一種金屬有機化學氣相沉積反應系統技術方案

本發明專利技術公開了化學技術領域的一種金屬有機化學氣相沉積反應系統，包括反應室，所述反應室的頂部安裝有頂蓋，所述反應室與頂蓋的連接處設置有密封墊圈，所述頂蓋的底部均勻安裝有金屬反應源出口，所述頂蓋的頂部連接有分氣頭，所述分氣頭的頂部連接有金屬反應源進氣管，所述金屬反應源進氣管的右端連接有金屬反應源鼓泡箱，所述金屬反應源鼓泡箱的右端通過管道連接有鼓風機，該金屬有機化學氣相沉積反應系統，通過三組加熱裝置的組合加熱，使得反應室內的熱空氣形成對流，從而加熱更加均勻，通過電機等一系列的傳動使得承載盤和基板轉動，使得反應后的薄膜均勻的覆蓋在基板的表面。

A metal organic chemical vapor deposition reaction system

The invention discloses a metal organic chemical vapor deposition technology in the field of chemical reaction system, which comprises a reaction chamber, the top of the reaction chamber is installed on the roof, at the junction of the reaction chamber and the top cover is provided with a sealing washer, a metal reaction source export is evenly arranged the top cover at the bottom of the top the cover is connected with the gas head, the top of the head of the gas inlet pipe connected with a metal source, the metal reaction air inlet tube is connected to the right end of the metal reaction source bubble box, the right end of the metal reaction source bubble box through the pipeline is connected with a blower, the reaction system metal organic chemical vapor deposition, through a combination of three groups of heating devices, the hot air in the reaction chamber to form convection, thus heating more uniform, the drive motor and a series of the bearing plate and the substrate rotation, The reaction film is uniformly covered on the surface of the substrate.

