基板結構及其制法制造技術

一種基板結構及其制法，該基板結構包括：具有多個端部凸出其表面的導電柱的基板本體、形成于該基板本體與該導電柱上且外露該導電柱端部的絕緣層、以及形成于該導電柱端部上的導電體，使該導電柱的凸出部分作為該基板結構的外接點，且各該導電柱之間于回焊時不會發生橋接的問題，因而得以縮小各該導電柱之間的間距。

Substrate structure and manufacturing method thereof

A substrate structure and manufacturing method thereof, including the substrate structure: substrate with conductive column body, a plurality of end protruding the surface of the conductive body at the end of the conductive column of the substrate body and the conductive columns and the insulating layer, and the exposed part is formed on the conductive column on the end of the project, part of the conductive column as the outer contact of the substrate structure, and between the conductive column does not reflow occurs when bridging problems, so as to narrow the distance between the conductive column.

【技術實現步驟摘要】
基板結構及其制法
本專利技術有關一種基板結構，尤指一種半導體基板結構及其制法。
技術介紹
隨著電子產業的蓬勃發展，電子產品也逐漸邁向多功能、高性能的趨勢。目前應用于芯片封裝領域的技術，例如芯片尺寸構裝(ChipScalePackage，簡稱CSP)、芯片直接貼附封裝(DirectChipAttached，簡稱DCA)或多芯片模組封裝(Multi－ChipModule，簡稱MCM)等覆晶型態的封裝模組。圖1為現有覆晶型態的半導體封裝件1的剖面示意圖。如圖1所示，提供一硅中介板(ThroughSiliconinterposer，簡稱TSI)10，該硅中介板10具有相對的置晶側10a與轉接側10b、及連通該置晶側10a與轉接側10b的多個導電硅穿孔(Through-siliconvia，簡稱TSV)100，且該轉接側10b上具有多個線路重布層(Redistributionlayer，簡稱RDL)101，以將間距較小的半導體芯片19的電極墊190通過多個焊錫凸塊102電性結合至該置晶側10a上，再以底膠192包覆該些焊錫凸塊102，且形成封裝膠體18于該硅中介板10上，以覆蓋該半導體芯片19，另于該線路重布層101上通過多個如焊錫球的導電元件103電性結合間距較大的封裝基板17的焊墊170，并以底膠172包覆該些導電元件103。然而，現有半導體封裝件1中，該硅中介板10的置晶側10a與轉接側10b均通過焊錫結構(即該焊錫凸塊102與該導電元件103)外接其它元件(即該半導體芯片19與該封裝基板17)，故當該焊錫結構經回焊后形成球體時，各球體之間的間距(pitch)若過小，則會造成橋接，而造成短路現象，致使該硅中介板10無法縮小該間距，導致該半導體封裝件1難以符合輕薄短小的需求，進而使電子產品無法達到微小化的目的。因此，如何克服上述現有技術的問題，實已成目前亟欲解決的課題。
技術實現思路
鑒于上述現有技術的種種缺點，本專利技術提供一種基板結構及其制法，可縮小各該導電柱之間的間距。本專利技術的基板結構，包括：基板本體，其具有相對的第一表面及第二表面，并于該基板本體中具有至少一連通該第一表面的導電柱，且該導電柱凸出該第二表面；絕緣層，其形成于該基板本體的第二表面與該導電柱上，且令該導電柱的部分面積外露出該絕緣層；以及導電體，其形成于外露出該絕緣層的該導電柱的部分面積上。前述的基板結構中，該絕緣層形成有開孔，以令該導電柱的部分面積外露于該開孔。例如，該開孔的孔徑小于該導電柱的端面寬度。前述的基板結構中，該導電柱凸出該絕緣層，以令該導電柱的端部外露于該絕緣層。本專利技術還提供一種基板結構的制法，包括：提供一具有相對的第一表面及第二表面的基板本體，其中，該基板本體中具有至少一連通該第一表面的導電柱，且該導電柱凸出該第二表面；形成絕緣層于該基板本體的第二表面與該導電柱上；于該絕緣層上形成開孔，以令該導電柱的部分面積外露于該開孔；以及形成導電凸塊于該開孔中，以令該導電凸塊電性連接該導電柱。前述的制法中，該開孔的孔徑小于該導電柱的端面寬度。本專利技術另提供一種基板結構的制法，包括：提供一具有相對的第一表面及第二表面的基板本體，其中，該基板本體中具有至少一連通該第一表面的導電柱，且該導電柱凸出該第二表面；形成絕緣層于該基板本體的第二表面與該導電柱上；移除該絕緣層的部分材質，使該導電柱凸出該絕緣層；以及形成導電層于該導電柱凸出該絕緣層的部分上，以令該導電層電性連接該導電柱。前述的基板結構及其制法中，該基板本體為半導體板體。前述的基板結構及其制法中，該基板本體的第一表面上形成有線路部。前述的基板結構及其制法中，該導電體為焊錫凸塊或焊錫層，即該導電凸塊為焊錫凸塊，且該導電層為焊錫層。由上可知，本專利技術的基板結構及其制法，主要通過該導電柱凸出該第二表面，以作為該基板結構的外接點，且各該導電柱之間于回焊時不會發生橋接的問題，因而得以縮小各該導電柱之間的間距，進而能縮小該基板結構的體積，以符合輕薄短小的需求。附圖說明圖1為現有半導體封裝件的剖面示意圖；圖2A至圖2E為本專利技術的基板結構的制法的第一實施例的剖面示意圖；以及圖3A至圖3E為本專利技術的基板結構的制法的第二實施例的剖面示意圖。符號說明1半導體封裝件10硅中介板10a置晶側10b轉接側100導電硅穿孔101,211線路重布層102焊錫凸塊103導電元件17封裝基板170焊墊172,192底膠18封裝膠體19半導體芯片190電極墊2,3基板結構20基板本體20a第一表面20b,20b’第二表面200導電柱200a端部201墊部21線路部210介電層22a第一絕緣層22b第二絕緣層220開孔23晶種層24導電凸塊24’焊球30阻層34導電層4電子裝置40接點9承載板91結合層D孔徑R端面寬度。具體實施方式以下通過特定的具體實施例說明本專利技術的實施方式，本領域技術人員可由本說明書所揭示的內容輕易地了解本專利技術的其他優點及功效。須知，本說明書所附圖所繪示的結構、比例、大小等，均僅用以配合說明書所揭示的內容，以供本領域技術人員的了解與閱讀，并非用以限定本專利技術可實施的限定條件，故不具技術上的實質意義，任何結構的修飾、比例關系的改變或大小的調整，在不影響本專利技術所能產生的功效及所能達成的目的下，均應仍落在本專利技術所揭示的
技術實現思路
得能涵蓋的范圍內。同時，本說明書中所引用的如“上”、“第一”、“第二”、及“一”等用語，也僅為便于敘述的明了，而非用以限定本專利技術可實施的范圍，其相對關系的改變或調整，在無實質變更
技術實現思路
下，當也視為本專利技術可實施的范疇。圖2A至圖2E為本專利技術的基板結構2的制法的第一實施例的剖面示意圖。如圖2A所示，提供一具有相對的第一表面20a及第二表面20b的基板本體20，并于該基板本體20中具有多個連通該第一表面20a的導電柱200。于本實施例中，該基板本體20為半導體板體，例如硅中介板(Siinterposer)型式。此外，該導電柱200以穿孔鍍銅制造方法制作以形成導電硅穿孔(Through-siliconvia，簡稱TSV)，且該基板本體20的第一表面20a具有電性連接各該導電柱200的一線路部21，該線路部21包含至少一介電層210、及至少一設于該介電層210上的重布線路層(redistributionlayer，簡稱RDL)211。又，該導電柱200具有一位于該第一表面20a的墊部201，以電性連接該重布線路層211。另外，該基板本體20以其線路部21結合至一承載板9的結合層91上。如圖2B所示，以蝕刻方式移除該基板本體20的第二表面20b的部分材質，使各該導電柱200的端部200a凸出該基板本體20的第二表面20b’。如圖2C所示，形成一第一絕緣層22a與一第二絕緣層22b于該基板本體20的第二表面20b’與該導電柱200上。接著，形成多個開孔220于該第一與第二絕緣層22a,22b上，以令各該導電柱200的端部200a對應外露于各該開孔220。于本實施例中，形成該第一絕緣層22a的材質為氮化硅或氧化硅，且形成該第二絕緣層22b的材質為四乙氧基硅烷(tetraethylorthosilicate，簡稱TEOS)。此外，該開孔220的孔徑D小于該導電柱200的端面寬度R。如圖2D所示，于該第二絕緣層22本文檔來自技高網...

