一種自諧振射頻功率源制造技術(shù)

本申請(qǐng)?zhí)峁┝艘环N自諧振射頻功率源，包括：場(chǎng)效應(yīng)管、功率耦合控制單元、頻率選擇單元、第一匹配電路、第二匹配電路及第三匹配電路；其中，所述場(chǎng)效應(yīng)管、所述第一匹配電路、所述功率耦合控制單元、第二匹配電路、所述頻率選擇單元及所述第三匹配電路依次連接構(gòu)成反饋環(huán)路；當(dāng)所述反饋環(huán)路達(dá)到反饋深度和相位的條件時(shí)，所述場(chǎng)效應(yīng)管自發(fā)大功率震蕩，從而產(chǎn)生在需要工作頻率范圍內(nèi)的功率信號(hào)。

A self resonating RF power source

The invention provides a self resonant RF power source, including: FET, power coupling control unit, frequency selection unit, a first matching circuit, second matching circuit and three matching circuit; wherein, the FET, the first matching circuit, the power coupling matching circuit, control unit, second the frequency selection unit and the third matching circuit are connected to form a feedback loop; when the feedback loop to achieve feedback depth and phase conditions, the high power FET spontaneous shocks, resulting in power signal in the frequency range of the need to work in.

【技術(shù)實(shí)現(xiàn)步驟摘要】
一種自諧振射頻功率源
本專利技術(shù)涉及半導(dǎo)體
，更具體地說(shuō)，涉及一種自諧振射頻功率源。
技術(shù)介紹
現(xiàn)有生活中，射頻功率源目前已廣泛應(yīng)用與生活，工業(yè)等領(lǐng)域中，隨著科學(xué)技術(shù)的高速發(fā)展，市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)愈加激烈，對(duì)射頻功率源提出更多的要求，開(kāi)發(fā)適應(yīng)時(shí)代的射頻功率源將會(huì)是時(shí)代主流。傳統(tǒng)的射頻功率源采用鎖相環(huán)產(chǎn)品，通過(guò)將低功率頻率經(jīng)過(guò)濾波處理，再通過(guò)調(diào)相位和調(diào)振幅芯片后，再通過(guò)三級(jí)到四級(jí)的放大，才輸出至較大功率。為了實(shí)現(xiàn)輸出大功率，傳統(tǒng)的射頻功率源所用器件多，成本高。
技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路
為解決上述問(wèn)題，本專利技術(shù)提供了一種一種自諧振射頻功率源，該自諧振射頻功率源所用器件少，成本低。為實(shí)現(xiàn)上述目的，本專利技術(shù)提供如下技術(shù)方案：一種自諧振射頻功率源，包括：場(chǎng)效應(yīng)管、功率耦合控制單元、頻率選擇單元、第一匹配電路、第二匹配電路及第三匹配電路；其中，所述場(chǎng)效應(yīng)管、所述第一匹配電路、所述功率耦合控制單元、第二匹配電路、所述頻率選擇單元及所述第三匹配電路依次連接構(gòu)成反饋環(huán)路；所述第一匹配電路、所述第二匹配電路及所述第三匹配電路用于使所述場(chǎng)效應(yīng)管、所述功率耦合控制單元及所述頻率選擇單元三者之間匹配連接；所述功率耦合控制單元用于控制反饋到所述功率耦合控制單元的輸入功率的大?。凰鲱l率選擇單元用于選擇在工作頻率范圍內(nèi)的頻率并返回給所述頻率選擇單元；當(dāng)所述反饋環(huán)路達(dá)到反饋深度和相位的條件時(shí)，所述場(chǎng)效應(yīng)管自發(fā)震蕩，從而產(chǎn)生在需要工作頻率范圍內(nèi)的功率信號(hào)。