TFT陣列基板及液晶顯示面板制造技術

本發明專利技術提供一種TFT陣列基板，其包括基板及形成于基板上的TFT開關，所述TFT開關包括多晶硅層、柵極、第一輕摻雜區及重摻雜區，所述多晶硅層包括兩個相對的延伸段及連接兩個延伸段端部的主體段，所述柵極橫跨兩個所述延伸段設置，所述重摻雜區形成于所述多晶硅層的主體段并位于所述柵極一側，所述第一輕摻雜區形成于所述重摻雜區中部位置。

【技術實現步驟摘要】
TFT陣列基板及液晶顯示面板
本專利技術涉及觸摸屏
，尤其涉及一種TFT陣列基板及液晶顯示面板。
技術介紹
液晶顯示屏的薄膜晶體管(ThinFilmTransistor，TFT)在關閉狀態下摻雜區存在漏電現象，引起像素電極與公共電極之間電壓差變化，漏電嚴重時會導致像素灰階變化，產生串電等不良反應，使液晶屏幕的光學品質下降。目前主要從以下兩方面來改善，1.增大像素儲存電容；2.降低薄膜晶體管漏電流。其中降低薄膜晶體管漏電流一是通過增加TFT的溝道區長度或溝道數，但這樣會降低像素開口率。
技術實現思路
本專利技術提供一種不影響像素開口率而降低薄膜晶體管開關漏電流的TFT陣列基板。本申請還提供一種液晶顯示面板。本申請所述的TFT陣列基板包括基板及形成于基板上的TFT開關，所述TFT開關包括多晶硅層、柵極、第一輕摻雜區及重摻雜區，所述多晶硅層包括兩個相對的延伸段及連接兩個延伸段端部的主體段，所述柵極橫跨兩個所述延伸段設置，所述重摻雜區形成于所述多晶硅層的主體段并位于所述柵極一側，所述第一輕摻雜區形成于所述重摻雜區中部位置。其中，所述多晶硅層上位于所述柵極另一側還設有輔助重摻雜區。其中，所述第一輕摻雜區為所述重摻雜區進行第二次摻雜形成。其中，所述TFT開關包括第二輕摻雜區，所述第二輕摻雜區位于所述柵極兩側與所述重摻雜區及輔助重摻雜區之間。其中，所述第一輕摻雜區與第二輕摻雜區同一工藝步驟形成。本申請提供一種液晶顯示面板，包括彩膜基板、TFT陣列基板及位于彩膜基板與TFT陣列基板之間的液晶層，所述TFT陣列基板，包括基板即形成與基板上的TFT開關，所述TFT開關包括多晶硅層、柵極、第一輕摻雜區及重摻雜區，所述多晶硅層包括兩個相對的延伸段及連接兩個延伸段端部的主體段，所述柵極橫跨兩個所述延伸段設置，所述重摻雜區形成于所述多晶硅層的主體段并位于所述柵極一側，所述第一輕摻雜區形成于所述重摻雜區中部位置。其中，所述多晶硅層上位于所述柵極另一側還設有輔助重摻雜區。其中，所述第一輕摻雜區為所述重摻雜區進行第二次摻雜形成。其中，所述TFT開關包括第二輕摻雜區，所述第二輕摻雜區位于所述柵極兩側與所述重摻雜區及輔助重摻雜區之間。其中，所述第一輕摻雜區與第二輕摻雜區同一工藝步驟形成。本申請所述的TFT開關在不影響陣列基板開口率及工藝制程的前提在重摻雜區內設置輕摻雜區，有效地降低TFT開關漏電流，且不影響開口率。附圖說明為更清楚地闡述本專利技術的構造特征和功效，下面結合附圖與具體實施例來對其進行詳細說明。圖1是本專利技術液晶顯示面板結構示意圖；圖2是圖1所示的TFT陣列基板的俯視圖。具體實施例下面將結合本專利技術實施例中的附圖，對本專利技術實施例中的技術方案進行清楚、完整地描述。其中，附圖僅用于示例性說明，表示的僅是示意圖，不能理解為對本專利的限制。請參閱圖1與圖2，本專利技術提供一種TFT陣列基板及液晶顯示面板，其中，液晶顯示面板包括彩膜基板20、所述TFT陣列基板10及位于彩膜基板20與TFT陣列基板10之間的液晶層30。所述液晶顯示面板包括多個像素及與像素對應的設于TFT陣列基板上的TFT開關。所述TFT開關101與像素區域對應為像素提供電能。請參閱圖2，本實施例中，所述TFT陣列基板10包括基板11及形成于基板上的數個TFT開關101。本實施例以一個TFT開關為例進行說明。所述TFT開關101包括多晶硅層12、柵極13、第一輕摻雜區14及重摻雜區15。所述多晶硅層12包括兩個相對的延伸段121及連接兩個延伸段121端部的主體段122，所述柵極13橫跨兩個所述延伸段121設置，所述重摻雜區15形成于所述多晶硅層12的主體段122并位于所述柵極13一側，所述第一輕摻雜區14形成于所述重摻雜區15中部位置。本實施例中，所述多晶硅層12呈U型結構。所述重摻雜區15形成后，所述第一輕摻雜區14為所述重摻雜區15進行第二次摻雜形成。當所述TFT開關101關閉狀態下，重摻雜區15區域的電阻成為控制漏電流的關鍵，由于重摻雜區15上設置有第一輕摻雜區14，增大了TFT開關的電阻，進而可以降低漏電流。而且在制造過程中，第一輕摻雜區14的長度可以根據TFT開關像素充電和漏電情況進行調整，以在滿足充電要求的前提下有效降低漏電流。所述柵極13橫跨兩個所述延伸段121并覆蓋部分所述延伸段121。柵極13與所述延伸段121重疊區域構成溝道區。所述TFT開關101還設有輔助重摻雜區16。所述重摻雜區15與輔助重摻雜區16位于所述柵極13相對兩側，并均與所述柵極13間隔設置。所述重摻雜區15與輔助重摻雜區16在同一工藝步驟形成。所述TFT開關101還包括第二輕摻雜區17，所述第二輕摻雜區17位于所述柵極13與所述重摻雜區15之間的間隔位置，以及柵極13與輔助重摻雜區16之間的間隔位置。所述第一輕摻雜區14與第二輕摻雜區17同一工藝步驟形成。本申請所述的TFT開關在不影響陣列基板開口率及工藝制程的前提在重摻雜區內設置輕摻雜區，有效地降低TFT開關漏電流，同時能夠滿足TFT開關像素充電要求。以上所述是本專利技術的優選實施例，應當指出，對于本
的普通技術人員來說，在不脫離本專利技術原理的前提下，還可以做出若干改進和潤飾，這些改進和潤飾也視為本專利技術的保護范圍。本文檔來自技高網...

