一種微型無(wú)基板封裝的三基色LED及其封裝方法技術(shù)

本發(fā)明專利技術(shù)公開了一種微型無(wú)基板封裝的三基色LED及其封裝方法，該無(wú)基板封裝的三基色LED包括三基色LED芯片、一次塑封層、導(dǎo)電球、二次塑封層，該無(wú)基板封裝的三基色LED是經(jīng)芯片排布、植放導(dǎo)電球、一次塑封、二次塑封、打磨、清洗烘干、分離、測(cè)試包裝而制得，所制得的三基色LED芯片之間有不透光的一次塑封層遮擋，不形成光干擾，而三基色LED芯片電極植導(dǎo)電球，在二次塑封完成后再打磨，完全消除三基色LED芯片的厚度與固晶平整度差異，避免了后續(xù)LED器件在SMT時(shí)因三個(gè)芯片厚度差異造成虛焊，提高了平面度的焊接容差性，同時(shí)，由于無(wú)基板封裝，避免了LED芯片與基板之間的虛焊等不良問題，大大提高LED器件的使用可靠性。

Three primary color LED with miniature substrate free package and packaging method thereof

The invention discloses a micro package substrate three color LED and its packaging method, the package substrate including three color three color LED LED chip, a conductive plastic seal, ball, two plastic seal, the package substrate LED three primary colors is obtained by placing the conductive chip arrangement ball, a plastic, two plastic, grinding, cleaning and drying, separating, testing packaging, there is a layer of opaque plastic block between the three color LED chip prepared, not the formation of light interference, and the three color LED chip electrode conductive ball grinding plant, again in the two plastic finished completely the elimination of three color LED chip thickness and solid crystal roughness differences, to avoid the subsequent LED device for the three chip thickness difference caused by weld in SMT welding, improve the flatness tolerance, at the same time, because there is no substrate package, to avoid LED Between the chip and substrate weld problems, greatly improving the reliability of LED devices.

