一種PECVD設備用底座制造技術

本實用新型專利技術公開了一種PECVD設備用底座，適用于包含針桿和針端的頂針，所述底座為一體式鋁制底座，所述底座開有容所述針桿穿過的通孔，所述底座還開有連通所述通孔頂部并容納所述針端的凹槽。本實用新型專利技術保證生產過程中不會產生氧化生銹。

【技術實現步驟摘要】
一種PECVD設備用底座
本技術涉及PECVD(PlasmaEnhancedChemicalVaporDeposition，等離子體增強化學氣相沉積法)設備。
技術介紹
在PLC(平面光波導)晶圓生產中，PECVD設備作為第一道也是最重要的一道工序，沉積芯層，但因為PECVD屬于高溫真空設備，如圖1所示，包括底座1’、頂針2’和軸承3’。保養前后降溫升溫，腔體保養過程中使用濕布擦拭腔體，對于腔體中頂針的不銹鋼軸承極其容易氧化生銹產生臟東西。
技術實現思路
本技術的目的在于提供一種用于PECVD設備的一體式鋁制底座，保證生產過程中不會產生氧化生銹。實現上述目的的技術方案是：一種PECVD設備用底座，適用于包含針桿和針端的頂針，所述底座為一體式鋁制底座，所述底座開有容所述針桿穿過的通孔，所述底座還開有連通所述通孔頂部并容納所述針端的凹槽。在上述的PECVD設備用底座中，所述通孔的直徑比所述針桿的直徑大1-2mm。在上述的PECVD設備用底座中，所述凹槽的寬度比所述針端的寬度大1-2mm。本技術的有益效果是：本技術采用一體式鋁制底座，可保證腔體工藝環境不被污染，長久保持腔體密封真空環境和提高生產效率。并且，去掉不銹鋼軸承有效降低成本。附圖說明圖1是現有PECVD設備用底座的剖面圖；圖2是本技術的PECVD設備用底座的剖面圖。具體實施方式下面將結合附圖對本技術作進一步說明。請參閱圖2，本技術的PECVD設備用底座，適用于包含針桿11和針端12的頂針1，底座3為一體式鋁制底座，底座3開有容針桿11穿過的通孔31，3底座還開有連通通孔31頂部并容納針端12的凹槽32。優選地，通孔31的直徑比針桿11的直徑大1-2mm。凹槽32的寬度比針端12的寬度大1-2mm。可以有效保護頂針1的同時，不影響生產。以上實施例僅供說明本技術之用，而非對本技術的限制，有關
的技術人員，在不脫離本技術的精神和范圍的情況下，還可以作出各種變換或變型，因此所有等同的技術方案也應該屬于本技術的范疇，應由各權利要求所限定。本文檔來自技高網...

【技術保護點】
一種PECVD設備用底座，適用于包含針桿和針端的頂針，其特征在于，所述底座為一體式鋁制底座，所述底座開有容所述針桿穿過的通孔，所述底座還開有連通所述通孔頂部并容納所述針端的凹槽。

【技術特征摘要】
1.一種PECVD設備用底座，適用于包含針桿和針端的頂針，其特征在于，所述底座為一體式鋁制底座，所述底座開有容所述針桿穿過的通孔，所述底座還開有連通所述通孔頂部并容納所述針端的凹槽。2.根據權...

【專利技術屬性】
技術研發人員：黃惠良，夏國帥，曹襲，
申請(專利權)人：上海鴻輝光通科技股份有限公司，
類型：新型
國別省市：上海,31