【技術保護點】
一種TFT陣列基板，包括基板及形成于基板上的TFT開關，其特征在于，所述TFT開關包括多晶硅層、柵極、第一輕摻雜區及重摻雜區，所述多晶硅層包括兩個相對的延伸段及連接兩個延伸段端部的主體段，所述柵極橫跨兩個所述延伸段設置，所述重摻雜區形成于所述多晶硅層的主體段并位于所述柵極一側，所述第一輕摻雜區形成于所述重摻雜區中部位置。

【技術特征摘要】
1.一種TFT陣列基板，包括基板及形成于基板上的TFT開關，其特征在于，所述TFT開關包括多晶硅層、柵極、第一輕摻雜區及重摻雜區，所述多晶硅層包括兩個相對的延伸段及連接兩個延伸段端部的主體段，所述柵極橫跨兩個所述延伸段設置，所述重摻雜區形成于所述多晶硅層的主體段并位于所述柵極一側，所述第一輕摻雜區形成于所述重摻雜區中部位置。2.如權利要求1所述的TFT陣列基板，其特征在于，所述多晶硅層上位于所述柵極另一側還設有輔助重摻雜區。3.如權利要求2所述的TFT陣列基板，其特征在于，所述第一輕摻雜區為所述重摻雜區進行第二次摻雜形成。4.如權利要求3所述的TFT陣列基板，其特征在于，所述TFT開關包括第二輕摻雜區，所述第二輕摻雜區位于所述柵極兩側與所述重摻雜區及輔助重摻雜區之間。5.如權利要求4所述的TFT陣列基板，其特征在于，所述第一輕摻雜區與第二輕摻雜區同一工藝步驟形成。6.一種液晶顯示面板，包括彩膜基板、TFT...

【專利技術屬性】
技術研發人員：陳成，馬亮，
申請(專利權)人：武漢華星光電技術有限公司，
類型：發明
國別省市：湖北,42