一種恒流狀態(tài)下谷底開通控制電路制造技術

本發(fā)明專利技術涉及開關控制技術領域，尤其涉及一種恒流狀態(tài)下谷底開通控制電路，包括：采樣電路、谷底檢測電路、副邊消磁時間檢測電路、原邊開關開啟時間檢測電路、CV控制電路、運算器、第一開關控制電路、基準電壓電路、第二開關控制電路、積分器、比較器、第三開關控制電路、采樣電阻、MOS管、原邊電感、副邊電感、二極管和第一電容；本發(fā)明專利技術的一種恒流狀態(tài)下谷底開通控制電路是系統(tǒng)工作在恒流時，使得AC?DC開關電源始終工作在第一個谷底時開通，在恒壓工作狀態(tài)時，始終在谷底開啟功率MOS管，大大降低系統(tǒng)的輻射，與一般的谷底開通電路相比，系統(tǒng)效率可以提高2個百分點。

【技術實現步驟摘要】
一種恒流狀態(tài)下谷底開通控制電路
本專利技術涉及開關控制
，尤其涉及一種恒流狀態(tài)下谷底開通控制電路。
技術介紹
一般AC-DC開關電源系統(tǒng)中，為了提高效率及減小系統(tǒng)的輻射干擾，都會采用開關谷底導通模式，但是開關電源存在兩種工作模式，一種是恒壓工作模式，就是輸出電壓恒定，另一種就是恒流工作模式，此時的輸出電壓是低于恒壓輸出時的電壓；現在的開關電源全部是恒壓谷底開通，并且均不是第一個谷底開通，而恒流工作模式采用的是消磁時間與周期固定比例的方式，一般采用1：1，完全沒有谷底開通，如果采用恒流工作模式實現谷底開通，在恒流結構上面必須有突破性創(chuàng)新，現在有結構實現恒流谷底開通，但是線路結構過于復雜，芯片成本過高，總體性價比較低。
技術實現思路
本專利技術所要解決的技術問題是：提供一種恒流狀態(tài)下谷底開通控制電路。為了解決上述技術問題，本專利技術采用的技術方案為：一種恒流狀態(tài)下谷底開通控制電路，包括：采樣電路、谷底檢測電路、副邊消磁時間檢測電路、原邊開關開啟時間檢測電路、CV控制電路、運算器、第一開關控制電路、基準電壓電路、第二開關控制電路、積分器、比較器、第三開關控制電路、采樣電阻、MOS管、原邊電感、副邊電感、二極管和第一電容；所述谷底檢測電路、副邊消磁時間檢測電路、原邊開關開啟時間檢測電路和CV控制電路分別與采樣電路連接；所述谷底檢測電路與第三開關控制電路連接；所述副邊消磁時間檢測電路、原邊開關開啟時間檢測電路和CV控制電路分別與運算器連接；所述第一開關控制電路和第二開關控制電路分別與運算器連接；所述基準電壓電路與第一開關控制電路連接；所述第二開關控制電路接地；所述比較器包括正極輸入端、負極輸入端和輸出端；所述第一開關控制電路和第二開關控制電路分別與積分器的輸入端連接；所述積分器的輸出端與所述比較器的正極輸入端連接；所述比較器的輸出端通過第三開關控制電路與MOS管連接；所述MOS管通過采樣電阻接地；所述MOS管與所述比較器的負極輸入端連接；所述MOS管與原邊電感連接；所述副邊電感的一端與二極管的正極連接；所述二極管的負極與第一電容的一端連接；所述第一電容的另一端與所述副邊電感的另一端連接。本專利技術的有益效果在于：本專利技術提供的恒流狀態(tài)下谷底開通控制電路是系統(tǒng)工作在恒流時，使得AC-DC開關電源始終工作在第一個谷底時開通，在恒壓工作狀態(tài)時，始終在谷底開啟功率管，大大降低系統(tǒng)的輻射。由于恒流采用第一谷底導通，副邊消磁占空比大于之前的1：1，在高線電壓工作時，副邊消磁占空比可以達到10：1，在同樣輸出電流情況下，峰值電流可以減小10倍，如此在副邊續(xù)流二極管上面的消耗及寄生電阻的消耗大大減小，另外原邊電流也減小為原來的十分之一，在采樣電阻上面的消耗變?yōu)樵瓉淼氖种唬C合下來減小系統(tǒng)損耗在0.3W以上，與一般的谷底開通電路相比，系統(tǒng)效率可以提高2個百分點。本專利技術提供的恒流狀態(tài)下谷底開通控制電路采用消磁時間與聚磁時間決定原邊峰值電流的邏輯架構，實現峰值電流可變，消磁占空比可變，第一谷底開通，恒流模式工作在BCM，大大提高了系統(tǒng)效率，在原芯片成本的基礎上面實現恒流模式下的第一谷底導通。附圖說明圖1為本專利技術的恒流狀態(tài)下谷底開通控制電路的電路連接圖。具體實施方式為詳細說明本專利技術的
