本實(shí)用新型專利技術(shù)提出一種抗電磁傳導(dǎo)干擾的開(kāi)關(guān)電源,其包括輸入整流濾波電路、電源管理電路、變壓器電路及輸出電路,所述變壓器電路包括初級(jí)繞組、次級(jí)繞組及輔助繞組;其中電源管理電路包括電源芯片U1、MOS管Q1、并聯(lián)電阻陣列、芯片供電子電路及抗干擾子電路,電源芯片U1的VDD引腳通過(guò)芯片供電子電路分別連接變壓器輔助繞組第一端及輸入整流濾波電路的第二輸出端,電源芯片U1的GATE引腳通過(guò)抗干擾子電路連接MOS管Q1的柵極,MOS管Q1的源極用于通過(guò)并聯(lián)電阻陣列接地,MOS管Q1的漏極連接初級(jí)繞組第二端。上述抗電磁傳導(dǎo)干擾的開(kāi)關(guān)電源,通過(guò)抗干擾子電路吸收MOS管Q1導(dǎo)通時(shí)的尖峰電流,能夠有效降低開(kāi)關(guān)電源中的傳導(dǎo)干擾。
【技術(shù)實(shí)現(xiàn)步驟摘要】
抗電磁傳導(dǎo)干擾的開(kāi)關(guān)電源
本技術(shù)涉及電源
,尤其涉及一種抗電磁傳導(dǎo)干擾的開(kāi)關(guān)電源。
技術(shù)介紹
因節(jié)能、環(huán)保、高效等優(yōu)點(diǎn),開(kāi)關(guān)電源已廣泛應(yīng)用于各種電器產(chǎn)品。開(kāi)關(guān)電源將交流電通過(guò)整流、穩(wěn)壓、降壓等處理,轉(zhuǎn)換為直流電輸出,為負(fù)載供電,在轉(zhuǎn)換過(guò)程中,容易產(chǎn)生浪涌電流和尖峰電壓,形成干擾源,產(chǎn)生噪聲。這些噪聲不僅影響開(kāi)關(guān)電源的工作,還對(duì)負(fù)載設(shè)備及電力網(wǎng)絡(luò)上的其他設(shè)備造成電磁干擾。傳統(tǒng)的開(kāi)關(guān)電源僅在輸入側(cè)及輸出側(cè)進(jìn)行簡(jiǎn)單的共模濾波和差模濾波,對(duì)電磁傳導(dǎo)干擾的抑制效果較差。
技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路
有鑒于此,有必要提供一種抗電磁傳導(dǎo)干擾的開(kāi)關(guān)電源,能夠降低開(kāi)關(guān)電源中的電磁傳導(dǎo)干擾。一種抗電磁傳導(dǎo)干擾的開(kāi)關(guān)電源,其包括輸入整流濾波電路、電源管理電路、變壓器電路及輸出電路,所述變壓器電路包括初級(jí)繞組、次級(jí)繞組及輔助繞組;所述輸入整流濾波電路的輸入端用于接入市電,所述輸入整流濾波電路的第一輸出端連接所述初級(jí)繞組第一端;所述電源管理電路包括電源芯片U1、MOS管Q1、并聯(lián)電阻陣列、芯片供電子電路及抗干擾子電路,所述電源芯片U1的VDD引腳通過(guò)所述芯片供電子電路分別連接所述輔助繞組第一端及所述輸入整流濾波電路的第二輸出端,所述電源芯片U1的GATE引腳通過(guò)所述抗干擾子電路連接所述MOS管Q1的柵極,所述MOS管Q1的源極用于通過(guò)所述并聯(lián)電阻陣列接地,所述MOS管Q1的漏極連接所述初級(jí)繞組第二端;所述次級(jí)繞組第一端連接所述輸出電路的輸入端,所述輸出電路的第一輸出端用于連接負(fù)載,所述輸出電路的第二輸出端連接所述電源芯片U1的FB引腳,所述輔助繞組第二端和所述次級(jí)繞組第二端分別用于接地。在其中一個(gè)實(shí)施例中,所述抗干擾子電路包括電阻R3以及串聯(lián)的電阻R5和二極管D4;所述二極管D4的陽(yáng)極連接所述MOS管Q1的柵極,所述二極管D4的陰極通過(guò)所述電阻R5連接所述電源芯片U1的GATE引腳,所述串聯(lián)的電阻R5和二極管D4與所述電阻R3并聯(lián)。