晶體封裝結構及采用其的晶體振蕩器制造技術

本發明專利技術公開一種晶體封裝結構及采用其的晶體振蕩器，包括上蓋和底板，所述上蓋的下端與所述底板的上表面連接；所述上蓋靠近所述底板的一端設有開口；在與所述底板平行的方向上，所述上蓋遠離所述底板的一端的橫截面積大于所述上蓋靠近所述底板的一端的橫截面積。本發明專利技術提供的晶體封裝結構及采用其的晶體振蕩器，能增大晶體封裝結構的內部空間，降低晶體振蕩器的內部器件與上蓋短路的風險。

【技術實現步驟摘要】
晶體封裝結構及采用其的晶體振蕩器
本專利技術涉及電子元器件
，尤其涉及一種晶體封裝結構及采用其的晶體振蕩器。
技術介紹
晶體振蕩器的封裝結構主要由上蓋和底板組成，為了保證晶體振蕩器的氣密性，如圖1所示，上蓋1的上部在與底板2平行的方向上的橫截面積比底板2的面積小；上蓋1的下端向底板2的邊沿彎折，且與底板2的邊沿平齊。這樣設計的晶體振蕩器，由于上蓋1的上部在與底板2平行的方向上的橫截面積比底板2的面積小，所以上蓋1的上部空間較小，晶體振蕩器的內部器件與上蓋1短路的風險較大。
技術實現思路
本專利技術的一個目的在于：提供一種晶體封裝結構，能增大封裝結構的內部空間，降低晶體振蕩器的內部器件與上蓋短路的風險。本專利技術的另一個目的在于：提供一種晶體振蕩器，能增大封裝結構的內部空間，降低晶體振蕩器的內部器件與上蓋短路的風險。為達以上目的，本專利技術采用以下技術方案：一種晶體封裝結構，包括上蓋和底板，所述上蓋的下端與所述底板的上表面連接；所述上蓋靠近所述底板的一端設有開口；在與所述底板平行的方向上，所述上蓋遠離所述底板的一端的橫截面積大于所述上蓋靠近所述底板的一端的橫截面積。具體地，對所述上蓋的開口進行縮口處理，使上蓋的開口面積小于底板的上表面的面積，方便上蓋與底板之間進行連接。同時設置上蓋的上部的橫截面積大于上蓋的下部的橫截面積，就可以保證上蓋的上部的內部空間大于上蓋的下部的內部空間。進而增大晶體封裝結構的內部空間，尤其是增大晶體封裝結構的上部的內部空間。當將晶體振蕩器的內部器件安置在晶體封裝結構的上部時，增大晶體振蕩器的內部器件與上蓋的距離，降低晶體振蕩器的內部器件與上蓋短路的風險。作為一種優選的實施方式，所述上蓋遠離所述底板的一端的橫截面積等于所述底板的上表面的面積。具體地，使所述上蓋遠離所述底板的一端的橫截面積等于所述底板的上表面的面積，可以保證在不擴大原來的晶體封裝結構的整體體積的情況下，增大晶體封裝結構的內部空間，尤其是增大晶體封裝結構的上部的內部空間。作為一種優選的實施方式，所述上蓋在與所述底板平行的方向上的橫截面積從遠離所述底板到靠近所述底板逐漸減小。具體地，使所述上蓋在與所述底板平行的方向上的橫截面積從遠離所述底板到靠近所述底板逐漸減小，減小加工難度，減低生產成本。優選地，所述上蓋的上部在與所述底板平行的方向上的橫截面積不變且大于上蓋的下部在與所述底板平行的方向上的橫截面積。作為一種優選的實施方式，所述上蓋在與所述底板平行的方向上靠近所述底板的一端的橫截面積為遠離所述底板的一端的橫截面積的87.8％～93.8％。具體地，經過多次實驗證明，在與所述底板平行的方向上，當上蓋的底部的橫截面積為上蓋的頂部的橫截面積的87.8％～93.8％時，上蓋的上部空間利用率較大，且能保證上蓋的下端開口不會太小以至于使晶體難以進入上蓋的內部空腔。進一步地，所述上蓋在與所述底板平行的方向上靠近所述底板的一端的橫截面積為遠離所述底板的一端的橫截面積的91.8％。具體地，經過多次實驗證明，在與所述底板平行的方向上，當上蓋的底部的橫截面積為上蓋的頂部的橫截面積的91.8％時，上蓋的上部空間利用率最大，且結構性能穩定，材料的有效利用率最高。作為一種優選的實施方式，所述底板的上表面設有第一凹槽，所述上蓋的底部插入所述第一凹槽。具體地，通過把上蓋的底部插入第一凹槽中，然后使上蓋和底板進行粘合，其氣密性較好，不易泄漏。進一步地，所述底板的上表面設有第一凸臺和第二凸臺，所述第二凸臺位于所述第一凸臺遠離所述底板的邊沿的一側；所述第一凸臺與所述第二凸臺之間形成所述第一凹槽。進一步地，所述第二凸臺的中部設有第二凹槽。具體地，在所述第二凸臺的中部設置第二凹槽，會增大底板與晶體振蕩器的內部器件之間的距離，降低晶體振蕩器的內部器件與底板短路的風險。一種晶體振蕩器，包括石英晶體和任一上述實施方式中的晶體封裝結構，所述石英晶體設置在所述晶體封裝結構的內部。具體地，當將晶體振蕩器的內部器件安置在晶體封裝結構的上部時，晶體振蕩器的內部器件與上蓋的距離較大，晶體振蕩器的內部器件與上蓋短路的風險降低。作為一種優選的實施方式，所述底板的底部設有絕緣部。具體地，在所述底板的底部設有絕緣部，可以防止底板與電路板之間直接接觸導致短路。本專利技術的有益效果為：提供一種晶體封裝結構及采用其的晶體振蕩器，通過減少上蓋的下部的橫截面積，以增大封裝結構的內部空間，降低晶體振蕩器的內部器件與上蓋短路的風險。附圖說明下面根據附圖和實施例對本專利技術作進一步詳細說明。圖1為
技術介紹
所述的晶體封裝結構的剖面示意圖；圖2為實施例一所述的晶體封裝結構的剖面示意圖；圖3為設有第二凹槽的晶體封裝結構的剖面示意圖；圖4為橫截面積逐漸變小的晶體封裝結構的剖面示意圖。圖1～圖4中：1、上蓋；2、底板；201、第一凸臺；202、第二凸臺；203第一凹槽；204、第二凹槽；205、絕緣部。具體實施方式下面結合附圖并通過具體實施方式來進一步說明本專利技術的技術方案。實施例一如圖2所示，一種晶體封裝結構，包括上蓋1和底板2，上蓋1的下端與底板2的上表面連接；上蓋1靠近底板2的一端設有開口；在與底板2平行的方向上，上蓋1遠離底板2的一端的橫截面積等于底板2的上表面的面積；上蓋1在與底板2平行的方向上的橫截面積從遠離底板2到靠近底板2先保持不變，然后減小；上蓋1在與底板2平行的方向上靠近底板2的一端的橫截面積為遠離底板2的一端的橫截面積的91.8％。具體地，對上蓋1的開口進行縮口處理，使上蓋1的開口面積小于底板2的上表面的面積，方便上蓋1與底板2之間進行連接。同時設置上蓋1的上部的橫截面積大于上蓋1的下部的橫截面積，就可以保證上蓋1的上部的內部空間大于上蓋1的下部的內部空間。使上蓋1遠離底板2的一端的橫截面積等于底板2的上表面的面積，可以保證在不擴大原來的晶體封裝結構的整體體積的情況下，增大晶體封裝結構的內部空間，尤其是增大晶體封裝結構的上部的內部空間。當將晶體振蕩器的內部器件安置在晶體封裝結構的上部時，增大晶體振蕩器的內部器件與上蓋1的距離，降低晶體振蕩器的內部器件與上蓋1短路的風險。底板2的上表面設有第一凸臺201和第二凸臺202，第二凸臺202位于第一凸臺201遠離底板2的邊沿的一側；第一凸臺201與第二凸臺202之間形成第一凹槽203。上蓋1的底部插入第一凹槽203，然后通過焊接或者點膠等方式使上蓋1和底板2進行粘合。上蓋1和底板2采用凹槽插接的連接方式，有效增強了封裝結構的氣密性。于本實施例中，如圖3所示，第二凸臺202的中部還可以設有第二凹槽204，這樣設置可以增大底板2與晶體振蕩器的內部器件之間的距離，降低晶體振蕩器的內部器件與底板2短路的風險。于本實施例中，如圖4所示，上蓋1在與底板2平行的方向上的橫截面積也可以為：從遠離底板2到靠近底板2逐漸減小。于本實施例中，上蓋1在與底板2平行的方向上靠近底板2的一端的橫截面積也可以為遠離底板2的一端的橫截面積的87.8％或者93.8％。具體地，經過多次實驗證明，在與底板2平行的方向上，當上蓋1的底部的橫截面積為上蓋1的頂部的橫截面積的87.8％～93.8％時，上蓋1的上部空間利用率較大，且能保證上蓋1的下端開口不會太小以至于使晶體難以進入上蓋1的內部空腔。進一步地本文檔來自技高網...

