GOA電路結構制造技術

本發(fā)明專利技術提供一種GOA電路結構，該GOA電路結構制作于超薄的柔性基板的正面與背面，并通過在柔性基板上開設過孔，利用穿越所述過孔的走線將正面的GOA電路與背面的GOA電路中的TFT電性連接到一起，從而減少GOA電路占用的布線面積，使得相同面積的基板區(qū)域可以承載近乎兩倍面積的電路結構，大幅降低邊緣非顯示區(qū)的寬度，實現(xiàn)高分辨率顯示面板的無邊框或超窄邊框顯示。

GOA circuit structure

The invention provides a GOA circuit structure, the front and back of the flexible substrate GOA circuit structure fabricated on thin, and through the open hole on the flexible substrate, using the wire through the hole of the GOA circuit GOA circuit and back positive in TFT electrically connected together, thereby reducing the the area occupied by the circuit wiring GOA, the base areas of the same area can carry almost two times the area of the circuit structure, greatly reduce the edge non display zone width of the panel, high resolution display without borders or ultra narrow frame display.

【技術實現(xiàn)步驟摘要】
GOA電路結構
本專利技術涉及顯示
，尤其涉及一種GOA電路結構。
技術介紹
液晶顯示器(LiquidCrystalDisplay，LCD)具有機身薄、省電、無輻射等眾多優(yōu)點，得到了廣泛的應用。如：液晶電視、移動電話、個人數(shù)字助理(PDA)、數(shù)字相機、計算機屏幕或筆記本電腦屏幕等，在平板顯示領域中占主導地位。現(xiàn)有市場上的液晶顯示器大部分為背光型液晶顯示器，其包括液晶顯示面板及背光模組(backlightmodule)。液晶顯示面板的工作原理是在薄膜晶體管陣列基板(ThinFilmTransistorArraySubstrate，TFTArraySubstrate)與彩色濾光片基板(ColorFilter，CF)之間灌入液晶分子，并在兩片基板上施加驅動電壓來控制液晶分子的旋轉方向，以將背光模組的光線折射出來產生畫面。主動矩陣式液晶顯示器(ActiveMatrixLiquidCrystalDisplay，AMLCD)是目前最常用的液晶顯示器，包含多個像素，每個像素各受一個薄膜晶體管(ThinFilmTransistor，TFT)的控制，該TFT的柵極連接至沿水平方向延伸的掃描線，漏極連接至沿垂直方向延伸的數(shù)據(jù)線，源極連接至對應的像素電極。如果在水平方向的某一掃描線上施加足夠的正電壓，則會使得連接在該條掃描線上的所有TFT打開，將數(shù)據(jù)線上所加載的數(shù)據(jù)信號電壓寫入像素電極中，控制不同液晶的透光度進而達到控制色彩的效果。主動矩陣式液晶顯示器水平掃描線的驅動(即柵極驅動)最初由外接的集成電路(IntegratedCircuit，IC)來完成，外接的IC可以控制各級水平掃描線的逐級充電和放電。GOA技術(GateDriveronArray)即陣列基板行驅動技術，可以運用液晶顯示面板的陣列制程將水平掃描線的驅動電路制作在顯示區(qū)周圍的基板上，使之能替代外接IC來完成水平掃描線的驅動。GOA技術能減少外接IC的焊接(bonding)工序，有機會提升產能并降低產品成本，而且可以使液晶顯示面板更適合制作窄邊框的顯示產品。隨著顯示技術的不斷發(fā)展，顯示器的分辨率也越來越高，對于相同尺寸的顯示器，顯示器的分辨率越高，需要設置的GOA電路級數(shù)也就越多，需要的占用的布線面積也越大，顯示面板邊框寬度也不斷增大，不利于顯示面板的超窄邊框或無邊框顯示的實現(xiàn)，導致GOA電路失去了在制作窄邊框的顯示產品上的優(yōu)勢。
技術實現(xiàn)思路
本專利技術的目的在于提供一種GOA電路結構，能夠減少GOA電路占用的布線面積，縮短液晶顯示器的邊緣非顯示區(qū)寬度，實現(xiàn)無邊框或超窄邊框顯示。為實現(xiàn)上述目的，本專利技術提供一種GOA電路結構，包括：柔性基板、設于所述柔性基板正面的第一TFT層、設于所述柔性基板背面的第二TFT層、以及分別穿過設于柔性基板的多個過孔分別電性連接所述第一TFT層與所述第二TFT層的多條走線。所述柔性基板的材料為聚酰亞胺、聚對苯二甲酸乙二醇酯、環(huán)烯烴共聚物、或者聚醚砜樹脂。所述柔性基板的厚度為10至300微米。所述第一TFT層與第二TFT層均包括至少一個TFT，每一個TFT均包括設于所述柔性基板上的柵極、覆蓋所述柵極的柵極絕緣層、設于所述柵極上的柵極絕緣層上的半導體層、以及設于柵極絕緣層上的分別與所述半導體層的兩端相接觸的源極與漏極。所述過孔與所述走線的數(shù)量一一對應，每一個過孔中設有一條走線。每一個過孔設有至少兩條走線，同一個過孔中的各條走線通過絕緣層分隔。所述第二TFT層以及設于所述柔性基板背面的走線上還覆蓋有保護層。所述保護層的材料為氧化硅。述多個過孔通過激光打孔工藝、或化學腐蝕工藝制作。所述走線的材料為銅、或石墨烯。本專利技術的有益效果：本專利技術提供了一種GOA電路結構，該GOA電路結構制作于超薄的柔性基板的正面與背面，并通過在柔性基板上開設過孔，利用穿越所述過孔的走線將正面的GOA電路與背面的GOA電路中的TFT電性連接到一起，從而減少GOA電路占用的布線面積，使得相同面積的基板區(qū)域可以承載近乎兩倍面積的電路結構，大幅降低邊緣非顯示區(qū)的寬度，實現(xiàn)高分辨率顯示面板的無邊框或超窄邊框顯示。附圖說明為了能更進一步了解本專利技術的特征以及
技術實現(xiàn)思路
，請參閱以下有關本專利技術的詳細說明與附圖，然而附圖僅提供參考與說明用，并非用來對本專利技術加以限制。附圖中，圖1為本專利技術的GOA電路結構的第一實施例正面示意圖；圖2為本專利技術的GOA電路結構的第一實施例背面示意圖；圖3為本專利技術的GOA電路結構的第二實施例的剖面示意圖。具體實施方式為更進一步闡述本專利技術所采取的技術手段及其效果，以下結合本專利技術的優(yōu)選實施例及其附圖進行詳細描述。請參閱圖1至圖3，本專利技術提供一種GOA電路結構，包括：柔性基板1、設于所述柔性基板1正面的第一TFT層2、設于所述柔性基板1背面的第二TFT層3、以及分別穿過設于柔性基板1的多個過孔4分別電性連接所述第一TFT層2與所述第二TFT層3的多條走線5。需要說明的是，由于TFT的連接，往往需要多個信號的輸入，也就是說所述第一TFT層2與第二TFT層3之間的連接往往需要多條走線5，用于傳輸不同的信號，此時該傳輸不同的信號的走線5既可以像圖1和圖2所示的那樣，在同一個過孔4中設置多條由絕緣層隔開的走線5分別傳輸不同信號，也即過孔4中具有多層金屬結構，也可以如圖3所示的那樣，將每一個過孔4對應一條走線5，將傳輸不同信號的走線5分開設置，也即每一個過孔4中僅具有一層金屬結構。具體地，請參閱圖1及圖2，其為本專利技術的第一實施例采用在同一個過孔4中設置多條由絕緣層隔開的走線5分別傳輸不同信號的技術方案，其為一個典型的4T結構GOA電路，其包括：第一TFTT1、第二TFTT2、第三TFTT3、以及第四TFTT4，其中第一TFTT1和第二TFTT2位于所述柔性基板1的正面形成第一TFT層2，第三TFTT3及第四TFTT4位于所述柔性基板1的背面形成第二TFT層3，所述柔性基板1上設有一過孔4，所述過孔4中設有兩條走線5，其中一條走線5穿越該過孔4將所述第一TFTT1的漏極以及第四TFTT4的源極連接到一起，另一條走線5也穿越該過孔4將所述第二TFTT2的漏極以及第三TFTT3的源極和第四TFTT4的柵極連接到一起，該兩條走線5通過絕緣層隔開(未圖示)。具體地，請參閱圖3，其為本專利技術的第二實施例采用每一個過孔4對應一條走線5傳輸不同信號的走線5分開設置的技術方案，所述第二實施例示意了本專利技術優(yōu)選的一種TFT結構，包括：設于所述柔性基板1上的柵極21、覆蓋所述柵極21的柵極絕緣層22、設于所述柵極21上的柵極絕緣層22上的半導體層23、以及設于柵極絕緣層22上的分別與所述半導體層23的兩端相接觸的源極24與漏極25，此時，如圖3所示，連接所述柔性基板1正面與背面的兩個TFT的柵極21的走線5和連接所述柔性基板1正面與背面的兩個TFT的漏極25的走線5分別位于不同的過孔4中。可以理解的是，所述第二實施例中示意出的TFT結構同樣可以應用于第一實施例中，當然根據(jù)設計需要本專利技術的還可以采用其他結構的TFT，這并不會影響本專利技術的實現(xiàn)。進一步地，所述柔性基板1的材料為聚酰亞胺、聚對苯二甲酸乙二醇酯、環(huán)烯烴共聚物、或者聚醚砜樹脂等超薄的柔性材料，所述柔性基板1的厚度為10至300微米。由于本專利技術采本文檔來自技高網...

