用于包括唯一標識符的封裝體的正面封裝級別序列化制造技術

一種制造半導體器件的方法，該方法可包括提供多個半導體裸芯，其中每個半導體裸芯包括有源表面和與所述有源表面相對的背面。該方法可包括形成在所述晶片中的多個半導體裸芯中的每個的有源表面上方延伸的堆積互連結構，以及形成作為堆積互連結構中的層的一部分的用于多個半導體裸芯中的每個的唯一識別標記，同時形成所述堆積互連結構的層。堆積互連結構的層可包括用于多個半導體裸芯中的每個的唯一識別標記和用于半導體器件的功能性二者。每個唯一識別標記可傳達其相應的半導體裸芯的唯一標識。該方法還可包括將多個半導體裸芯單片化成多個半導體器件。

A positive package level serialization for a package containing unique identifiers

A method of manufacturing a semiconductor device that may include providing a plurality of semiconductor bare cores, each of which includes an active surface and a backside opposite the active surface. The method may include the accumulation of interconnect structure extending above the surface active form of each of the plurality of semiconductor bare chip on the wafer in the formation and accumulation of as interconnect structure layer for a part of each of the plurality of semiconductor bare in the core of the unique identification mark, at the same time to form the accumulation of interconnect structure the layer. The layer of the stacked interconnect structure may include a unique identification mark for each of the plurality of semiconductor bare cores and a functional two for the semiconductor device. Each unique identification mark may communicate its unique identification of the corresponding semiconductor bare core. The method may also include forming a plurality of semiconductor bare cores into a plurality of semiconductor devices.