【技術實現步驟摘要】
一種金屬有機化學氣相沉積反應系統
本專利技術涉及化學
，具體為一種金屬有機化學氣相沉積反應系統。
技術介紹
金屬有機化學氣相沉積(MOCVD)是以Ⅲ族、Ⅱ族元素的有機化合物和V、Ⅵ族元素的氫化物等作為晶體生長源材料，以熱分解反應方式在襯底上進行氣相外延，生長各種Ⅲ-V族、Ⅱ-Ⅵ族化合物半導體以及它們的多元固溶體的薄層單晶材料。金屬有機化學氣相沉積系統(MOCVD)是利用金屬有機化合物作為源物質的一種化學氣相淀積(CVD)工藝，其原理為利用有機金屬化學氣相沉積法metal-organicchemicalvapordeposition.MOCVD是一利用氣相反應物，或是前驅物precurso和Ⅲ族的有機金屬和V族的NH3，在基材substrate表面進行反應，傳到基材襯底表面固態沉積物的工藝，現有的反應系統加熱不夠均勻，為此，我們提出了一種金屬有機化學氣相沉積反應系統。
技術實現思路
本專利技術的目的在于提供一種金屬有機化學氣相沉積反應系統，以解決上述
技術介紹
中提出的現有的反應系統加熱不夠均勻的問題。為實現上述目的，本專利技術提供如下技術方案：一種金屬有機化學氣相沉積反應系統，包括反應室，所述反應室的頂部安裝有頂蓋，所述反應室與頂蓋的連接處設置有密封墊圈，所述頂蓋的底部均勻安裝有金屬反應源出口，所述頂蓋的頂部連接有分氣頭，所述分氣頭的頂部連接有金屬反應源進氣管，所述金屬反應源進氣管的右端連接有金屬反應源鼓泡箱，所述金屬反應源鼓泡箱的右端通過管道連接有鼓風機，所述鼓風機的右端通過管道連接有蒸汽存儲室，所述反應室的左側壁安裝有氫化物進氣管，且氫化物進氣管貫穿反應室的左側壁，所述反應室的右側壁安裝有廢氣排氣管，所述廢氣排氣管的右端連接有導氣管，所述導氣管的底部連接有廢氣消毒瓶，且導氣管的底部位于廢氣消毒瓶內腔液面以下，所述廢氣消毒瓶的頂部設置有出氣管，且出氣管的底部位于廢氣消毒瓶內腔的液面的上方，所述反應室的內腔設置有轉軸，所述轉軸的頂部安裝有承載盤，所述承載盤的頂部安裝有基板，所述轉軸的外壁套接有支撐架，所述支撐架的底部與反應室內腔的底部連接，所述轉軸貫穿反應室的底部，所述轉軸外壁的底部套接有從動帶輪，所述反應室的底部安裝有電機，所述電機位于轉軸的右側，所述電機輸出端的外壁套接有主動帶輪，且主動帶輪通過皮帶與從動帶輪連接，所述反應室的底部和頂蓋的底部均設置有加熱裝置。優選的，所述加熱裝置為紫外線加熱燈，所述加熱裝置的外壁設置有光反射板，且光反射板的外壁均勻涂有耐熱涂層。優選的，所述承載盤包括盤體，所述盤體的底部中心處設置有軸套，且軸套與轉軸適配連接，所述軸套的內壁開有限位槽，所述轉軸外壁的頂部設置有與限位槽適配連接的限位嵌塊，所述盤體的頂部均勻安裝有支撐彈簧，且支撐彈簧的頂部與基板的底部連接。優選的，所述支撐架包括支撐板，所述支撐板的左右兩側均設置有支腿，所述支撐板的中心位置開有連接孔，且連接孔套接在轉軸的外壁，所述支撐板頂部的左右兩端均安裝有滾珠。與現有技術相比，本專利技術的有益效果是：該金屬有機化學氣相沉積反應系統，通過三組加熱裝置的組合加熱，使得反應室內的熱空氣形成對流，從而加熱更加均勻，通過電機等一系列的傳動使得承載盤和基板轉動，使得反應后的薄膜均勻的覆蓋在基板的表面。附圖說明圖1為本專利技術結構示意圖；圖2為本專利技術承載盤結構示意圖；圖3為本專利技術支撐架結構示意圖。圖中：1反應室、2頂蓋、3密封墊圈、4金屬反應源出口、5分氣頭、6金屬反應源進氣管、7金屬反應源鼓泡箱、8鼓風機、9蒸汽存儲室、10氫化物進氣管、11廢氣排氣管、12導氣管、13廢氣消毒瓶、14出氣管、15轉軸、16承載盤、161盤體、162軸套、163支撐彈簧、17基板、18支撐架、181支撐板、182支腿、183連接孔、184滾珠、19從動帶輪、20電機、21主動帶輪、22加熱裝置。具體實施方式下面將結合本專利技術實施例中的附圖，對本專利技術實施例中的技術方案進行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實施例僅僅是本專利技術一部分實施例，而不是全部的實施例。基于本專利技術中的實施例，本領域普通技術人員在沒有做出創造性勞動前提下所獲得的所有其他實施例，都屬于本專利技術保護的范圍。請參閱圖1-3，本專利技術提供一種技術方案：一種金屬有機化學氣相沉積反應系統，包括反應室1，反應室1的頂部安裝有頂蓋2，反應室1與頂蓋2的連接處設置有密封墊圈3，頂蓋2的底部均勻安裝有金屬反應源出口4，頂蓋2的頂部連接有分氣頭5，分氣頭5的頂部連接有金屬反應源進氣管6，金屬反應源進氣管6的右端連接有金屬反應源鼓泡箱7，金屬反應源鼓泡箱7的右端通過管道連接有鼓風機8，鼓風機8的右端通過管道連接有蒸汽存儲室9，反應室1的左側壁安裝有氫化物進氣管10，且氫化物進氣管10貫穿反應室1的左側壁，反應室1的右側壁安裝有廢氣排氣管11，廢氣排氣管11的右端連接有導氣管12，導氣管12的底部連接有廢氣消毒瓶13，且導氣管12的底部位于廢氣消毒瓶13內腔液面以下，廢氣消毒瓶13的頂部設置有出氣管14，且出氣管14的底部位于廢氣消毒瓶13內腔的液面的上方，反應室1的內腔設置有轉軸15，轉軸15的頂部安裝有承載盤16，承載盤16的頂部安裝有基板17，轉軸15的外壁套接有支撐架18，支撐架18的底部與反應室1內腔的底部連接，轉軸15貫穿反應室1的底部，轉軸15外壁的底部套接有從動帶輪19，反應室1的底部安裝有電機20，電機20位于轉軸15的右側，電機20輸出端的外壁套接有主動帶輪21，且主動帶輪21通過皮帶與從動帶輪19連接，反應室1的底部和頂蓋2的底部均設置有加熱裝置22。其中，加熱裝置22為紫外線加熱燈，加熱裝置22的外壁設置有光反射板，使得熱量均勻分散，且光反射板的外壁均勻涂有耐熱涂層，避免加熱裝置22受熱損壞，承載盤16包括盤體161，盤體161的底部中心處設置有軸套162，且軸套162與轉軸15適配連接，軸套162的內壁開有限位槽，轉軸15外壁的頂部設置有與限位槽適配連接的限位嵌塊，使得轉軸15與軸套162連接更加緊密，盤體161的頂部均勻安裝有支撐彈簧163，且支撐彈簧163的頂部與基板17的底部連接，支撐架18包括支撐板181，支撐板181的左右兩側均設置有支腿182，支撐板181的中心位置開有連接孔183，且連接孔183套接在轉軸15的外壁，支撐板181頂部的左右兩端均安裝有滾珠184。工作原理：氫化物通過氫化物進氣管10進入反應室1中，通過鼓風機8帶動蒸汽存儲室9中的蒸汽將金屬反應源鼓泡箱7中的金屬反應源吹入到金屬反應源進氣管6中，金屬反應源隨著蒸汽進入分氣頭5中，通過分氣頭5底部的金屬反應源出口4將金屬反應源均勻的進入反應室1中，三組加熱裝置22對反應室1的內部進行加熱，金屬反應源出口4位于基板17的正上方，氫化物與金屬反應源反應物在基板17上生成，電機20轉動帶動主動帶輪21轉動，主動帶輪21通過皮帶帶動從動帶輪19轉動，從動帶輪19帶動轉軸15轉動，轉軸15帶動承載盤16和承載盤17轉動，使得三組加熱裝置22對承載盤17和承載盤16的加熱更加均勻，反應后的有毒氣體通過廢氣排氣管11和導氣管12進入廢氣消毒瓶13，廢氣消毒瓶13內相應的消毒液體將有毒氣體吸附并從金屬反應源出口4排出無毒氣體。盡管已經示出本文檔來自技高網...