在其中一個(gè)實(shí)施例中,所述電阻R3為可調(diào)電阻。在其中一個(gè)實(shí)施例中,所述并聯(lián)電阻陣列包括順序并聯(lián)的電阻R8至電阻R12。在其中一個(gè)實(shí)施例中,所述芯片供電子電路包括電阻R2、電阻R4、電容C2、電解電容EC2、電解電容EC3、電感L3及二極管D2;所述電源芯片U1的VDD引腳通過(guò)所述電阻R2連接所述輸入整流濾波電路的第二輸出端,所述電源芯片U1的VDD引腳還順序通過(guò)串聯(lián)的所述電阻R4和所述電感L3連接所述二極管D2的陰極,所述二極管D2的陽(yáng)極連接所述輔助繞組第一端;所述電解電容EC2的正極連接所述二極管D2的陰極,所述電解電容EC3的正極連接所述電源芯片U1的VDD引腳,所述電解電容EC2的負(fù)極和所述電解電容EC3的負(fù)極分別用于接地;所述電容C2與所述電解電容EC3并聯(lián)。在其中一個(gè)實(shí)施例中,所述芯片供電子電路還包括第一混聯(lián)電阻陣列,所述電源芯片U1的VDD引腳順序通過(guò)串聯(lián)的所述電阻R2及所述第一混聯(lián)電阻陣列連接所述輸入整流濾波電路的第二輸出端。在其中一個(gè)實(shí)施例中,所述第一混聯(lián)電阻陣列包括電阻RX5至電阻RX8,其中所述電阻RX5與所述電阻RX6串聯(lián),所述電阻RX7與所述電阻RX8串聯(lián),并且,所述電阻RX5與所述電阻RX7并聯(lián),所述電阻RX6與所述電阻RX8并聯(lián);所述電阻RX6與所述電阻RX8的并聯(lián)節(jié)點(diǎn)連接所述輸入整流濾波電路的第二輸出端,所述電阻RX5與所述電阻RX7的并聯(lián)節(jié)點(diǎn)通過(guò)所述電阻R2連接所述電源芯片U1的VDD引腳。在其中一個(gè)實(shí)施例中,所述電源管理電路還包括第二混聯(lián)電阻陣列,所述輔助繞組第一端通過(guò)所述第二混聯(lián)電阻陣列連接所述輸入整流濾波電路的第三輸出端。在其中一個(gè)實(shí)施例中,所述第二混聯(lián)電阻陣列包括電阻RX1至電阻RX4,其中所述電阻RX1與所述電阻RX2串聯(lián),所述電阻RX3與所述電阻RX4串聯(lián),并且,所述電阻RX1與所述電阻RX3并聯(lián),所述電阻RX2與所述電阻RX4并聯(lián);所述電阻RX2與所述電阻RX4的并聯(lián)節(jié)點(diǎn)連接所述輸入整流濾波電路的第三輸出端,所述電阻RX1與所述電阻RX3的并聯(lián)節(jié)點(diǎn)連接所述輔助繞組第一端。在其中一個(gè)實(shí)施例中,所述輸入整流濾波電路包括順序連接的一級(jí)濾波子電路、二級(jí)濾波子電路和整流橋BD1,其中所述一級(jí)濾波子電路的輸入端用于接入市電,所述一級(jí)濾波子電路的第一輸出端分別連接所述輔助繞組第一端及所述二級(jí)濾波子電路的第一輸入端,所述一級(jí)濾波子電路的第二輸出端作為所述輸入整流濾波電路的第二輸出端,分別連接所述芯片供電子電路和所述二級(jí)濾波子電路的第二輸入端;所述整流橋BD1的第一輸出端作為所述輸入整流濾波電路的第一輸出端連接所述初級(jí)繞組第一端,所述整流橋BD1的第二輸出端用于接地。上述抗電磁傳導(dǎo)干擾的開(kāi)關(guān)電源,通過(guò)串聯(lián)在電源芯片U1的GATE引腳和柵極之間的抗干擾子電路,吸收MOS管Q1導(dǎo)通時(shí)的尖峰電流,降低開(kāi)關(guān)電源中的傳導(dǎo)干擾。