【技術實現步驟摘要】
【國外來華專利技術】用于包括唯一標識符的封裝體的正面封裝級別序列化相關專利申請本專利申請要求提交于2014年8月26日的美國臨時申請No.62/042,183的權益，該臨時申請的公開內容全文據此以引用方式并入。
本公開整體涉及半導體器件和封裝體，更具體地講涉及使用封裝級別序列化進行半導體封裝體和封裝體部件(諸如半導體裸芯)的標識、跟蹤或它們二者。
技術介紹
半導體器件普遍存在于現代電子產品中。半導體器件在電子部件的數量和密度方面有差別。分立半導體器件一般包含一種類型的電子部件，例如發光二極管(LED)、小信號晶體管、電阻器、電容器、電感器以及功率金屬氧化物半導體場效應晶體管(MOSFET)。集成半導體器件通常包含幾百到幾百萬個電子部件。集成半導體器件的實例包括微控制器、微處理器、電荷耦合器件(CCD)、太陽能電池以及數字微鏡器件(DMD)。半導體器件執行寬泛范圍的功能，諸如信號處理、高速計算、發射和接收電磁信號、控制電子設備、將太陽光轉換成電力以及為電視顯示器創建視覺投影。半導體器件存在于娛樂、通信、功率變換、網絡、計算機和消費品的領域中。半導體器件也存在于軍事應用、航空、汽車、工業控制器和辦公設備中。半導體器件充分利用半導體材料的電氣性質。半導體材料的原子結構允許通過施加電場或基極電流或者通過摻雜工藝來操縱其電導率。摻雜的步驟將雜質引入到半導體材料中以操縱和控制半導體器件的電導率。半導體器件包含有源和無源電氣結構。包括雙極型和場效應晶體管的有源結構控制電流的流動。通過改變摻雜水平和電場或基極電流的施加，晶體管促進或限制電流的流動。包括電阻器、電容器和電感器的無源結構產生執行各種電氣功能所必需的電壓與電流之間的關系。無源和有源結構被電連接以形成電路，所述電路使半導體器件能夠執行高速計算和其他有用功能。半導體器件一般是使用兩個復雜的制造工藝(即，前端制造和后端制造)進行制造，每個制造工藝可能涉及幾百個步驟。前端制造涉及在半導體晶片的表面上形成多個半導體裸芯。如本文所用的術語“半導體裸芯”指代單數和復數兩者形式的詞，并且因此可以指代單個半導體器件和多個半導體器件兩者。在前端制造、或在原生晶片上制造半導體裸芯期間，每個半導體裸芯是通常相同的，并且包含通過電連接有源和無源部件形成的電路。單個的半導體裸芯可用標識符諸如半導體裸芯背面上的激光標記來標記，以標識、跟蹤半導體裸芯或它們二者。半導體裸芯的標記可在從原生半導體晶片單片化半導體裸芯之前。后端制造可涉及從成晶晶片單片化單個的半導體裸芯并封裝該裸芯，以提供結構支撐和環境隔離。半導體裸芯封裝體的標記也可發生在后端制造期間。在后端制造期間，半導體裸芯和半導體封裝體的標記和標識可通過使用激光標記或油墨印刷實現，以通過封裝和測試來識別半導體封裝的晶片和帶。
技術實現思路
從說明書和附圖以及權利要求書來看，上述和其他方面、特征和優點對于本領域的普通技術人員將是顯而易見的。因此，在一個方面，制造半導體器件的方法可包括提供多個半導體裸芯，其中每個半導體裸芯包括有源表面和與有源表面相對的背面。該方法可包括形成在晶片中的多個半導體裸芯中的每個的有源表面上方延伸的堆積互連結構。該方法可包括形成用于多個半導體裸芯中的每個的唯一識別標記，作為堆積互連結構中的層的一部分，同時形成堆積互連結構的層。堆積互連結構的層可包括用于多個半導體裸芯中的每個的唯一識別標記和用于半導體器件的功能性二者。每個唯一識別標記可傳達其相應的半導體裸芯的唯一標識。該方法可包括將多個半導體裸芯單片化成多個半導體器件。制造半導體器件的方法還可包括形成堆積互連結構的層，作為導電層，形成用于多個半導體裸芯中的每個的唯一識別標記，作為導電層的第一部分，以及形成導電層的第二部分，作為重新分布層(RDL)。該方法還可包括形成堆積互連結構中、并且遠離半導體封裝體的外表面的用于多個半導體裸芯中的每個的唯一識別標記，使得用于多個半導體裸芯中的每個的唯一識別標記免受半導體封裝體的外表面處的損壞。該方法還可包括在位置處形成用于堆積互連結構中的多個半導體裸芯中的每個的唯一識別標記，該位置可從半導體器件的外部進行光學檢測。該方法還可包括形成作為可機讀的二維碼或字母數字標記的唯一識別標記。半導體裸芯的唯一標識可由相應的唯一識別標記中的每個傳達，該唯一識別標記包括源晶片標識、和源晶片中的半導體裸芯的x、y位置。由相應的唯一識別標記中的每個傳達的信息還可包括重構的晶片或面板標識和重構的晶片中的半導體器件的x、y位置。該方法還可包括在形成堆積互連結構之前通過在多個半導體裸芯周圍設置密封劑來形成重構的晶片。在另一個方面，制造半導體器件的方法可包括提供多個半導體裸芯，形成在多個半導體裸芯中的每個的有源表面上方延伸的功能層，該功能層還包括用于多個半導體裸芯中的每個的唯一識別標記，以及單片化多個半導體裸芯。每個半導體裸芯可包括有源表面和與有源表面相對的背面。每個唯一識別標記可傳達其相應的半導體裸芯的唯一標識。制造半導體器件的方法還可包括形成包括堆積互連結構的功能層，以及形成用于多個半導體裸芯中的每個的唯一識別標記，同時形成堆積互連結構。該方法還可包括形成用于多個半導體裸芯中的每個的唯一識別標記，作為堆積互連結構的第一部分，以及形成堆積互連結構的第二部分，作為RDL。該方法還可包括在采用無掩模圖案化系統在堆積結構中形成唯一識別標記和功能層。該方法還可包括形成遠離半導體封裝體的外表面的用于多個半導體裸芯中的每個的唯一識別標記，使得用于多個半導體裸芯中的每個的唯一識別標記免受半導體封裝的外表面處的損壞。該方法還可包括在位置處形成用于多個半導體裸芯中的每個的唯一識別標記，該位置可從半導體器件的外部進行光學檢測。該方法還可包括形成作為可機讀的條形碼或二維矩陣的唯一識別標記。由相應的唯一識別標記中的每個傳達的半導體裸芯的唯一標識可包括源晶片標識、源晶片、重構的晶片或面板標識中的半導體裸芯的x、y位置以及重構的晶片中的半導體器件的x、y位置。該方法還可包括在形成功能層之前通過在多個半導體裸芯周圍設置密封劑來形成重構的晶片。在另一個方面，識別半導體封裝體的唯一標識的方法可包括提供半導體裸芯，形成用于半導體裸芯的半導體裸芯封裝體，以及解析半導體封裝體的唯一標記，以獲得封裝體中的半導體裸芯的唯一標識。半導體封裝體可包括封裝體的功能層中的唯一標記。識別半導體封裝體的唯一標識的方法還可包括半導體裸芯的唯一標識，該唯一標識包括源晶片標識、和源晶片中的半導體裸芯的x、y位置。該唯一標記可為用戶提供用以查找半導體裸芯的唯一標識的信息，其中該信息包括由自動測試設備生成的數據，或在前端或后端制造工藝期間由檢測工具生成的晶片圖。唯一識別標記也可提供半導體裸芯的唯一標識，無需用戶查找另外的信息來確定半導體裸芯的唯一標識。封裝體的功能層可包括在半導體裸芯上方形成的堆積互連結構的層。該方法還可包括光學識別半導體封裝體的唯一標記，以及從光學識別唯一標記獲得半導體封裝體中的半導體裸芯的唯一信息。由唯一標記傳達的信息還可包括重構的晶片或面板標識和重構的晶片中的半導體器件的x、y位置。附圖說明圖1A-圖1C示出了包括多個半導體裸芯的半導體晶片。圖2A-圖2F示出了包括唯一標識符的半導體封裝體的方面及其制造方法。圖本文檔來自技高網...