【技術保護點】
一種金屬有機化學氣相沉積反應系統，包括反應室(1)，其特征在于：所述反應室(1)的頂部安裝有頂蓋(2)，所述反應室(1)與頂蓋(2)的連接處設置有密封墊圈(3)，所述頂蓋(2)的底部均勻安裝有金屬反應源出口(4)，所述頂蓋(2)的頂部連接有分氣頭(5)，所述分氣頭(5)的頂部連接有金屬反應源進氣管(6)，所述金屬反應源進氣管(6)的右端連接有金屬反應源鼓泡箱(7)，所述金屬反應源鼓泡箱(7)的右端通過管道連接有鼓風機(8)，所述鼓風機(8)的右端通過管道連接有蒸汽存儲室(9)，所述反應室(1)的左側壁安裝有氫化物進氣管(10)，且氫化物進氣管(10)貫穿反應室(1)的左側壁，所述反應室(1)的右側壁安裝有廢氣排氣管(11)，所述廢氣排氣管(11)的右端連接有導氣管(12)，所述導氣管(12)的底部連接有廢氣消毒瓶(13)，且導氣管(12)的底部位于廢氣消毒瓶(13)內腔液面以下，所述廢氣消毒瓶(13)的頂部設置有出氣管(14)，且出氣管(14)的底部位于廢氣消毒瓶(13)內腔的液面的上方，所述反應室(1)的內腔設置有轉軸(15)，所述轉軸(15)的頂部安裝有承載盤(16)，所述承載盤(16)的頂部安裝有基板(17)，所述轉軸(15)的外壁套接有支撐架(18)，所述支撐架(18)的底部與反應室(1)內腔的底部連接，所述轉軸(15)貫穿反應室(1)的底部，所述轉軸(15)外壁的底部套接有從動帶輪(19)，所述反應室(1)的底部安裝有電機(20)，所述電機(20)位于轉軸(15)的右側，所述電機(20)輸出端的外壁套接有主動帶輪(21)，且主動帶輪(21)通過皮帶與從動帶輪(19)連接，所述反應室(1)的底部和頂蓋(2)的底部均設置有加熱裝置(22)。...

【技術特征摘要】
1.一種金屬有機化學氣相沉積反應系統，包括反應室(1)，其特征在于：所述反應室(1)的頂部安裝有頂蓋(2)，所述反應室(1)與頂蓋(2)的連接處設置有密封墊圈(3)，所述頂蓋(2)的底部均勻安裝有金屬反應源出口(4)，所述頂蓋(2)的頂部連接有分氣頭(5)，所述分氣頭(5)的頂部連接有金屬反應源進氣管(6)，所述金屬反應源進氣管(6)的右端連接有金屬反應源鼓泡箱(7)，所述金屬反應源鼓泡箱(7)的右端通過管道連接有鼓風機(8)，所述鼓風機(8)的右端通過管道連接有蒸汽存儲室(9)，所述反應室(1)的左側壁安裝有氫化物進氣管(10)，且氫化物進氣管(10)貫穿反應室(1)的左側壁，所述反應室(1)的右側壁安裝有廢氣排氣管(11)，所述廢氣排氣管(11)的右端連接有導氣管(12)，所述導氣管(12)的底部連接有廢氣消毒瓶(13)，且導氣管(12)的底部位于廢氣消毒瓶(13)內腔液面以下，所述廢氣消毒瓶(13)的頂部設置有出氣管(14)，且出氣管(14)的底部位于廢氣消毒瓶(13)內腔的液面的上方，所述反應室(1)的內腔設置有轉軸(15)，所述轉軸(15)的頂部安裝有承載盤(16)，所述承載盤(16)的頂部安裝有基板(17)，所述轉軸(15)的外壁套接有支撐架(18)，所述支撐架(18)的底部與反應室(1)內腔的底部連接，所述轉軸(15)貫穿反應室(1)的底部，所述轉軸(15...

【專利技術屬性】
技術研發人員：崔乘幸，鄧紹新，劉露，焦紅艷，張中印，張裕平，
申請(專利權)人：河南科技學院，
類型：發明
國別省市：河南,41