半導體裝置的制造方法和半導體裝置制造方法及圖紙

本發明專利技術提供一種半導體裝置的制造方法，該半導體裝置的制造方法包括：準備工序，準備主面形成有電路的半導體晶片；貼附工序，將半導體晶片貼附于粘接層；第一分割工序，通過沿切割區域對貼附于粘接層的狀態的半導體晶片進行分割，而獲得多個半導體芯片；密封工序，在將多個半導體芯片的主面貼附于粘接層的狀態下，將多個半導體芯片一起密封，由此在半導體芯片的側面之間的間隙和半導體芯片的背面上形成包含半導體密封樹脂組合物的密封材料層；和第二分割工序，通過對形成在半導體芯片的側面之間的間隙的密封材料層進行分割，而獲得在側面和背面形成有密封材料層的多個上述半導體芯片。

Method for manufacturing semiconductor device and semiconductor device

The present invention provides a method for manufacturing a semiconductor device, the semiconductor device manufacturing method includes: preparation, preparation of semiconductor wafer with a circuit forming the main surface; attaching process, the semiconductor wafer is adhered to the adhesive layer; the first step segmentation, segmentation of the semiconductor chip state along the cutting area of the attached to the adhesive layer the obtained a plurality of semiconductor chips; sealing process, the main surface of a semiconductor chip is attached to the adhesive layer under the condition of a plurality of semiconductor chips with sealing material layer, containing resin composition for sealing semiconductor sealing is formed on the side of the back of the gap between the semiconductor chip and semiconductor chip on the second; and through the segmentation process, the sealing material layer is formed in the gap between the side surface of the semiconductor chip segmentation, and get on the side And a plurality of semiconductor chips formed with a sealing material layer on the back surface.

