射頻發射機制造技術

本發明專利技術提供一種射頻發射機。該射頻發射機包括：數模轉換器、濾波器、上混頻器、鎖相環和功率放大電路；其中，數模轉換器的輸出端與濾波器的輸入端連接，濾波器的輸出端、鎖相環的輸出端分別與上混頻器的輸入端連接，上混頻器的輸出端與功率放大電路的輸入端連接；數模轉換器、濾波器、鎖相環和上混頻器中均設置有控制開關；其中，所有的控制開關接收到“斷開”指令時，射頻發射機為增強數據率傳輸模式發射機，所有的控制開關接收到“閉合”指令時，射頻發射機為超低功耗模式發射機。本發明專利技術提供的射頻發射機，通過控制開關進行兩種模式的切換，電路結構組成部分中的相同部分可以復用，大大簡化了電路結構，減小電路占用面積，降低了成本。

【技術實現步驟摘要】
射頻發射機
本專利技術涉及通信
，尤其涉及一種射頻發射機。
技術介紹
在雙模藍牙4.0中，有兩種模式的(增強數據率傳輸模式和超低功耗模式)射頻發射機，增強數據率傳輸模式射頻發射機由數模轉換器、濾波器、I/Q上混頻器和功率放大器、鎖相環等構成，超低功耗模式射頻發射機由鎖相環、緩沖器、預放大器和功率放大器等構成，現有技術中在系統設置時，兩種模式的發射機在電路結構上獨立設計，通過軟件設置開關由用戶選擇進行模式切換，電路結構復雜，成本較高。
技術實現思路
本專利技術提供一種射頻發射機，可實現增強數據率傳輸模式和超低功耗模式的射頻發射機在電路結構上為一體結構，通過硬件控制開關進行兩種模式的切換，相關電路可以復用，從而降低電路結構的復雜度，節約成本。本專利技術提供的射頻發射機，包括：數模轉換器、濾波器、上混頻器、鎖相環和功率放大電路；其中，所述數模轉換器的輸出端與所述濾波器的輸入端連接，所述濾波器的輸出端、所述鎖相環的輸出端分別與所述上混頻器的輸入端連接，所述上混頻器的輸出端與所述功率放大電路的輸入端連接；所述數模轉換器、濾波器、鎖相環和所述上混頻器中均設置有控制開關；其中，所有的控制開關接收到“斷開”指令時，所述射頻發射機為增強數據率傳輸模式發射機，所有的控制開關接收到“閉合”指令時，所述射頻發射機為超低功耗模式發射機。進一步地，所述數模轉換器和所述濾波器中均設置一個控制開關，所述鎖相環中設置二個控制開關，所述上混頻器中設置多個控制開關；所述上混頻器中的所有控制開關接收到“斷開”指令時，所述上混頻器為正交混頻器，所述上混頻器中的所有控制開關接收到“閉合”指令時，所述上混頻器為緩沖器。進一步地，所述上混頻器包括：并聯的第一吉爾伯特電路單元和第二吉爾伯特電路單元以及負載電路；所述第一吉爾伯特電路單元包括第一正極基帶信號輸入端、第一負極基帶信號輸入端、第一本振信號輸入端、第二本振信號輸入端、第一MOS管、第二MOS管、第三MOS管、第四MOS管、第五MOS管和第六MOS管；其中，所述第一正極基帶信號輸入端與所述第一MOS管的柵極和所述第四MOS管的柵極連接，所述第一MOS管的柵極連接第一控制開關一端，所述第四MOS管的柵極連接第二控制開關一端，所述第一負極基帶信號輸入端與所述第二MOS管的柵極和所述第三MOS管的柵極連接，所述第二MOS管和所述第三MOS管的柵極均連接至第三控制開關一端，所述第一本振信號輸入端與所述第五MOS管的柵極連接，所述第二本振信號輸入端與所述第六MOS管的柵極連接；所述第二吉爾伯特電路單元包括第二正極基帶信號輸入端、第二負極基帶信號輸入端、第三本振信號輸入端、第四本振信號輸入端、第七MOS管、第八MOS管、第九MOS管、第十MOS管、第十一MOS管和第十二MOS管；其中，所述第二正極基帶信號輸入端與所述第七MOS管的柵極和所述第十MOS管的柵極連接，所述第七MOS管的柵極連接第四控制開關一端，所述第十MOS管的柵極連接第五控制開關一端，所述第二負極基帶信號輸入端與所述第八MOS管的柵極和所述第九MOS管的柵極連接，所述第八MOS管和所述第九MOS管的柵極均連接至第六控制開關一端，所述第三本振信號輸入端與所述第十一MOS管的柵極連接，所述第四本振信號輸入端與所述第十二MOS管的柵極連接；其中，所述第一控制開關和所述第二控制開關另一端連接至電源，所述第三控制開關、所述第四控制開關、所述第五控制開關、所述第六控制開關的另一端均接地。