【技術保護點】
一種GOA電路結構，其特征在于，包括：柔性基板(1)、設于所述柔性基板(1)正面的第一TFT層(2)、設于所述柔性基板(1)背面的第二TFT層(3)、以及分別穿過設于柔性基板(1)的多個過孔(4)分別電性連接所述第一TFT層(2)與所述第二TFT層(3)的多條走線(5)。

【技術特征摘要】
1.一種GOA電路結構，其特征在于，包括：柔性基板(1)、設于所述柔性基板(1)正面的第一TFT層(2)、設于所述柔性基板(1)背面的第二TFT層(3)、以及分別穿過設于柔性基板(1)的多個過孔(4)分別電性連接所述第一TFT層(2)與所述第二TFT層(3)的多條走線(5)。2.如權利要求1所述的GOA電路結構，其特征在于，所述柔性基板(1)的材料為聚酰亞胺、聚對苯二甲酸乙二醇酯、環(huán)烯烴共聚物、或者聚醚砜樹脂。3.如權利要求1所述的GOA電路結構，其特征在于，所述柔性基板(1)的厚度為10至300微米。4.如權利要求1所述的GOA電路結構，其特征在于，所述第一TFT層(2)與第二TFT層(3)均包括至少一個TFT，每一個TFT均包括設于所述柔性基板(1)上的柵極(21)、覆蓋所述柵極(21)的柵極絕緣層(22)、設于所述柵極(21)上的柵極絕緣層(22)上的半導體層(2...

【專利技術屬性】
技術研發(fā)人員：王剛，陳黎暄，
申請(專利權)人：深圳市華星光電技術有限公司，
類型：發(fā)明
國別省市：廣東,44