供的一種抗輻照柵氧擊穿型PROM存儲器編程后老化試驗方法的實施例中，如圖1所示，包括：步驟1，將編程后的抗輻照柵氧擊穿型PROM存儲器進行第一溫度烘焙，持續至少64小時后完成靜態老化，所述第一溫度為140～150℃；步驟2，調整溫度至第二溫度，向靜態老化后的所述存儲器發送激勵信號，并采集所述存儲器響應所述激勵信號獲得的信號處理數據，持續至少160小時后完成動態老化，所述第二溫度為100～125℃；步驟3，根據預存的校驗數據對所述信號處理數據進行校驗。為了讓所述編程后的抗輻照柵氧擊穿型PROM存儲器度過早期失效期，也為了將潛在的缺陷盡早暴露，本實施利用靜態老化和動態老化相結合的方式使存儲器芯片長時間處于惡劣環境高強度負荷工作的狀態，加速早期失效期的進程。在經過靜態老化和動態老化之后的校驗是核實其數據處理結構與預先計算好的對應數據是否符合：若不符合則說明該芯片出現損壞，無法正常工作；若數據相符則說明該芯片仍處于正常工作狀態，該芯片可裝機使用。本實施例中靜態老化和動態老化的時間都是最少時間，實際操作中可能因具體需求而延長老化時間，但是根據實驗測試效果，從老化效果上看，不宜再縮短老化時間。本實施例中靜態老化和動態老化的兩個溫度中，所述第一溫度優選為150℃，所述第二溫度優選為125℃。從多次實驗數據看來，一旦靜態老化的第一溫度超過150℃，所述存儲器芯片極易發生高溫損毀，因此本專利技術提出的150℃為靜態老化溫度的極限溫度，而溫度過低則無法有效地實現靜態老化，因此最低本文檔來自技高網...

【技術保護點】
一種抗輻照柵氧擊穿型PROM存儲器編程后老化試驗方法，其特征在于，包括：步驟1，將編程后的抗輻照柵氧擊穿型PROM存儲器進行第一溫度烘焙，持續至少64小時后完成靜態老化，所述第一溫度為140～150℃；步驟2，調整溫度至第二溫度，向靜態老化后的所述存儲器發送激勵信號，并采集所述存儲器響應所述激勵信號獲得的信號處理數據，持續至少160小時后完成動態老化，所述第二溫度為100～125℃；步驟3，根據預存的校驗數據對所述信號處理數據進行校驗。

【技術特征摘要】
1.一種抗輻照柵氧擊穿型PROM存儲器編程后老化試驗方法，其特征在于，包括：步驟1，將編程后的抗輻照柵氧擊穿型PROM存儲器進行第一溫度烘焙，持續至少64小時后完成靜態老化，所述第一溫度為140～150℃；步驟2，調整溫度至第二溫度，向靜態老化后的所述存儲器發送激勵信號，并采集所述存儲器響應所述激勵信號獲得的信號處理數據，持續至少160小時后完成動態老化，所述第二溫度為100～125℃；步驟3，根據預存的校驗數據對所述信號處理數據進行校驗。2.根據權利要求1所述的一種抗輻照柵氧擊穿型PROM存儲器編程后老化試驗方法，其特征在于，所述步驟3之后還包括步驟4：根據所述校驗篩選獲得功能正常的存儲器。3.根據權利要求1所述的一種抗輻照柵氧擊穿型PROM存儲器編程后老化試驗方法，其特征在于，所述步驟3中的校驗數據通過所述存儲器內編輯的程序運行所述激勵信號而獲得。4.根據權利要求1所述的一種抗輻照柵氧擊穿型PROM存儲器編程后老化試驗方法，其特征在于，所述步驟2還包括向所述存儲器進行最高5.5V供電。5.根據權利要求1所述的一種抗輻照柵氧擊穿型PROM存儲器編程后老化試驗方法，其特征在于，所述第一溫度為150℃。6.根據權利要求1所述的一種抗輻照柵氧擊穿型PROM存儲器編程后老化試驗方法，其特征在于，所述第二溫度為125℃。7.一種抗輻照柵氧擊穿型PROM存儲器編程后老化試驗裝置，其特征在于，包括：溫控箱、信號控制器、計算機；所述...

【專利技術屬性】
技術研發人員：王茂森，吳杰，朱新忠，范宇飛，劉凱俊，劉偉亮，章泉源，魏文超，閔康磊，
申請(專利權)人：上海航天測控通信研究所，
類型：發明
國別省市：上海,31