一種全彩QLED顯示器件及其制作方法技術

本發明專利技術提供一種全彩QLED顯示器件及其制作方法，該全彩QLED顯示器件包括基板及在所述基板上依次設置的陽極層、空穴傳輸層、發光層、電子傳輸層、陰極層與彩膜層，所述彩膜層上設有透明蓋板；其中，所述發光層的制作材料為綠光量子點發光材料，所述彩膜層包括間隔設置的多個光提取層，及設置于多個所述光提取層之間的紅色像素層與藍色像素層。本發明專利技術不僅能有效地解決藍光量子點發光材料壽命較短的問題，實現超寬色域顯示，而且其光提取層可以大大提高綠光QLED的出光率，進而提高綠光QLED的發光效率。

Full color QLED display device and manufacturing method thereof

The invention provides a full-color QLED display device and its manufacturing method, the full-color QLED display device includes a substrate and are arranged on the substrate anode layer, a hole transport layer, a light emitting layer, an electron transport layer, a cathode layer and color film, the color film is provided with a transparent cover plate; wherein, the light emitting material layer of luminescent material for green quantum dots, the colorful film layer includes a plurality of spaced light extraction layer, and is arranged between the plurality of light extraction layer red pixel layer and blue pixel layer. The invention not only can effectively solve the problem of blue light-emitting quantum dots material short life problems, to achieve ultra wide color gamut display, and the light extraction layer can greatly improve the green QLED light output rate, so as to improve the luminous efficiency of green QLED.