【技術保護點】
一種晶體封裝結構，包括上蓋和底板，其特征在于，所述上蓋的下端與所述底板的上表面連接；所述上蓋靠近所述底板的一端設有開口；在與所述底板平行的方向上，所述上蓋遠離所述底板的一端的橫截面積大于所述上蓋靠近所述底板的一端的橫截面積。

【技術特征摘要】
1.一種晶體封裝結構，包括上蓋和底板，其特征在于，所述上蓋的下端與所述底板的上表面連接；所述上蓋靠近所述底板的一端設有開口；在與所述底板平行的方向上，所述上蓋遠離所述底板的一端的橫截面積大于所述上蓋靠近所述底板的一端的橫截面積。2.根據權利要求1所述的晶體封裝結構，其特征在于，所述上蓋遠離所述底板的一端的橫截面積等于所述底板的上表面的面積。3.根據權利要求1所述的晶體封裝結構，其特征在于，所述上蓋在與所述底板平行的方向上的橫截面積從遠離所述底板到靠近所述底板逐漸減小。4.根據權利要求1所述的晶體封裝結構，其特征在于，所述上蓋在與所述底板平行的方向上靠近所述底板的一端的橫截面積為遠離所述底板的一端的橫截面積的87.8％～93.8％。5.根據權利要求4所述的晶體封裝結構，其特征在于，所述上...

【專利技術屬性】
技術研發人員：周文，邱文才，周柏雄，
申請(專利權)人：廣東大普通信技術有限公司，
類型：發明
國別省市：廣東,44