【技術(shù)實(shí)現(xiàn)步驟摘要】
一種微型無(wú)基板封裝的三基色LED及其封裝方法
本專利技術(shù)涉及微型LED器件封裝，尤其涉及一種微型無(wú)基板封裝的三基色LED及其封裝方法。
技術(shù)介紹
傳統(tǒng)三基色LED器件封裝，基于基板為載體，再將三基色LED芯片裝載于基板上，然后進(jìn)行固晶、鍵和，再模壓封裝、切割成型，由于三基色LED芯片裝載于基板上，易出現(xiàn)LED芯片與基板之間虛焊等不良問題，同時(shí)，長(zhǎng)時(shí)間使用時(shí)易出現(xiàn)LED芯片與基板之間應(yīng)力失效問題。鑒于上述缺陷，實(shí)有必要設(shè)計(jì)一種微型無(wú)基板封裝的三基色LED及其封裝方法。
技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路
本專利技術(shù)所要解決的技術(shù)問題在于：提供一種微型無(wú)基板封裝的三基色LED及其封裝方法，來解決三基色LED芯片與基板之間虛焊及應(yīng)力失效的問題。為解決上述技術(shù)問題，本專利技術(shù)的技術(shù)方案是：一種微型無(wú)基板封裝的三基色LED，包括三基色LED芯片、一次塑封層、導(dǎo)電球、二次塑封層，所述的一次塑封層位于三基色LED芯片四周及頂部，所述的一次塑封層與三基色LED芯片固連，所述的導(dǎo)電球位于設(shè)置在三基色LED芯片頂部的電極頂部，所述的導(dǎo)電球與電極焊接相連且與一次塑封層固連，所述的二次塑封層位于三基色LED芯片底部，所述的二次塑封層與三基色LED芯片固連。一種微型無(wú)基板封裝的三基色LED的封裝方法，其特征在于該方法包括以下步驟：1)芯片排布：將單個(gè)R、G、B三基色LED芯片作為獨(dú)立單元進(jìn)行陣列并平放在設(shè)有粘接固定膜的平面載板上，所述的三基色LED芯片非電極所在面與平面載板貼合，所述的平面載板平面度≤0.005mm，所述的獨(dú)立單元內(nèi)R、G、B三基色LED芯片呈品字排列；2)植放導(dǎo)電球：將已經(jīng)排布好的三基色LED芯片的電極上植放導(dǎo)電球，所述的導(dǎo)電球用于導(dǎo)電，所述的導(dǎo)電球厚度為0.005mm-0.08mm；3)一次塑封：采用模封工藝對(duì)已植放導(dǎo)電球的三基色LED芯片頂面及側(cè)面進(jìn)行一次塑封制得的一次塑封芯片板，所述的一次塑封材料為耐溫不小于200℃的不透光塑封料；4)二次塑封：先將平面載板與步驟3)制得的一次塑封芯片板分離，再將分離后的一次塑封芯片板的底面采用模封工藝進(jìn)行二次塑封制得二次塑封芯片板，所述的塑封材料透光塑封料；5)打磨：使用打磨機(jī)對(duì)步驟4)制得的二次塑封芯片板頂面進(jìn)行打磨，打磨至露出三基色LED芯片電極上的導(dǎo)電球截面的1/2-2/3；6)清洗烘干：先使用超聲波清洗機(jī)對(duì)打磨后的二次塑封芯片板進(jìn)行清洗，再使用烘箱對(duì)清洗后的二次塑封芯片板進(jìn)行烘干，所述的烘干溫度為50℃-80℃,烘烤時(shí)間為10min-30min；7)分離：先將步驟6)處理后的二次塑封芯片板底面貼上一層粘接固定膜，再使用切割機(jī)將二次塑封芯片板上的的各個(gè)獨(dú)立單元相互分離，最后將所述的各個(gè)獨(dú)立單元從粘接固定膜上玻璃，從而制得無(wú)基板三基色LED半成品，所述的切割機(jī)不切斷粘接固定膜；8)測(cè)試包裝：對(duì)步驟7)制得的無(wú)基板三基色LED半成品進(jìn)行光電參數(shù)測(cè)試，測(cè)試合格后進(jìn)行包裝制得無(wú)基板三基色LED成品。本專利技術(shù)進(jìn)一步的改進(jìn)如下：進(jìn)一步的，所述的三基色LED芯片為透明襯底的雙電極LED芯片和倒裝LED芯片中的任意一種。有效效果：本專利技術(shù)通過對(duì)三基色LED芯片以載板為單位模塊的方式進(jìn)行后續(xù)工藝，使后續(xù)封裝生產(chǎn)工藝更簡(jiǎn)單，所形成的三基色LED芯片之間有不透光的一次塑封層遮擋，不形成光干擾，而三基色LED芯片電極植導(dǎo)電球，在二次塑封完成后再打磨，完全消除三基色LED芯片的厚度與固晶平整度差異，避免了后續(xù)LED器件在SMT時(shí)因三個(gè)芯片厚度差異造成虛焊，提高了平面度的焊接容差性，同時(shí)，由于無(wú)基板封裝，所以也不存在LED芯片與基板之間的虛焊等不良問題，大大提高LED器件的使用可靠性，本專利技術(shù)的三基色LED封裝尺寸無(wú)局限，可以隨著三基色LED芯片的切割尺寸的微型化發(fā)展與貼裝設(shè)備的貼裝精度提升而同步的微型化。附圖說明圖1示出本專利技術(shù)無(wú)基板三基色LED結(jié)構(gòu)示意圖圖2示出本專利技術(shù)流程圖三基色LED芯片1一次塑封層2導(dǎo)電球3二次塑封層4電極101具體實(shí)施方式實(shí)施例1如圖1、圖2所示，本專利技術(shù)的技術(shù)方案是：一種微型無(wú)基板封裝的三基色LED，包括三基色LED芯片1、一次塑封層2、導(dǎo)電球3、二次塑封層4，所述的一次塑封層2位于三基色LED芯片1四周及頂部，所述的一次塑封層2與三基色LED芯片1固連，所述的導(dǎo)電球3位于設(shè)置在三基色LED芯片1頂部的電極101頂部，所述的導(dǎo)電球3與電極101焊接相連且與一次塑封層2固連，所述的二次塑封層4位于三基色LED芯片1底部，所述的二次塑封層4與三基色LED芯片1固連，所述的三基色LED芯片為透明襯底的雙電極LED芯片和倒裝LED芯片中的任意一種。一種微型無(wú)基板封裝的三基色LED的封裝方法，其特征在于該方法包括以下步驟：1)芯片排布：將單個(gè)R、G、B三基色LED芯片作為獨(dú)立單元進(jìn)行陣列并平放在設(shè)有粘接固定膜的平面載板上，所述的三基色LED芯片非電極所在面與平面載板貼合，所述的平面載板平面度≤0.005mm，所述的獨(dú)立單元內(nèi)R、G、B三基色LED芯片呈品字排列；2)植放導(dǎo)電球：將已經(jīng)排布好的三基色LED芯片的電極上植放導(dǎo)電球，所述的導(dǎo)電球用于導(dǎo)電，所述的導(dǎo)電球厚度為0.08mm；3)一次塑封：采用模封工藝對(duì)已植放導(dǎo)電球的三基色LED芯片頂面及側(cè)面進(jìn)行一次塑封制得的一次塑封芯片板，所述的一次塑封材料為耐溫不小于200℃的不透光塑封料；4)二次塑封：先將平面載板與步驟3)制得的一次塑封芯片板分離，再將分離后的一次塑封芯片板的底面采用模封工藝進(jìn)行二次塑封制得二次塑封芯片板，所述的塑封材料透光塑封料；5)打磨：使用打磨機(jī)對(duì)步驟4)制得的二次塑封芯片板頂面進(jìn)行打磨，打磨至露出三基色LED芯片電極上的導(dǎo)電球截面的2/3；6)清洗烘干：先使用超聲波清洗機(jī)對(duì)打磨后的二次塑封芯片板進(jìn)行清洗，再使用烘箱對(duì)清洗后的二次塑封芯片板進(jìn)行烘干，所述的烘干溫度為-80℃,烘烤時(shí)間為30min；7)分離：先將步驟6)處理后的二次塑封芯片板底面貼上一層粘接固定膜，再使用切割機(jī)將二次塑封芯片板上的的各個(gè)獨(dú)立單元相互分離，最后將所述的各個(gè)獨(dú)立單元從粘接固定膜上玻璃，從而制得無(wú)基板三基色LED半成品，所述的切割機(jī)不切斷粘接固定膜；8)測(cè)試包裝：對(duì)步驟7)制得的無(wú)基板三基色LED半成品進(jìn)行光電參數(shù)測(cè)試，測(cè)試合格后進(jìn)行包裝制得無(wú)基板三基色LED成品。實(shí)施例2如圖1、圖2所示，本專利技術(shù)的技術(shù)方案是：一種微型無(wú)基板封裝的三基色LED，包括三基色LED芯片1、一次塑封層2、導(dǎo)電球3、二次塑封層4，所述的一次塑封層2位于三基色LED芯片1四周及頂部，所述的一次塑封層2與三基色LED芯片1固連，所述的導(dǎo)電球3位于設(shè)置在三基色LED芯片1頂部的電極101頂部，所述的導(dǎo)電球3與電極101焊接相連且與一次塑封層2固連，所述的二次塑封層4位于三基色LED芯片1底部，所述的二次塑封層4與三基色LED芯片1固連，所述的三基色LED芯片為透明襯底的雙電極LED芯片和倒裝LED芯片中的任意一種。一種微型無(wú)基板封裝的三基色LED的封裝方法，其特征在于該方法包括以下步驟：1)芯片排布：將單個(gè)R、G、B三基色LED芯片作為獨(dú)立單元進(jìn)行陣列并平放在設(shè)有粘接固定膜的平面載板上，所述的三基色LED芯片非電極所在面與平面載板貼合，所述的平面載板平面度≤0.005mm，所述的獨(dú)立單元內(nèi)R、G本文檔來自技高網(wǎng)...