優(yōu)選的，在上述自諧振射頻功率源中，所述場(chǎng)效應(yīng)管、所述第一匹配電路、所述功率耦合控制單元、第二匹配電路、所述頻率選擇單元及所述第三匹配電路依次連接構(gòu)成反饋環(huán)路包括：所述場(chǎng)效應(yīng)管的漏極與所述第一匹配電路一端連接，所述第一匹配電路另一端與所述功率耦合控制單元一端連接，所述功率耦合控制單元另一端與所述第二匹配電路一端連接，所述第二匹配電路另一端與所述頻率選擇單元一端連接，所述頻率選擇單元另一端與所述第三匹配電路一端連接，所述第三匹配電路另一端與所述場(chǎng)效應(yīng)管的柵極連接構(gòu)成反饋環(huán)路；所述場(chǎng)效應(yīng)管的源極與接地端連接。優(yōu)選的，在上述自諧振射頻功率源中，還包括：?jiǎn)纹瑱C(jī)，所述單片機(jī)的輸出端與所述場(chǎng)效應(yīng)管的漏極連接。優(yōu)選的，在上述自諧振射頻功率源中，還包括：當(dāng)所述單片機(jī)在所述場(chǎng)效應(yīng)管的漏極輸出不同的柵極電壓時(shí)，可以控制所述自諧振射頻功率源在工作頻率范圍內(nèi)的工作頻率。優(yōu)選的，在上述自諧振射頻功率源中，當(dāng)所述單片機(jī)在所述場(chǎng)效應(yīng)管的漏極輸出不同的柵極電壓時(shí)，可以控制所述自諧振射頻功率源在工作頻率范圍內(nèi)的工作頻率包括：當(dāng)所述單片機(jī)在所述場(chǎng)效應(yīng)管的漏極輸出不同的柵極電壓，通過(guò)改變所述場(chǎng)效應(yīng)管的寄生參數(shù)，再配合所述頻率選擇單元及所述功率耦合控制單元，進(jìn)而控制所述自諧振射頻功率源在工作頻率范圍內(nèi)的工作頻率。優(yōu)選的，在上述自諧振射頻功率源中，所述寄生參數(shù)包括：柵極寄生對(duì)地電容、柵極寄生對(duì)地電阻及漏極寄生對(duì)地電容。優(yōu)選的，在上述自諧振射頻功率源中，還包括：當(dāng)所述單片機(jī)在所述場(chǎng)效應(yīng)管的漏極輸出不同的漏極電壓時(shí)，可以改變所述自諧振射頻功率源的工作功率的大小。優(yōu)選的，在上述自諧振射頻功率源中，當(dāng)所述單片機(jī)在所述場(chǎng)效應(yīng)管的漏極輸出不同的漏極電壓時(shí)，可以改變所述自諧振射頻功率源在工作頻率范圍內(nèi)的工作功率的大小包括：當(dāng)所述單片機(jī)在所述場(chǎng)效應(yīng)管的漏極輸出不同的漏極電壓，通過(guò)改變所述場(chǎng)效應(yīng)管的飽和輸出功率，在配合所述頻率選擇單元及所述功率耦合控制單元，可以改變所述自諧振射頻功率源在工作頻率范圍內(nèi)的工作頻率的大小。通過(guò)上述描述可知，本專利技術(shù)提供的一種自諧振射頻功率源，包括：場(chǎng)效應(yīng)管、功率耦合控制單元、頻率選擇單元、第一匹配電路、第二匹配電路及第三匹配電路；其中，所述場(chǎng)效應(yīng)管、所述第一匹配電路、所述功率耦合控制單元、第二匹配電路、所述頻率選擇單元及所述第三匹配電路依次連接構(gòu)成反饋環(huán)路；所述第一匹配電路、所述第二匹配電路及所述第三匹配電路用于使所述場(chǎng)效應(yīng)管、所述功率耦合控制單元及所述頻率選擇單元三者之間匹配連接；所述功率耦合控制單元用于控制反饋到所述功率耦合控制單元的輸入功率的大??；所述頻率選擇單元用于選擇在工作頻率范圍內(nèi)的頻率并返回給所述頻率選擇單元；當(dāng)所述反饋環(huán)路達(dá)到反饋深度和相位的條件時(shí)，所述場(chǎng)效應(yīng)管自發(fā)震蕩，從而產(chǎn)生在需要工作頻率范圍內(nèi)的功率信號(hào)。根據(jù)
技術(shù)介紹