附圖說(shuō)明為了更清楚地說(shuō)明本技術(shù)實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案,下面將對(duì)實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡(jiǎn)單地介紹,顯而易見(jiàn)地,下面描述中的附圖僅僅是本技術(shù)的一些實(shí)施例,對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來(lái)講,在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下,還可以根據(jù)這些附圖獲得其他實(shí)施例的附圖。圖1為本技術(shù)一實(shí)施例的抗電磁傳導(dǎo)干擾的開(kāi)關(guān)電源的結(jié)構(gòu)示意圖;圖2為本技術(shù)另一實(shí)施例的抗電磁傳導(dǎo)干擾的開(kāi)關(guān)電源的結(jié)構(gòu)示意圖;圖3為本技術(shù)一實(shí)施例的抗電磁傳導(dǎo)干擾的開(kāi)關(guān)電源的電路圖。具體實(shí)施方式為了使本技術(shù)的目的、技術(shù)方案及優(yōu)點(diǎn)更加清楚明白,以下結(jié)合附圖及實(shí)施例,對(duì)本技術(shù)進(jìn)行進(jìn)一步詳細(xì)說(shuō)明。應(yīng)當(dāng)理解,此處所描述的具體實(shí)施例僅僅用以解釋本技術(shù),并不用于限定本技術(shù)。在本技術(shù)的描述中,需要理解的是,術(shù)語(yǔ)“第一”、“第二”僅用于描述目的,而不能理解為指示或暗示相對(duì)重要性或者隱含指明所指示的技術(shù)特征的數(shù)量。由此,限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隱含地包括至少一個(gè)該特征。在本技術(shù)的描述中,“多個(gè)”的含義是至少兩個(gè),例如兩個(gè),三個(gè)等,除非另有明確具體的限定。下面結(jié)合附圖描述根據(jù)本技術(shù)實(shí)施例的抗電磁傳導(dǎo)干擾的開(kāi)關(guān)電源。例如,本技術(shù)一實(shí)施例的抗電磁傳導(dǎo)干擾的開(kāi)關(guān)電源10,包括:輸入整流濾波電路、電源管理電路、變壓器電路及輸出電路,所述變壓器電路包括初級(jí)繞組、次級(jí)繞組及輔助繞組;所述輸入整流濾波電路的輸入端用于接入市電,所述輸入整流濾波電路的第一輸出端連接所述初級(jí)繞組第一端;所述電源管理電路包括電源芯片U1、MOS管Q1、并聯(lián)電阻陣列、芯片供電子電路及抗干擾子電路,所述電源芯片U1的VDD引腳通過(guò)所述芯片供電子電路分別連接所述輔助繞組第一端及所述輸入整流濾波電路的第二輸出端,所述電源芯片U1的GATE引腳通過(guò)所述抗干擾子電路連接所述MOS管Q1的柵極,所述MOS管Q1的源極用于通過(guò)所述并聯(lián)電阻陣列接地,所述MOS管Q1的漏極連接所述初級(jí)繞組第二端;所述次級(jí)繞組第一端連接所述輸出電路的輸入端,所述輸出電路的第一輸出端用于連接負(fù)載,所述輸出電路的第二輸出端連接所述電源芯片U1的FB引腳,所述輔助繞組第二端和所述次級(jí)繞組第二端分別用于接地。例如,如圖1所示,一實(shí)施例的抗電磁傳導(dǎo)干擾的開(kāi)關(guān)電源10,包括:輸入整流濾波電路11、電源管理電路12、變壓器電路13本文檔來(lái)自技高網(wǎng)...