【技術保護點】
一種制造半導體器件的方法，包括：提供多個半導體裸芯，其中每個半導體裸芯包括有源表面和與所述有源表面相對的背面；形成在所述晶片中的所述多個半導體裸芯中的每個的所述有源表面上方延伸的堆積互連結構；形成用于所述多個半導體裸芯中的每個的唯一識別標記作為所述堆積互連結構中的層的一部分，同時形成所述堆積互連結構的所述層，其中所述堆積互連結構的所述層包括用于所述多個半導體裸芯中的每個的所述唯一識別標記和用于所述半導體器件的功能性二者，其中每個唯一識別標記傳達其相應的半導體裸芯的唯一標識；以及將所述多個半導體裸芯單片化成多個半導體器件。

【技術特征摘要】
【國外來華專利技術】2014.08.26 US 62/042,1831.一種制造半導體器件的方法，包括：提供多個半導體裸芯，其中每個半導體裸芯包括有源表面和與所述有源表面相對的背面；形成在所述晶片中的所述多個半導體裸芯中的每個的所述有源表面上方延伸的堆積互連結構；形成用于所述多個半導體裸芯中的每個的唯一識別標記作為所述堆積互連結構中的層的一部分，同時形成所述堆積互連結構的所述層，其中所述堆積互連結構的所述層包括用于所述多個半導體裸芯中的每個的所述唯一識別標記和用于所述半導體器件的功能性二者，其中每個唯一識別標記傳達其相應的半導體裸芯的唯一標識；以及將所述多個半導體裸芯單片化成多個半導體器件。2.根據權利要求1所述的方法，還包括：形成所述堆積互連結構的所述層作為導電層；形成用于所述多個半導體裸芯中的每個的所述唯一識別標記作為所述導電層的第一部分；以及形成所述導電層的第二部分作為重新分布層(RDL)。3.根據權利要求1所述的方法，還包括在所述堆積互連結構中、并且遠離半導體封裝體的外表面形成用于所述多個半導體裸芯中的每個的所述唯一識別標記，使得用于所述多個半導體裸芯中的每個的所述唯一識別標記免受所述半導體封裝體的外表面處的損壞。4.根據權利要求4所述的方法，還包括在所述堆積互連結構中的位置處形成用于所述多個半導體裸芯中的每個的所述唯一識別標記，所述位置從所述半導體器件的外部是可光學檢測的。5.根據權利要求1所述的方法，還包括形成所述唯一識別標記作為可機讀的二維碼或字母數字標記。6.根據權利要求1所述的方法，其中由所述相應的唯一識別標記中的每個傳達的所述半導體裸芯的所述唯一標識包括：源晶片標識、和所述半導體裸芯在所述源晶片中的x、y位置。7.根據權利要求6所述的方法，其中由所述相應的唯一識別標記中的每個傳達的信息還包括：重構的晶片或面板標識，以及所述半導體器件在所述重構的晶片中的x、y位置。8.根據權利要求7所述的方法，還包括在形成所述堆積互連結構之前，通過在所述多個半導體裸芯周圍設置密封劑來形成所述重構的晶片。9.一種制造半導體器件的方法，包括：提供多個半導體裸芯，其中每個半導體裸芯包括有源表面和與所述有源表面相對的背面；形成在所述多個半導體裸芯中的每個的所述有源表面上方延伸的功能層，所述功能層還包括用于所述多個半導體裸芯中的每個的唯一識別標記，其中每個唯一識別標記傳達其相應的半導體裸芯的唯一標識；以及單片化所述多個半導體裸芯。10.根據權利要求9所述的方法，還包括：形成包括堆積互連結構的所述功能層；以及在形成所述堆積互連結構的同時，形成用于所述多個半導體裸芯中的每個的所述唯一識...

【專利技術屬性】
技術研發人員：C畢曉普，SA丹尼爾，CM斯坎倫，
申請(專利權)人：德卡技術股份有限公司，
類型：發明
國別省市：美國,US