可知，傳統(tǒng)的射頻功率源采用鎖相環(huán)產(chǎn)品，通過(guò)將低功率頻率經(jīng)過(guò)濾波處理，再通過(guò)調(diào)相位和調(diào)振幅芯片后，再通過(guò)三級(jí)到四級(jí)的放大，才輸出至較大功率。為了實(shí)現(xiàn)輸出大功率，傳統(tǒng)的射頻功率源所用器件多，成本高。而本專利技術(shù)提供的自諧振射頻功率源，充分利用一個(gè)場(chǎng)效應(yīng)管半導(dǎo)體芯片的各種特性，在加電時(shí)，所述場(chǎng)效應(yīng)管在所述頻率選擇單元及所述功率耦合控制單元的配合下，自動(dòng)產(chǎn)生大功率震蕩，且穩(wěn)定輸出在大于1W的射頻功率，同時(shí)當(dāng)改變自身寄生參數(shù)時(shí)，可以達(dá)到震蕩頻率調(diào)節(jié)控制的目的。因此本專利技術(shù)提供的自諧振射頻功率源，所用器件少，進(jìn)而成本低。附圖說(shuō)明為了更清楚地說(shuō)明本專利技術(shù)實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對(duì)實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡(jiǎn)單地介紹，顯而易見(jiàn)地，下面描述中的附圖僅僅是本專利技術(shù)的實(shí)施例，對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來(lái)講，在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下，還可以根據(jù)提供的附圖獲得其他的附圖。圖1為本申請(qǐng)實(shí)施例提供的一種自諧振射頻功率源自諧振產(chǎn)生大功率的框架結(jié)構(gòu)圖；圖2為本申請(qǐng)實(shí)施例提供的一種自諧振射頻功率源達(dá)到控制工作頻率的框架結(jié)構(gòu)圖；圖3為本申請(qǐng)實(shí)施例提供的一種自諧振射頻功率源達(dá)到控制工作功率的框架結(jié)構(gòu)圖。具體實(shí)施方式下面將結(jié)合本專利技術(shù)實(shí)施例中的附圖，對(duì)本專利技術(shù)實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實(shí)施例僅僅是本專利技術(shù)一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例?；诒緦＠夹g(shù)中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒(méi)有做出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所獲得的所有其他實(shí)施例，都屬于本專利技術(shù)保護(hù)的范圍。根據(jù)
技術(shù)介紹
可知，傳統(tǒng)的射頻功率源采用鎖相環(huán)產(chǎn)品，通過(guò)將低功率頻率經(jīng)過(guò)濾波處理，再通過(guò)調(diào)相位和調(diào)振幅芯片后，再通過(guò)三級(jí)到四級(jí)的放大，才輸出至較大功率。為了實(shí)現(xiàn)輸出大功率，傳統(tǒng)的射頻功率源所用器件多，成本高。為了解決上述問(wèn)題，本專利技術(shù)實(shí)施例提供了一種自諧振射頻功率源，該自諧振射頻功率源包括：場(chǎng)效應(yīng)管、功率耦合控制單元、頻率選擇單元、第一匹配電路、第二匹配電路及第三匹配電路；其中，所述場(chǎng)效應(yīng)管、所述第一匹配電路、所述功率耦合控制單元、第二匹配電路、所述頻率選擇單元及所述第三匹配電路依次連接構(gòu)成反饋環(huán)路；所述第一匹配電路、所述第二匹配電路及所述第三匹配電路用于使所述場(chǎng)效應(yīng)管、所述功率耦合控制單元及所述頻率選擇單元三者之間匹配連接；所述功率耦合控制單元用于控制反饋到所述功率耦合控制單元的輸入功率的大??；所述頻率選擇單元用于選擇在工作頻率范圍內(nèi)的頻率并返回給所述頻率選擇單元；當(dāng)所述反饋環(huán)路達(dá)到反饋深度和相位的條件時(shí)，所述場(chǎng)效應(yīng)管自發(fā)震蕩，從而產(chǎn)生在需要工作頻率范圍內(nèi)的功率信號(hào)。通過(guò)上述描述可知，本專利技術(shù)提供的一種自諧振射頻。充分利用一個(gè)場(chǎng)效應(yīng)管半導(dǎo)體芯片的各種特性，在加電時(shí)，所述場(chǎng)效應(yīng)管在所述頻率選擇單元及所述功率耦合控制單元的配合下，自動(dòng)產(chǎn)生大功率震蕩，且穩(wěn)定輸出在大于1W的射頻功率。所用器件少，成本低。為了更加詳細(xì)的說(shuō)明本專利技術(shù)實(shí)施例，下面結(jié)合附圖對(duì)本專利技術(shù)實(shí)施例進(jìn)行具本文檔來(lái)自技高網(wǎng)...

