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    高可靠性高壓硅堆制造技術(shù)

    技術(shù)編號:15621732 閱讀:126 留言:0更新日期:2017-06-14 04:56
    本實(shí)用新型專利技術(shù)涉及高可靠性高壓硅堆,包括塑封體以及設(shè)置在塑封體的芯片體,所述芯片采用玻璃鈍化工藝制作,所述芯片體包括多個(gè)芯片組以及設(shè)置在芯片組之間的連接端子,所述連接端子包括中間體,所述中間體呈片狀,所述中間體兩面均設(shè)有凸起,芯片組與凸起焊接,所述芯片體兩端設(shè)有伸出塑封體的引線,采用上述結(jié)構(gòu)后,在焊接的時(shí)候連接端子的凸起對焊料起到導(dǎo)向的作用,焊料聚集在凸起處,不會向外擴(kuò)散,避免了掛錫即焊接偏位的現(xiàn)象,也避免了高壓硅堆在使用過程中發(fā)生短路的狀況,本實(shí)用新型專利技術(shù)結(jié)構(gòu)簡單合理,焊接方便,采用GPP玻璃鈍化工藝制作的芯片進(jìn)行封裝使用,高溫性能優(yōu)異且安全可靠,使用壽命長。

    【技術(shù)實(shí)現(xiàn)步驟摘要】
    高可靠性高壓硅堆
    本技術(shù)涉及一種高壓硅堆,特別是高可靠性高壓硅堆。
    技術(shù)介紹
    現(xiàn)有的高壓硅堆通過芯片之間的焊接疊加形成,相鄰芯片的正極與負(fù)極通過焊片焊接,在焊接過程中容易發(fā)生掛錫的狀況,焊料漫延到正極或負(fù)極外,這樣的高壓硅堆在實(shí)用的過程中容易發(fā)生短路,造成損壞,可靠性低。
    技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路
    本技術(shù)的目的是提供一種結(jié)構(gòu)簡單合理、可靠性高、安全性好、使用壽命長的高可靠性高壓硅堆。實(shí)現(xiàn)本技術(shù)目的的技術(shù)方案如下:高可靠性高壓硅堆,包括塑封體以及設(shè)置在塑封體的芯片體,所述芯片體包括多個(gè)芯片組以及設(shè)置在芯片組之間的連接端子,所述連接端子包括中間體,所述中間體呈片狀,所述中間體兩面均設(shè)有凸起,芯片組與凸起焊接,所述芯片體兩端設(shè)有伸出塑封體的引線。采用上述結(jié)構(gòu)后,在焊接的時(shí)候連接端子的凸起對焊料起到導(dǎo)向的作用,焊料聚集在凸起處,不會向外擴(kuò)散,避免了掛錫計(jì)焊接偏位的現(xiàn)象,也避免了高壓硅堆在使用過程中發(fā)生短路的狀況,本技術(shù)結(jié)構(gòu)簡單合理,焊接方便,采用GPP玻璃鈍化工藝制作的芯片進(jìn)行封裝使用,高溫性能優(yōu)異且安全可靠,使用壽命長。優(yōu)選的,為了方便突起與芯片組的焊接,所述芯片組包括芯片以及焊接在芯片正極以及負(fù)極的焊片,所述凸起與焊片焊接。優(yōu)選的,為了優(yōu)化突起對焊料的導(dǎo)向效果,所述中間體與突起的投影均呈圓形,所述突起的直徑小于中間體的直徑。附圖說明下面結(jié)合附圖和具體實(shí)施方式對本技術(shù)作進(jìn)一步詳細(xì)的說明。圖1為本技術(shù)的貼片式的結(jié)構(gòu)示意圖。圖2為本技術(shù)的軸式的結(jié)構(gòu)示意圖。圖中:1為塑封體,2為連接端子,3為芯片,4為焊片,5為中間體,6為突起,7為引線。具體實(shí)施方式由圖1和圖2可知本技術(shù)高可靠性高壓硅堆包括塑封體1以及設(shè)置在塑封體1的芯片體,所述芯片體包括多個(gè)芯片組以及設(shè)置在芯片組之間的連接端子2,所述芯片組包括芯片3以及焊接在芯片3正極與負(fù)極的焊片4,所述連接端子2包括中間體5以及設(shè)置在中間體5兩面的突起6,所述中間體5呈片狀,所述凸起6與焊片4焊接,所述中間體5與突起6的投影均呈圓形,所述突起6的直徑小于中間體5的直徑,所述芯片體兩端設(shè)有伸出塑封體1的引線7。由圖1和圖2可知本技術(shù)可以做成軸式的或者貼片式的。本技術(shù)在焊接的時(shí)候連接端子的凸起對焊料起到導(dǎo)向的作用,焊料聚集在凸起處,不會向外擴(kuò)散,避免了掛錫計(jì)焊接偏位的現(xiàn)象,也避免了高壓硅堆在使用過程中發(fā)生短路的狀況,本技術(shù)結(jié)構(gòu)簡單合理,焊接方便,采用GPP玻璃鈍化工藝制作的芯片進(jìn)行封裝使用,高溫性能優(yōu)異且安全可靠,使用壽命長。以上所述僅為本技術(shù)的優(yōu)選實(shí)施例,并非因此限制本技術(shù)的專利范圍,凡是利用本技術(shù)說明書及附圖內(nèi)容所作的等效結(jié)構(gòu)或等效流程變換,或直接或間接運(yùn)用在其他相關(guān)的
    ,均同理包括在本技術(shù)的專利保護(hù)范圍內(nèi)。本文檔來自技高網(wǎng)
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    高可靠性高壓硅堆

    【技術(shù)保護(hù)點(diǎn)】
    高可靠性高壓硅堆,其特征在于:包括塑封體以及設(shè)置在塑封體的芯片體,所述芯片體包括多個(gè)芯片組以及設(shè)置在芯片組之間的連接端子,所述連接端子包括中間體,所述中間體呈片狀,所述中間體兩面均設(shè)有凸起,芯片組與凸起焊接,所述芯片體兩端設(shè)有伸出塑封體的引線。

    【技術(shù)特征摘要】
    1.高可靠性高壓硅堆,其特征在于:包括塑封體以及設(shè)置在塑封體的芯片體,所述芯片體包括多個(gè)芯片組以及設(shè)置在芯片組之間的連接端子,所述連接端子包括中間體,所述中間體呈片狀,所述中間體兩面均設(shè)有凸起,芯片組與凸起焊接,所述芯片體兩端設(shè)有伸出塑封體的引線...

    【專利技術(shù)屬性】
    技術(shù)研發(fā)人員:徐謙劉秀琴郭建新黃慧平朱小棟
    申請(專利權(quán))人:常州佳訊光電產(chǎn)業(yè)發(fā)展有限公司
    類型:新型
    國別省市:江蘇,32

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