【技術實現步驟摘要】
一種全彩QLED顯示器件及其制作方法
本專利技術涉及平板顯示
，特別涉及一種全彩QLED顯示器件及其制作方法。
技術介紹
量子點(QuantumDots)是一些肉眼無法看到的、極其微小的半導體納米晶體，是一種粒徑不足10納米的顆粒。通常說來，量子點是由鋅、鎘、硒和硫原子組合而成。量子點有一個與眾不同的特性，即每當受到光或電的刺激，量子點便會發出有色光線，光線的顏色由量子點的組成材料和大小形狀決定，這一特性使得量子點能夠改變光源發出的光線顏色。有機發光二極管(OLED)是新一代LED的研究熱點，然而其在封裝技術及使用壽命上都存在著無法避免的問題。量子點作為新型的發光材料，具有光色純度高、發光量子效率高、發光顏色可調、使用壽命長等優點，成為目前新型LED發光材料的研究熱點。因此，以量子點發光材料作為發光層的量子點發光二極管(QLED)成為了目前新型LED研究的主要方向，并在照明以及平板顯示領域具有廣闊的應用前景。量子點發光二極管(QLED)因具有色域廣、色純度高、低功耗、低成本、穩定性好，被譽為繼OLED之后新一代照明顯示技術。目前制備白光QLED采用兩種方法：1)由紅綠藍量子點發光材料通過電致發光組合形成白光；2)采用藍光的QLED搭配紅色量子點光致發光區和綠色量子點光致發光區組成。由于藍光量子點發光材料的發光效率較低，因此高效的藍光量子點發光材料成為制約QLED顯示器發展的瓶頸。
技術實現思路
本專利技術的目的在于提供一種全彩QLED顯示器件及其制作方法，以解決現有技術中，采用藍光的QLED搭配紅色量子點光致發光區和綠色量子點光致發光區組成的QLED顯示器件，由于藍光量子點發光材料的發光效率較低，因此高效的藍光量子點發光材料成為制約QLED顯示器發展的瓶頸的問題。本專利技術的技術方案如下：一種全彩QLED顯示器件，包括基板及在所述基板上依次層疊設置的陽極層、空穴傳輸層、發光層、電子傳輸層、陰極層與彩膜層，及設在所述彩膜層上的透明蓋板；其中，所述發光層的制作材料為綠光量子點發光材料，所述彩膜層包括間隔設置的多個光提取層，及設置于多個所述光提取層之間的紅色像素層與藍色像素層。優選地，每個所述光提取層兩邊分別為所述紅色像素層與所述藍色像素層。優選地，所述紅色像素層的制作材料為光致發光的紅色量子點發光材料。優選地，所述藍色像素層的制作材料為光致發光的藍色上轉換發光材料。優選地，所述發光層的發光波長在所述藍色上轉換發光材料的吸收波長范圍之內。優選地，所述紅色像素層與所述藍色像素層均通過噴墨打印的方式填充在多個所述光提取層之間。優選地，所述光提取層的制作材料為二氧化鈦。一種全彩QLED顯示器件的制作方法，包括以下步驟：在基板上依次層疊形成陽極層、空穴傳輸層、發光層、電子傳輸層、陰極層；在透明蓋板上形成一層光提取層；在所述光提取層上形成多個間隔的像素凹槽；在多個所述像素凹槽內分別形成紅色像素層與藍色像素層，所述光提取層、所述紅色像素層與所述藍色像素層共同形成彩膜層；將所述彩膜層與所述陰極層對組壓合，形成所述全彩QLED顯示器件。優選地，在多個所述像素凹槽內分別形成紅色像素層與藍色像素層，具體包括：將藍色上轉換發光材料與紅光量子點發光材料，分別通過噴墨打印的方式填充到與其對應的所述像素凹槽內，以形成所述藍色像素層與所述紅色像素層。優選地，所述彩膜層與所述陰極層通過框膠進行對組壓合，形成所述全彩QLED顯示器件。本專利技術的有益效果：本專利技術的一種全彩QLED顯示器件及其制作方法，通過使用綠光量子點發光材料作為發光層，并在彩膜層上間隔設置多個光提取層，在多個光提取層之間設置藍色像素層和綠色像素層，有效地解決藍光量子點發光材料壽命較短的問題，實現超寬色域顯示，而且其光提取層可以大大提高綠光QLED的出光率，進而提高綠光QLED的發光效率。【附圖說明】圖1為本專利技術實施例的一種全彩QLED顯示器件的制作方法的第一步驟形成的綠光QLED的整體結構示意圖；圖2為本專利技術實施例的一種全彩QLED顯示器件的制作方法的第二步驟中在透明蓋板上形成的光提取層結構示意圖；圖3為本專利技術實施例的一種全彩QLED顯示器件的制作方法的第三步驟中在光提取層上形成的多個像素凹槽的結構示意圖；圖4為本專利技術實施例的一種全彩QLED顯示器件的制作方法的第四步驟中在多個像素凹槽上形成的藍色像素層與紅色像素層的結構示意圖；圖5為本專利技術實施例的一種全彩QLED顯示器件的制作方法的第五步驟中形成的全彩QLED顯示器件的整體結構示意圖，或為本專利技術實施例的一種全彩QLED顯示器件的整體結構示意圖；圖6為現有技術的一種全彩QLED顯示器件的整體結構示意圖；圖7為現有技術的另一種全彩QLED顯示器件的整體結構示意圖；圖8為本專利技術實施例的一種全彩QLED顯示器件的制作方法的實施步驟流程圖。【具體實施方式】以下各實施例的說明是參考附加的圖式，用以例示本專利技術可用以實施的特定實施例。本專利技術所提到的方向用語，例如「上」、「下」、「前」、「后」、「左」、「右」、「內」、「外」、「側面」等，僅是參考附加圖式的方向。因此，使用的方向用語是用以說明及理解本專利技術，而非用以限制本專利技術。在圖中，結構相似的單元是以相同標號表示。實施例一請參考圖5，圖5為本實施例的一種全彩QLED顯示器件的整體結構示意圖，從圖5可以看到：本專利技術的一種全彩QLED顯示器件，包括基板1及在所述基板1上依次層疊設置的陽極層2、空穴傳輸層3、發光層4、電子傳輸層5、陰極層6與彩膜層7，及設在所述彩膜層7上的透明蓋板8。其中，所述發光層4的制作材料為綠光量子點發光材料，所述彩膜層7包括間隔設置的多個光提取層72，及設置于多個所述光提取層72之間的紅色像素層73與藍色像素層71。在本實施例中，每個所述光提取層72兩邊分別為所述紅色像素層73與所述藍色像素層71。在本實施例中，所述紅色像素層73的制作材料為光致發光的紅色量子點發光材料。紅色量子點發光材料為光致材料，發光層4發射的光線可以使其產生綠光。在本實施例中，所述藍色像素層71的制作材料為光致發光的藍色上轉換發光材料。在本實施例中，所述發光層4的發光波長在所述藍色上轉換發光材料的吸收波長范圍之內，這就保證了發光層4發射的光線能夠激發所述藍色上轉換發光材料，使其產生藍光。在本實施例中，所述紅色像素層73與所述藍色像素層71均通過噴墨打印的方式填充在多個所述光提取層72之間。在本實施例中，所述光提取層72的制作材料為二氧化鈦，二氧化鈦材料可以大大提高綠光的出光率。請參考圖6和圖7，圖6為現有技術的一種全彩QLED顯示器件的整體結構示意圖，圖7為現有技術的另一種全彩QLED顯示器件的整體結構示意圖。從圖6可以看到，現有技術的一種全彩QLED顯示器件，其包括基板11和在該基板11上依次層疊的陽極層12、空穴傳輸層13、發光層14、電子傳輸層18、陰極層19和透明蓋板20，其中發光層14是由紅光量子點發光材料構成的紅色像素層15、綠光量子點發光材料構成的綠色像素層16和藍光量子點發光材料構成的藍色像素層17順序組合而成，它們通過電致發光的方式共同形成白光。從圖7可以看到，現有技術的另一種全彩QLED顯示器件，其包括基板21和在該基板21上依次層疊的陽極層22、空穴傳輸層23、發本文檔來自技高網...