【技術(shù)保護(hù)點(diǎn)】
一種抗電磁傳導(dǎo)干擾的開(kāi)關(guān)電源,其特征在于,包括:輸入整流濾波電路、電源管理電路、變壓器電路及輸出電路,所述變壓器電路包括初級(jí)繞組、次級(jí)繞組及輔助繞組;所述輸入整流濾波電路的輸入端用于接入市電,所述輸入整流濾波電路的第一輸出端連接所述初級(jí)繞組第一端;所述電源管理電路包括電源芯片U1、MOS管Q1、并聯(lián)電阻陣列、芯片供電子電路及抗干擾子電路,所述電源芯片U1的VDD引腳通過(guò)所述芯片供電子電路分別連接所述輔助繞組第一端及所述輸入整流濾波電路的第二輸出端,所述電源芯片U1的GATE引腳通過(guò)所述抗干擾子電路連接所述MOS管Q1的柵極,所述MOS管Q1的源極用于通過(guò)所述并聯(lián)電阻陣列接地,所述MOS管Q1的漏極連接所述初級(jí)繞組第二端;所述次級(jí)繞組第一端連接所述輸出電路的輸入端,所述輸出電路的第一輸出端用于連接負(fù)載,所述輸出電路的第二輸出端連接所述電源芯片U1的FB引腳,所述輔助繞組第二端和所述次級(jí)繞組第二端分別用于接地。
【技術(shù)特征摘要】
1.一種抗電磁傳導(dǎo)干擾的開(kāi)關(guān)電源,其特征在于,包括:輸入整流濾波電路、電源管理電路、變壓器電路及輸出電路,所述變壓器電路包括初級(jí)繞組、次級(jí)繞組及輔助繞組;所述輸入整流濾波電路的輸入端用于接入市電,所述輸入整流濾波電路的第一輸出端連接所述初級(jí)繞組第一端;所述電源管理電路包括電源芯片U1、MOS管Q1、并聯(lián)電阻陣列、芯片供電子電路及抗干擾子電路,所述電源芯片U1的VDD引腳通過(guò)所述芯片供電子電路分別連接所述輔助繞組第一端及所述輸入整流濾波電路的第二輸出端,所述電源芯片U1的GATE引腳通過(guò)所述抗干擾子電路連接所述MOS管Q1的柵極,所述MOS管Q1的源極用于通過(guò)所述并聯(lián)電阻陣列接地,所述MOS管Q1的漏極連接所述初級(jí)繞組第二端;所述次級(jí)繞組第一端連接所述輸出電路的輸入端,所述輸出電路的第一輸出端用于連接負(fù)載,所述輸出電路的第二輸出端連接所述電源芯片U1的FB引腳,所述輔助繞組第二端和所述次級(jí)繞組第二端分別用于接地。2.如權(quán)利要求1所述的開(kāi)關(guān)電源,其特征在于,所述抗干擾子電路包括電阻R3以及串聯(lián)的電阻R5和二極管D4;所述二極管D4的陽(yáng)極連接所述MOS管Q1的柵極,所述二極管D4的陰極通過(guò)所述電阻R5連接所述電源芯片U1的GATE引腳,所述串聯(lián)的電阻R5和二極管D4與所述電阻R3并聯(lián)。3.如權(quán)利要求2所述的開(kāi)關(guān)電源,其特征在于,所述電阻R3為可調(diào)電阻。4.如權(quán)利要求1所述的開(kāi)關(guān)電源,其特征在于,所述并聯(lián)電阻陣列包括順序并聯(lián)的電阻R8至電阻R12。5.如權(quán)利要求1所述的開(kāi)關(guān)電源,其特征在于,所述芯片供電子電路包括電阻R2、電阻R4、電容C2、電解電容EC2、電解電容EC3、電感L3及二極管D2;所述電源芯片U1的VDD引腳通過(guò)所述電阻R2連接所述輸入整流濾波電路的第二輸出端,所述電源芯片U1的VDD引腳還順序通過(guò)串聯(lián)的所述電阻R4和所述電感L3連接所述二極管D2的陰極,所述二極管D2的陽(yáng)極連接所述輔助繞組第一端;所述電解電容EC2的正極連接所述二極管D2的陰極,所述電解電容EC3的正極連接所述電源芯片U1的VDD引腳,所述電解電容EC2的...
【專利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員:陳文樂(lè),謝勇成,
申請(qǐng)(專利權(quán))人:東莞市樂(lè)豐電器科技有限公司,
類型:新型
國(guó)別省市:廣東,44
還沒(méi)有人留言評(píng)論。發(fā)表了對(duì)其他瀏覽者有用的留言會(huì)獲得科技券。