【技術(shù)保護(hù)點(diǎn)】
一種自諧振射頻功率源，其特征在于，包括：場(chǎng)效應(yīng)管、功率耦合控制單元、頻率選擇單元、第一匹配電路、第二匹配電路及第三匹配電路；其中，所述場(chǎng)效應(yīng)管、所述第一匹配電路、所述功率耦合控制單元、第二匹配電路、所述頻率選擇單元及所述第三匹配電路依次連接構(gòu)成反饋環(huán)路；所述第一匹配電路、所述第二匹配電路及所述第三匹配電路用于使所述場(chǎng)效應(yīng)管、所述功率耦合控制單元及所述頻率選擇單元三者之間匹配連接；所述功率耦合控制單元用于控制反饋到所述功率耦合控制單元的輸入功率的大小；所述頻率選擇單元用于選擇在工作頻率范圍內(nèi)的頻率并返回給所述頻率選擇單元；當(dāng)所述反饋環(huán)路達(dá)到反饋深度和相位的條件時(shí)，所述場(chǎng)效應(yīng)管自發(fā)震蕩，從而產(chǎn)生在需要工作頻率范圍內(nèi)的功率信號(hào)。

【技術(shù)特征摘要】
1.一種自諧振射頻功率源，其特征在于，包括：場(chǎng)效應(yīng)管、功率耦合控制單元、頻率選擇單元、第一匹配電路、第二匹配電路及第三匹配電路；其中，所述場(chǎng)效應(yīng)管、所述第一匹配電路、所述功率耦合控制單元、第二匹配電路、所述頻率選擇單元及所述第三匹配電路依次連接構(gòu)成反饋環(huán)路；所述第一匹配電路、所述第二匹配電路及所述第三匹配電路用于使所述場(chǎng)效應(yīng)管、所述功率耦合控制單元及所述頻率選擇單元三者之間匹配連接；所述功率耦合控制單元用于控制反饋到所述功率耦合控制單元的輸入功率的大?。凰鲱l率選擇單元用于選擇在工作頻率范圍內(nèi)的頻率并返回給所述頻率選擇單元；當(dāng)所述反饋環(huán)路達(dá)到反饋深度和相位的條件時(shí)，所述場(chǎng)效應(yīng)管自發(fā)震蕩，從而產(chǎn)生在需要工作頻率范圍內(nèi)的功率信號(hào)。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的自諧振射頻功率源，其特征在于，所述場(chǎng)效應(yīng)管、所述第一匹配電路、所述功率耦合控制單元、第二匹配電路、所述頻率選擇單元及所述第三匹配電路依次連接構(gòu)成反饋環(huán)路包括：所述場(chǎng)效應(yīng)管的漏極與所述第一匹配電路一端連接，所述第一匹配電路另一端與所述功率耦合控制單元一端連接，所述功率耦合控制單元另一端與所述第二匹配電路一端連接，所述第二匹配電路另一端與所述頻率選擇單元一端連接，所述頻率選擇單元另一端與所述第三匹配電路一端連接，所述第三匹配電路另一端與所述場(chǎng)效應(yīng)管的柵極連接構(gòu)成反饋環(huán)路；所述場(chǎng)效應(yīng)管的源極與接地端連接。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的自諧振射頻功率源，其特征在于，還包括：?jiǎn)纹瑱C(jī)...

【專利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員：竹磊，卓英浩，
申請(qǐng)(專利權(quán))人：蘇州遠(yuǎn)創(chuàng)達(dá)科技有限公司，
類型：發(fā)明
國(guó)別省市：江蘇,32