【技術保護點】
一種全彩QLED顯示器件，其特征在于，包括基板及在所述基板上依次層疊設置的陽極層、空穴傳輸層、發光層、電子傳輸層、陰極層與彩膜層，及設在所述彩膜層上的透明蓋板；其中，所述發光層的制作材料為綠光量子點發光材料，所述彩膜層包括間隔設置的多個光提取層，及設置于多個所述光提取層之間的紅色像素層與藍色像素層。

【技術特征摘要】
1.一種全彩QLED顯示器件，其特征在于，包括基板及在所述基板上依次層疊設置的陽極層、空穴傳輸層、發光層、電子傳輸層、陰極層與彩膜層，及設在所述彩膜層上的透明蓋板；其中，所述發光層的制作材料為綠光量子點發光材料，所述彩膜層包括間隔設置的多個光提取層，及設置于多個所述光提取層之間的紅色像素層與藍色像素層。2.根據權利要求1所述的全彩QLED顯示器件，其特征在于，每個所述光提取層兩邊分別為所述紅色像素層與所述藍色像素層。3.根據權利要求1所述的全彩QLED顯示器件，其特征在于，所述紅色像素層的制作材料為光致發光的紅色量子點發光材料。4.根據權利要求1所述的全彩QLED顯示器件，其特征在于，所述藍色像素層的制作材料為光致發光的藍色上轉換發光材料。5.根據權利要求4所述的全彩QLED顯示器件，其特征在于，所述發光層的發光波長在所述藍色上轉換發光材料的吸收波長范圍之內。6.根據權利要求1所述的全彩QLED顯示器件，其特征在于，所述紅色像素層與所述藍色像素層均通過噴墨打...

【專利技術屬性】
技術研發人員：徐超，
申請(專利權)人：武漢華星光電技術有限公司，
類型：發明
國別省市：湖北,42