【技術保護點】
一種基板結構，其特征為，該基板結構包括：基板本體，其具有相對的第一表面及第二表面，并于該基板本體中具有至少一連通該第一表面的導電柱，且該導電柱凸出該第二表面；絕緣層，其形成于該基板本體的第二表面與該導電柱上，且令該導電柱的部分面積外露出該絕緣層；以及導電體，其形成于外露出該絕緣層的該導電柱的部分面積上。

【技術特征摘要】
2015.11.25 TW 1041391151.一種基板結構，其特征為，該基板結構包括：基板本體，其具有相對的第一表面及第二表面，并于該基板本體中具有至少一連通該第一表面的導電柱，且該導電柱凸出該第二表面；絕緣層，其形成于該基板本體的第二表面與該導電柱上，且令該導電柱的部分面積外露出該絕緣層；以及導電體，其形成于外露出該絕緣層的該導電柱的部分面積上。2.如權利要求1所述的基板結構，其特征為，該基板本體為半導體板體。3.如權利要求1所述的基板結構，其特征為，該基板本體的第一表面上形成有線路部。4.如權利要求1所述的基板結構，其特征為，該導電體為焊錫凸塊或焊錫層。5.如權利要求1所述的基板結構，其特征為，該絕緣層形成有開孔，以令該導電柱的部分面積外露于該開孔。6.如權利要求5所述的基板結構，其特征為，該開孔的孔徑小于該導電柱的端面寬度。7.如權利要求1所述的基板結構，其特征為，該導電柱凸出該絕緣層，以令該導電柱的端部外露于該絕緣層。8.一種基板結構的制法，其特征為，該制法包括：提供一具有相對的第一表面及第二表面的基板本體，其中，該基板本體中具有至少一連通該第一表面的導電柱，且該導電柱凸出該第二表面...

【專利技術屬性】
技術研發人員：王信智，蔣靜雯，黃曉君，
申請(專利權)人：矽品精密工業股份有限公司，
類型：發明
國別省市：中國臺灣,71