技術實現思路
、所實現目的及效果，以下結合實施方式并配合附圖予以說明。本專利技術最關鍵的構思在于：系統(tǒng)工作在恒流時，使得AC-DC開關電源始終工作在第一個谷底時開通，大大降低系統(tǒng)的輻射，提高系統(tǒng)效率。請參照圖1，本專利技術提供的一種恒流狀態(tài)下谷底開通控制電路，包括：采樣電路、谷底檢測電路、副邊消磁時間檢測電路、原邊開關開啟時間檢測電路、CV控制電路、運算器、第一開關控制電路、基準電壓電路、第二開關控制電路、積分器、比較器、第三開關控制電路、采樣電阻、MOS管、原邊電感、副邊電感、二極管和第一電容；所述谷底檢測電路、副邊消磁時間檢測電路、原邊開關開啟時間檢測電路和CV控制電路分別與采樣電路連接；所述谷底檢測電路與第三開關控制電路連接；所述副邊消磁時間檢測電路、原邊開關開啟時間檢測電路和CV控制電路分別與運算器連接；所述第一開關控制電路和第二開關控制電路分別與運算器連接；所述基準電壓電路與第一開關控制電路連接；所述第二開關控制電路接地；所述比較器包括正極輸入端、負極輸入端和輸出端；所述第一開關控制電路和第二開關控制電路分別與積分器的輸入端連接；所述積分器的輸出端與所述比較器的正極輸入端連接；所述比較器的輸出端通過第三開關控制電路與MOS管連接；所述MOS管通過采樣電阻接地；所述MOS管與所述比較器的負極輸入端連接；所述MOS管與原邊電感連接；所述副邊電感的一端與二極管的正極連接；所述二極管的負極與第一電容的一端連接；所述第一電容的另一端與所述副邊電感的另一端連接。從上述描述可知，本專利技術的有益效果在于：本專利技術提供的恒流狀態(tài)下谷底開通控制電路是系統(tǒng)工作在恒流時，使得AC-DC開關電源始終工作在第一個谷底時開通，在恒壓工作狀態(tài)時，始終在谷底開啟功率管，大大降低系統(tǒng)的輻射。由于恒流采用第一谷底導通，副邊消磁占空比大于之前的1：1，在高線電壓工作時，副邊消磁占空比可以達到10：1，在同樣輸出電流情況下，峰值電流可以減小10倍，如此在副邊續(xù)流二極管上面的消耗及寄生電阻的消耗大大減小，另外原邊電流也減小為原來的十分之一，在采樣電阻上面的消耗變?yōu)樵瓉淼氖种唬C合下來減小系統(tǒng)損耗在0.3W以上，與一般的谷底開通電路相比，系統(tǒng)效率可以提高2個百分點。本專利技術提供的恒流狀態(tài)下谷底開通控制電路采用消磁時間與聚磁時間決定原邊峰值電流的邏輯架構，實現峰值電流可變，消磁占空比可變，第一谷底開通，恒流模式工作在BCM，大大提高了系統(tǒng)效率，在原芯片成本的基礎上面實現恒流模式下的第一谷底導通。進一步的，所述采樣電路包括輔助繞組、第一電阻和第二電阻；所述輔助繞組的一端通過第一電阻分別與谷底檢測電路、副邊消磁時間檢測電路、原邊開關開啟時間檢測電路和CV控制電路連接；所述輔助繞組的另一端通過第二電阻分別與谷底檢測電路、副邊消磁時間檢測電路、原邊開關開啟時間檢測電路和CV控制電路連接；所述輔助繞組的另一端接地。進一步的，所述MOS管包括柵極、源極和漏極；所述MOS管的柵極與第三開關控制電路連接；所述MOS管的源極與比較器的負極輸入端連接；所述MOS管的漏極與原邊電感連接。進一步的，所述積分器包括第三電阻和第二電容；所述第一開關控制電路和第二開關控制電路分別與所述第三電阻的一端連接；所述第三電阻的另一端通過第一電容接地；所述第三電阻的另一端與所述比較器的正極輸入端連接。請參照圖1，本專利技術的實施例一為：本專利技術提供的一種恒流狀態(tài)下谷底開通控制電路，包括：采樣電路、谷底檢測電路、副邊消磁時間檢測電路、原邊開關開啟時間檢測電路、CV控制電路、運算器、第一開關控制電路、基準電壓電路、第二開關控制電路、積分器、比較器CMP、第三開關控制電路、采樣電阻Rcs、MOS管N1、原邊電感Lp、副邊電感Ls、二極管DIODE和第一電容Cout；所述谷底檢測電路、副邊消磁時間檢測電路、原邊開關開啟時間檢測電路和CV控制電路分別與采樣電路電連接；所述副邊消磁時間檢測電路、原邊開關開啟時間檢測電路和CV控制電路分別與運算器連接；其中所述谷底檢本文檔來自技高網...