【技術實現步驟摘要】
【國外來華專利技術】半導體裝置的制造方法和半導體裝置
本專利技術涉及一種半導體裝置的制造方法和半導體裝置。
技術介紹
在目前的半導體裝置的制造工藝中，利用密封樹脂將單片化的半導體芯片個別地進行密封。作為這種技術，例如有專利文獻1所記載的技術。在該文獻中，記載了利用筒夾拾取半導體芯片并安裝在基板后，使用半導體密封用環氧樹脂并利用傳遞模塑法將半導體芯片個別地密封(專利文獻1)。專利文獻2中記載了從半導體晶片將芯片單片化的技術。具體而言，通過半切割，在半導體晶片的主面形成槽。通過對背面進行研磨，將包含半導體的芯片單片化。單片化的芯片在表面露出基底半導體的狀態下被拾取后進行芯片焊接?，F有技術文獻專利文獻專利文獻1：日本特開平9-107046號公報專利文獻2：日本特開2011-210927號公報
技術實現思路
專利技術所要解決的課題然而，在上述文獻記載的半導體封裝體的制造工藝中，由于將各半導體芯片個別地進行密封，在生產率方面具有改善的余地。并且，專利技術人進行研究后得知，當利用筒夾拾取芯片時，會產生芯片破裂(碎裂)。即上述文獻所記載的技術在可靠性方面具有改善的余地。用于解決課題的方法本專利技術人進一步研究后發現，當拾取半導體芯片時，通過保護半導體芯片的表面能夠抑制碎裂。根據這種見解進而深入研究后發現，通過將多個半導體芯片一起密封并且對相鄰芯片之間進行分割，能夠獲得側面和背面(與電路形成面相反的一側)被密封材料層覆蓋的半導體芯片。而且，發現對該半導體芯片進行操作時的碎裂得到抑制，從而完成本專利技術。根據本專利技術，提供一種半導體裝置的制造方法，其包括：準備工序，準備主面形成有電路的半導體晶片；貼附工序，將上述半導體晶片貼附于粘接層；第一分割工序，通過沿著切割區域對貼附于上述粘接層的狀態的上述半導體晶片進行分割而獲得多個半導體芯片；密封工序，在多個上述半導體芯片的上述主面貼附于上述粘接層的狀態下，將多個上述半導體芯片一起密封，由此在上述半導體芯片的側面之間的間隙和上述半導體芯片的背面上形成包含半導體密封樹脂組合物的密封材料層；和第二分割工序，對形成在上述半導體芯片的上述側面之間的間隙的上述密封材料層進行分割，而獲得在上述側面和上述背面形成有上述密封材料層的多個上述半導體芯片。并且，根據本專利技術，提供一種半導體裝置的制造方法，其包括：準備結構體的工序，該結構體具備粘接部件和貼附于上述粘接部件的粘接面的多個半導體芯片，多個上述半導體芯片相互隔著規定間隔而配置，并且多個上述半導體芯片的電路形成面貼附于上述粘接部件的上述粘接面；使處于流動狀態的半導體密封用樹脂組合物與多個上述半導體芯片進行接觸，在上述間隔填充上述半導體密封用樹脂組合物，并且利用上述半導體密封用樹脂組合物覆蓋上述半導體芯片的與電路形成面相反的一側的面和側面而進行密封的工序；和使上述半導體密封用樹脂組合物固化的工序。并且，根據本專利技術，提供一種半導體裝置，其具備：主面形成有電路的半導體芯片；形成在上述主面的凸塊；和覆蓋上述半導體芯片的側面和與上述主面相反的一側的背面的密封材料層。專利技術效果根據本專利技術，能夠提供一種可靠性和生產率優異的半導體裝置的制造方法，并且能夠提供一種在可靠性方面得到改善的半導體裝置。附圖說明通過以下所述的優選實施方式和與之附帶的以下附圖進一步明確上述目的和其他目的、特征和優點。圖1為表示本實施方式所涉及的半導體裝置的一例的剖面圖。圖2為表示本實施方式所涉及的半導體裝置的一例的剖面圖。圖3為用于說明本實施方式所涉及的半導體裝置的制造方法的一例的工序剖面圖。圖4為用于說明本實施方式所涉及的半導體裝置的制造方法的一例的工序剖面圖。圖5為用于說明本實施方式所涉及的半導體裝置的制造方法的一例的工序剖面圖。圖6為本實施方式所涉及的制造方法中在使相鄰的半導體芯片間的間隔擴大時可使用的擴展裝置的結構例。圖7為本實施方式所涉及的制造方法中在使相鄰的半導體芯片間的間隔擴大時可使用的擴展裝置的結構例。圖8為表示本實施方式所涉及的半導體裝置的一例的剖面圖。圖9為用于說明本實施方式所涉及的半導體裝置的制造方法的一例的圖。圖10為用于說明本實施方式所涉及的半導體裝置的制造方法的一例的圖。圖11為表示本實施方式所涉及的半導體裝置的制造方法中的半導體晶片的切割區域的俯視概念圖。圖12為用于說明本實施方式所涉及的半導體裝置的制造方法的一例的圖。圖13為用于說明本實施方式所涉及的半導體裝置的制造方法的一例的圖。具體實施方式以下，利用附圖對本專利技術的實施方式進行說明。另外，所有附圖中，對相同的構成要件標注相同的符號，并適當省略說明。＜第一實施方式＞對本實施方式所涉及的半導體裝置的制造方法進行說明。本實施方式的半導體裝置8的制造方法包括：準備結構體7的工序，該結構體7具備粘接部件10或30(粘接層)和貼附于粘接部件10或30的粘接面的多個半導體芯片5，多個半導體芯片5相互隔著規定間隔而配置，并且多個半導體芯片5的電路形成面貼附于粘接部件10或30的粘接面；使處于流動狀態的半導體密封用樹脂組合物49與多個半導體芯片5進行接觸，在相鄰的半導體芯片5之間的間隔填充半導體密封用樹脂組合物49，并利用半導體密封用樹脂組合物49覆蓋半導體芯片5的與電路形成面相反的一側的面和側面而進行密封的工序；和使半導體密封用樹脂組合物49固化的工序。本實施方式的半導體裝置的制造方法中，能夠獲得以下的半導體裝置8，該半導體裝置8能夠在利用半導體密封用樹脂組合物的固化體(密封材料層40)覆蓋并保護半導體芯片5的與電路形成面(主面3)相反的一側的面(背面4)和側面9的狀態下利用筒夾進行拾取。由此，能夠在利用筒夾等操作裝置進行拾取時防止操作裝置直接接觸半導體芯片5，或者能夠通過半導體密封用樹脂組合物的固化體(密封材料層40)緩和筒夾等操作裝置接觸時對半導體芯片5施加的沖擊。因此，能夠預先防止因利用筒夾等操作裝置拾取半導體芯片5時施加的沖擊而導致半導體芯片5破損(碎裂)。因此，能夠實現具有可靠性優異的結構的半導體裝置。在此，關于專利文獻2所記載的單片化的半導體芯片，其側面和背面(與形成有凸塊的面相反的一側的面)未受到保護，為露出基底半導體材料的狀態。根據本專利技術人的研究可判明，若在該表面露出的狀態下實施拾取或搬送等操作，則該半導體芯片產生碎裂的可能性高。相對于此，在本實施方式的制造工藝中，能夠在半導體芯片5的側面9和背面4(與主面3相反的一側的面)形成有密封材料層40的狀態下操作半導體芯片5。由此，能夠抑制拾取或搬送時產生的碎裂。因此，根據本實施方式的半導體裝置的制造方法，與現有的制造工藝相比，能夠獲得可靠性優異的半導體裝置8。并且，根據本實施方式的半導體裝置8的制造方法，能夠在單片化后將多個半導體芯片5一起進行樹脂密封。因此，能夠提高半導體裝置8的生產率。因此，在本實施方式中，可以實現能夠兼顧可靠性和生產率的半導體裝置的制造方法。以下，對半導體裝置的制造方法的各工序進行說明。圖3～圖5為用于說明本實施方式所涉及的半導體裝置8的制造方法的一例的工序剖面圖。圖3(a)為表示本實施方式所涉及的半導體晶片1的一例的圖。圖3(b)為表示在電路形成面貼附有保護膜10的半導體晶片1的圖。圖3(c)為表示對與電路形成面相反的一側的面進行研磨而成的半導體晶片1的圖。圖3(d本文檔來自技高網...