進一步地，所述上混頻器中的所述第一控制開關和所述第二控制開關復用，所述第三控制開關、所述第四控制開關、所述第五控制開關、所述第六控制開關復用。進一步地，所述第一吉爾伯特電路單元還包括：用于作為電流源的第十三MOS管，所述第十三MOS管的漏極與所述第五MOS管的源極和所述第六MOS管的源極連接；所述第二吉爾伯特電路單元還包括：用于作為電流源的第十四MOS管，所述第十四MOS管的漏極與所述第十一MOS管的源極和所述第十二MOS管的源極連接。進一步地，所述數模轉換器、所述濾波器、所述鎖相環和所述上混頻器中設置的所有控制開關由同一個“斷開”指令或“閉合”指令控制。進一步地，還包括匹配網絡與天線，所述功率放大電路的輸出端與所述匹配網絡連接。本專利技術提供的射頻發射機，可將增強數據率傳輸模式和低功耗模式的發射機的電路結構進行融合，通過硬件控制開關進行兩種模式的切換，電路結構組成部分中的相同部分可以復用，如上混頻器、鎖相環、功率放大電路以及天線都可以復用，大大簡化了電路結構，減小電路占用面積，降低了成本。附圖說明圖1為本專利技術射頻發射機實施例一的結構示意圖；圖2為本專利技術射頻發射機實施例一中的上混頻器的結構示意圖；圖3為上混頻器中的所有開關斷開時的結構示意圖；圖4為上混頻器中的所有開關閉合時的結構示意圖；圖5為本專利技術射頻發射機實施例二的結構示意圖；圖6為本專利技術射頻發射機所有控制開關閉合時的結構示意圖。具體實施方式為使本專利技術的目的、技術方案和優點更加清楚，下面將結合本專利技術中的附圖，對本專利技術中的技術方案進行清楚、完整地描述。圖1為本專利技術射頻發射機實施例一的結構示意圖，如圖1所示，本實施例的射頻發射機可以包括：數模轉換器11、濾波器12、上混頻器13、鎖相環15和功率放大電路14，其中，數模轉換器11的輸出端與濾波器12的輸入端連接，濾波器12的輸出端、鎖相環15的輸出端分別與上混頻器13的輸入端連接，上混頻器13的輸出端與功率放大電路14的輸入端連接。數模轉換器11、濾波器12、鎖相環15和上混頻器13中均設置有控制開關。其中，所有的控制開關接收到“斷開”指令時，射頻發射機為增強數據率傳輸模式發射機，所有的控制開關接收到“閉合”指令時，射頻發射機為超低功耗模式發射機。具體地，數模轉換器11和濾波器12中均設置一個控制開關，用于控制數模轉換器11和濾波器12是否正常工作。鎖相環15中設置二個控制開關，用于控制鎖相環與上混頻器連接的兩條支路是否正常工作，上混頻器13中設置多個控制開關。上混頻器13中的所有控制開關接收到“斷開”指令時，上混頻器13為正交混頻器，上混頻器13中的所有控制開關接收到“閉合”指令時，上混頻器13為緩沖器。其中，數模轉換器11、濾波器12、鎖相環15和上混頻器13中設置的所有控制開關可由同一個“斷開”指令或“閉合”指令控制，可由軟件進行配置。圖2為本專利技術射頻發射機實施例一中的上混頻器的結構示意圖，如圖2所示，上混頻器13包括：并聯的第一吉爾伯特電路單元101a和第二吉爾伯特電路單元以及負載電路101b。其中，第一吉爾伯特電路單元101a包括第一正極基帶信號輸入端(BB_IP)、第一負極基帶信號輸入端(BB_IN)、第一本振信號輸入端(LO_IP)和第二本振信號輸入端(LO_IN)、第一MOS管M1、第二MOS管M2、第三MOS管M3、第四MOS管M4、第五MOS管M5和第六MOS管M6。其中，第一正極基帶信號輸入端(BB_IP)與第一MOS管M1的柵極和第四MOS管M4的柵極連接，第一MOS管M1的柵極連接第一控制開關SW1一端，第四MOS管M4的柵極連接第二控制開關(SW2)一端，第一負極基帶信號輸入端(BB_IN)與第二MOS管M2的柵極和第三MOS管M本文檔來自技高網...

