The invention discloses a printed circuit board and a conductive film preparation method with copper graphene composite patterned conductive film, forming copper patterned graphene composite conductive film on plastic substrate PC. The steps include using a fiber laser to process a particular pattern on a cleaned PC plastic substrate. The use of chemical plating PC substrate is patterned after copper plating copper plating by deionized water after washing into the graphene sheet precipitation dispersion, removed after cleaning again into the copper plating solution in copper plating, so the cycle times, the method of preparing composite conductive film has the advantages of simple process pattern, flexible, good conductivity, good adhesion and other advantages.
【技術實現步驟摘要】
一種具有銅-石墨烯復相圖案化導電膜的印制電路板及導電膜制備方法
本專利技術屬于印制電路板領域,尤其涉及一種具有銅-石墨烯復相圖案化導電膜的印制電路板及導電膜制備方法。
技術介紹
現有的印制電路板(PCB)布線技術需要經過噴涂后曝光顯影,通常有2種方式,一種是噴涂感光油墨,用菲林片把不用蝕刻的地方遮蔽起來,在曝光過程中,需要蝕刻的部分就被曝光了,然后經顯影液清洗后露出基材,經過固化后,不用蝕刻部分的油墨會牢牢貼在材料上,保護不被蝕刻,最后脫油墨得到導電圖形;另一種是用菲林片把需要蝕刻的地方保護起來,不需要蝕刻的地方上的感光油墨在經過曝光后可以抗腐蝕,需要蝕刻的地方上的油墨在經過顯影液清洗后脫落,從而得到導電圖形。無論用上述哪種方法得到導電圖形,都需要先在PC塑料絕緣基板上初步形成電路圖形,再通過化學方法蝕刻掉相當數量的銅箔,并經去膜,蝕后沖孔,AOI檢查,氧化等幾十道工序,其工序十分繁瑣,不能靈活地設計具有復雜圖形的金屬導電膜,影響了電子元器件集成度的進一步提高。傳統的化學鍍工藝是利用強還原劑在含有金屬離子的溶液中,將金屬離子還原成金屬而沉積在絕緣體表面,形成致密鍍層。其工藝包括粗化,敏化,活化,鍍銅等步驟,為使絕緣體表面較為容易鍍覆,通常需要利用腐蝕液對表面進行粗化;敏化及活化的步驟中個,廣泛采用鈀作為催化劑,利用錫離子溶液在金屬鈀周圍形成一保護性膠體,在非金屬表面植入貴金屬晶核,通過化學還原作用觸發所要求的鍍覆反應;化學鍍銅中為防止氫氣在銅層表面聚集,防止銅鍍層空穴的形成,提高化學鍍銅層的韌性,通常會在鍍液中加入阻氫劑;故常用于粗化絕緣體表面的腐蝕液以及 ...
【技術保護點】
一種具有銅‐石墨烯復相圖案化導電膜的印制電路板,其特征在于:包括PC塑料絕緣基板及其上的銅‐石墨烯導電膜,該銅‐石墨烯導電膜包括至少一個銅‐石墨烯復合層,該銅‐石墨烯復合層包括自下而上布置的銅和石墨烯;該導電膜通過光纖激光器在PC塑料絕緣基板上照射出特定圖案后經至少一次表面化學鍍銅和沉淀石墨烯后得到。
【技術特征摘要】
1.一種具有銅‐石墨烯復相圖案化導電膜的印制電路板,其特征在于:包括PC塑料絕緣基板及其上的銅‐石墨烯導電膜,該銅‐石墨烯導電膜包括至少一個銅‐石墨烯復合層,該銅‐石墨烯復合層包括自下而上布置的銅和石墨烯;該導電膜通過光纖激光器在PC塑料絕緣基板上照射出特定圖案后經至少一次表面化學鍍銅和沉淀石墨烯后得到。2.根據權利要求1所述的一種銅‐石墨烯復相圖案化導電膜的印制電路板,其特征在于:所述的PC塑料絕緣基板的材質為含有金屬銅粒子的改性熱塑料。3.一種銅‐石墨烯復相圖案化導電膜的制備方法,其特征在于包括以下步驟:1)使用能量密度1~4J/cm2的光纖激光器在清洗后的PC塑料絕緣基板上照射出特定的圖案,照射次數1~4次,得到圖案化的PC塑料絕緣基板;2)將上述圖案化的PC塑料絕緣基板放入乙醇中超聲清洗后,放入溫度為45~55℃鍍銅液中進行表面化學鍍銅,并鼓入氮氣驅趕化學鍍產生的氫氣氣泡防...
【專利技術屬性】
技術研發人員:周銳,黃婷婷,林圣棟,沈飛,鐘奕輝,
申請(專利權)人:廈門大學,
類型:發明
國別省市:福建,35
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