【技術(shù)保護(hù)點(diǎn)】
一種微型無(wú)基板封裝的三基色LED，其特征在于包括三基色LED芯片、一次塑封層、導(dǎo)電球、二次塑封層，所述的一次塑封層位于三基色LED芯片四周及頂部，所述的一次塑封層與三基色LED芯片固連，所述的導(dǎo)電球位于設(shè)置在三基色LED芯片頂部的電極頂部，所述的導(dǎo)電球與電極焊接相連且與一次塑封層固連，所述的二次塑封層位于三基色LED芯片底部，所述的二次塑封層與三基色LED芯片固連。

【技術(shù)特征摘要】
1.一種微型無(wú)基板封裝的三基色LED，其特征在于包括三基色LED芯片、一次塑封層、導(dǎo)電球、二次塑封層，所述的一次塑封層位于三基色LED芯片四周及頂部，所述的一次塑封層與三基色LED芯片固連，所述的導(dǎo)電球位于設(shè)置在三基色LED芯片頂部的電極頂部，所述的導(dǎo)電球與電極焊接相連且與一次塑封層固連，所述的二次塑封層位于三基色LED芯片底部，所述的二次塑封層與三基色LED芯片固連。2.一種微型無(wú)基板封裝的三基色LED的封裝方法，其特征在于該方法包括以下步驟：1)芯片排布：將單個(gè)R、G、B三基色LED芯片作為獨(dú)立單元進(jìn)行陣列并平放在設(shè)有粘接固定膜的平面載板上，所述的三基色LED芯片非電極所在面與平面載板貼合，所述的平面載板平面度≤0.005mm，所述的獨(dú)立單元內(nèi)R、G、B三基色LED芯片呈品字排列；2)植放導(dǎo)電球：將已經(jīng)排布好的三基色LED芯片的電極上植放導(dǎo)電球，所述的導(dǎo)電球用于導(dǎo)電，所述的導(dǎo)電球厚度為0.005mm-0.08mm；3)一次塑封：采用模封工藝對(duì)已植放導(dǎo)電球的三基色LED芯片頂面及側(cè)面進(jìn)行一次塑封制得的一次塑封芯片板，所述的一次塑封材料為耐溫不小于200℃的...

【專利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員：馬洪毅，
申請(qǐng)(專利權(quán))人：安徽巨合電子科技有限公司，
類型：發(fā)明
國(guó)別省市：安徽,34