【技術保護點】
一種射頻發射機，其特征在于，包括：數模轉換器、濾波器、上混頻器、鎖相環和功率放大電路；其中，所述數模轉換器的輸出端與所述濾波器的輸入端連接，所述濾波器的輸出端、所述鎖相環的輸出端分別與所述上混頻器的輸入端連接，所述上混頻器的輸出端與所述功率放大電路的輸入端連接；所述數模轉換器、濾波器、鎖相環和所述上混頻器中均設置有控制開關；其中，所有的控制開關接收到“斷開”指令時，所述射頻發射機為增強數據率傳輸模式發射機，所有的控制開關接收到“閉合”指令時，所述射頻發射機為超低功耗模式發射機。

【技術特征摘要】
1.一種射頻發射機，其特征在于，包括：數模轉換器、濾波器、上混頻器、鎖相環和功率放大電路；其中，所述數模轉換器的輸出端與所述濾波器的輸入端連接，所述濾波器的輸出端、所述鎖相環的輸出端分別與所述上混頻器的輸入端連接，所述上混頻器的輸出端與所述功率放大電路的輸入端連接；所述數模轉換器、濾波器、鎖相環和所述上混頻器中均設置有控制開關；其中，所有的控制開關接收到“斷開”指令時，所述射頻發射機為增強數據率傳輸模式發射機，所有的控制開關接收到“閉合”指令時，所述射頻發射機為超低功耗模式發射機。2.根據權利要求1所述的射頻發射機，其特征在于，所述數模轉換器和所述濾波器中均設置一個控制開關，所述鎖相環中設置二個控制開關，所述上混頻器中設置多個控制開關；所述上混頻器中的所有控制開關接收到“斷開”指令時，所述上混頻器為正交混頻器，所述上混頻器中的所有控制開關接收到“閉合”指令時，所述上混頻器為緩沖器。3.根據權利要求2所述的射頻發射機，其特征在于，所述上混頻器包括：并聯的第一吉爾伯特電路單元和第二吉爾伯特電路單元以及負載電路；所述第一吉爾伯特電路單元包括第一正極基帶信號輸入端、第一負極基帶信號輸入端、第一本振信號輸入端、第二本振信號輸入端、第一MOS管、第二MOS管、第三MOS管、第四MOS管、第五MOS管和第六MOS管；其中，所述第一正極基帶信號輸入端與所述第一MOS管的柵極和所述第四MOS管的柵極連接，所述第一MOS管的柵極連接第一控制開關一端，所述第四MOS管的柵極連接第二控制開關一端，所述第一負極基帶信號輸入端與所述第二MOS管的柵極和所述第三MOS管的柵極連接，所述第二MOS管和所述第三MOS管的柵極均連接至第三控制開關一端，所述第一本振信號輸入端與所述第五MOS管的柵極連接，所述第二本振信號輸入端與所述第六MOS管的柵極連接；所述第二吉爾伯特電路...

【專利技術屬性】
技術研發人員：劉瑞金，張旭，陳光勝，
申請(專利權)人：上海東軟載波微電子有限公司，
類型：發明
國別省市：上海,31