【技術保護點】
一種恒流狀態(tài)下谷底開通控制電路，其特征在于，包括：采樣電路、谷底檢測電路、副邊消磁時間檢測電路、原邊開關開啟時間檢測電路、CV控制電路、運算器、第一開關控制電路、基準電壓電路、第二開關控制電路、積分器、比較器、第三開關控制電路、采樣電阻、MOS管、原邊電感、副邊電感、二極管和第一電容；所述谷底檢測電路、副邊消磁時間檢測電路、原邊開關開啟時間檢測電路和CV控制電路分別與采樣電路連接；所述谷底檢測電路與第三開關控制電路連接；所述副邊消磁時間檢測電路、原邊開關開啟時間檢測電路和CV控制電路分別與運算器連接；所述第一開關控制電路和第二開關控制電路分別與運算器連接；所述基準電壓電路與第一開關控制電路連接；所述第二開關控制電路接地；所述比較器包括正極輸入端、負極輸入端和輸出端；所述第一開關控制電路和第二開關控制電路分別與積分器的輸入端連接；所述積分器的輸出端與所述比較器的正極輸入端連接；所述比較器的輸出端通過第三開關控制電路與MOS管連接；所述MOS管通過采樣電阻接地；所述MOS管與所述比較器的負極輸入端連接；所述MOS管與原邊電感連接；所述副邊電感的一端與二極管的正極連接；所述二極管的負極與第一電容的一端連接；所述第一電容的另一端與所述副邊電感的另一端連接。...

【技術特征摘要】
1.一種恒流狀態(tài)下谷底開通控制電路，其特征在于，包括：采樣電路、谷底檢測電路、副邊消磁時間檢測電路、原邊開關開啟時間檢測電路、CV控制電路、運算器、第一開關控制電路、基準電壓電路、第二開關控制電路、積分器、比較器、第三開關控制電路、采樣電阻、MOS管、原邊電感、副邊電感、二極管和第一電容；所述谷底檢測電路、副邊消磁時間檢測電路、原邊開關開啟時間檢測電路和CV控制電路分別與采樣電路連接；所述谷底檢測電路與第三開關控制電路連接；所述副邊消磁時間檢測電路、原邊開關開啟時間檢測電路和CV控制電路分別與運算器連接；所述第一開關控制電路和第二開關控制電路分別與運算器連接；所述基準電壓電路與第一開關控制電路連接；所述第二開關控制電路接地；所述比較器包括正極輸入端、負極輸入端和輸出端；所述第一開關控制電路和第二開關控制電路分別與積分器的輸入端連接；所述積分器的輸出端與所述比較器的正極輸入端連接；所述比較器的輸出端通過第三開關控制電路與MOS管連接；所述MOS管通過采樣電阻接地；所述MOS管與所述比較器的負極輸入端連接；所述MOS管與原邊電感連接；所述副邊電...

【專利技術屬性】
技術研發(fā)人員：楊川，
申請(專利權)人：深圳市群芯科創(chuàng)電子有限公司，
類型：發(fā)明
國別省市：廣東,44