【技術保護點】
一種半導體裝置的制造方法，其特征在于，包括：準備工序，準備主面形成有電路的半導體晶片；貼附工序，將所述半導體晶片貼附于粘接層；第一分割工序，通過沿切割區域對貼附于所述粘接層的狀態的所述半導體晶片進行分割，而獲得多個半導體芯片；密封工序，在多個所述半導體芯片的所述主面貼附于所述粘接層的狀態下，將多個所述半導體芯片一起密封，由此在所述半導體芯片的側面之間的間隙和所述半導體芯片的背面上形成包含半導體密封樹脂組合物的密封材料層；和第二分割工序，通過對形成在所述半導體芯片的所述側面之間的間隙的所述密封材料層進行分割，而獲得在所述側面和所述背面形成有所述密封材料層的多個所述半導體芯片。

【技術特征摘要】
【國外來華專利技術】2014.08.29 JP 2014-1751351.一種半導體裝置的制造方法，其特征在于，包括：準備工序，準備主面形成有電路的半導體晶片；貼附工序，將所述半導體晶片貼附于粘接層；第一分割工序，通過沿切割區域對貼附于所述粘接層的狀態的所述半導體晶片進行分割，而獲得多個半導體芯片；密封工序，在多個所述半導體芯片的所述主面貼附于所述粘接層的狀態下，將多個所述半導體芯片一起密封，由此在所述半導體芯片的側面之間的間隙和所述半導體芯片的背面上形成包含半導體密封樹脂組合物的密封材料層；和第二分割工序，通過對形成在所述半導體芯片的所述側面之間的間隙的所述密封材料層進行分割，而獲得在所述側面和所述背面形成有所述密封材料層的多個所述半導體芯片。2.如權利要求1所述的半導體裝置的制造方法，其特征在于：所述貼附工序包括：將所述半導體晶片的主面貼附于所述粘接層的工序；和通過將所述半導體晶片的背面去除而使所述半導體晶片的膜厚變薄的工序。3.如權利要求2所述的半導體裝置的制造方法，其特征在于：使膜厚變薄的所述工序之后的所述半導體晶片的膜厚為100μm以上300μm以下。4.如權利要求1～3中任一項所述的半導體裝置的制造方法，其特征在于：所述第二分割工序中的分割寬度比所述第一分割工序中的分割寬度小。5.如權利要求1～4中任一項所述的半導體裝置的制造方法，其特征在于：所述第一分割工序包括：通過在所述半導體晶片的所述背面貼附于所述粘接層的狀態下對所述半導體晶片進行分割而獲得多個所述半導體芯片的工序；和擴大相鄰的所述半導體芯片之間的間隔的擴展工序，所述密封工序在擴大所述半導體芯片之間的間隔的狀態下實施。6.如權利要求5所述的半導體裝置的制造方法，其特征在于：所述第一分割工序在分割所述半導體晶片并在所述粘接層形成切口之后實施所述擴展工序。7.如權利要求1～6中任一項所述的半導體裝置的制造方法，其特征在于：在所述準備工序中，所述半導體晶片的所述主面上形成有外部連接用凸塊。8.如權利要求1～6中任一項所述的半導體裝置的制造方法，其特征在于：在所述密封工序之后，包括在所述半導體晶片的所述主面上形成外部連接用凸塊的工序，之后實施所述第二分割工序。9.一種半導體裝置的制造方法，其特征在于，包括：準備結構體的工序，該結構體具備粘接部件和貼附于所述粘接部件的粘接面的多個半導體芯片，多個所述半導體芯片相互隔著規定間隔而配置，并且多個所述半導體芯片的電路形成面貼附于所述粘接部件...

【專利技術屬性】
技術研發人員：森弘就，
申請(專利權)人：住友電木株式會社，
類型：發明
國別省市：日本,JP