陣列基板及該陣列基板的制作方法技術(shù)

本發(fā)明專利技術(shù)公開了一種陣列基板，其包括：基板；薄膜晶體管，設(shè)置于所述基板之上；像素電極，設(shè)置于所述基板之上且與所述薄膜晶體管的漏極接觸；公共電極，設(shè)置于所述像素電極之上且與所述像素電極電絕緣，所述公共電極中具有多個第一通孔。本發(fā)明專利技術(shù)還公開了一種該陣列基板的制作方法。本發(fā)明專利技術(shù)的陣列基板及其制作方法，能夠降低公共電極和像素電極之間的寄生電容，并且能夠加速聚集離子的釋放。此外，本發(fā)明專利技術(shù)通過形成立體電極結(jié)構(gòu)，有效增強橫向電場，從而可以降低驅(qū)動電壓，提高顯示穿透率，降低能耗。

【技術(shù)實現(xiàn)步驟摘要】
陣列基板及該陣列基板的制作方法
本專利技術(shù)屬于顯示
，具體地講，涉及一種陣列基板及該陣列基板的制作方法。
技術(shù)介紹
隨著顯示技術(shù)的快速發(fā)展，液晶顯示技術(shù)已經(jīng)成為了目前應(yīng)用最廣泛的顯示技術(shù)。此外，人們對顯示技術(shù)的要求越來越高，例如對大視角、高穿透率和高信賴性等提出了更高的要求。目前，常用的液晶顯示器有TN(TwistNematic，扭轉(zhuǎn)向列型)模式、VA(VerticalAlignment，垂直對齊)模式，IPS(In-planeswitching，平面方向轉(zhuǎn)換)模式和FFS(FringeFieldSwitching，邊緣場開關(guān))模式等。其中，F(xiàn)FS模式因具有廣視角、高穿透率且為硬屏技術(shù)而備受關(guān)注。然而，F(xiàn)FS模式仍然有一些不足，其中最重要的是IS(imagesticking，影像殘留)現(xiàn)象，即長時間顯示同一畫面后切換到下一畫面時依舊可見前一畫面殘影的現(xiàn)象。IS現(xiàn)象產(chǎn)生的根源有很多，其中最主要的原因是由于長時間驅(qū)動導致的離子聚集無法及時釋放和寄生電容過大而導致公共電壓(Vcom)的對稱性變差。
技術(shù)實現(xiàn)思路
為了解決上述現(xiàn)有技術(shù)存在的問題，本專利技術(shù)的目的在于提供一種能夠使聚集的離子快速的釋放且降低寄生電容的陣列基板及其制作方法。根據(jù)本專利技術(shù)的一方面，提供了一種陣列基板，其包括：基板；薄膜晶體管，設(shè)置于所述基板之上；像素電極，設(shè)置于所述基板之上且與所述薄膜晶體管的漏極接觸；公共電極，設(shè)置于所述像素電極之上且與所述像素電極電絕緣，所述公共電極中具有多個第一通孔。可選地，所述陣列基板還包括鈍化層，所述鈍化層設(shè)置于所述薄膜晶體管之上和所述像素電極之下，在所述像素電極之下的所述鈍化層具有多個凸起，所述像素電極中具有多個第二通孔，所述凸起穿過對應(yīng)的所述第二通孔。可選地，所述公共電極設(shè)置于所述凸起之上，所述第一通孔對應(yīng)于相鄰的兩個凸起之間。可選地，所述薄膜晶體管包括：柵極，設(shè)置在所述基板上；柵極絕緣層，設(shè)置在所述基板和所述柵極上；有源層，設(shè)置在所述柵極絕緣層上；第一N型導電層和第二N型導電層，彼此間隔設(shè)置在所述有源層上；源極和漏極，分別設(shè)置在第一N型導電層和所述第二N型導電層上，所述源極和所述漏極與所述有源層接觸，并且所述源極和所述漏極分別延伸至所述柵極絕緣層上；其中，所述像素電極位于在所述基板上的所述柵極絕緣層上，在所述基板上的鈍化層位于所述像素電極和在所述基板上的所述柵極絕緣層之間。可選地，所述陣列基板還包括鈍化層，所述鈍化層設(shè)置于所述薄膜晶體管和所述像素電極之上，在所述像素電極之上的所述鈍化層具有多個凸起，所述公共電極設(shè)置于所述凸起之上，所述第一通孔對應(yīng)于相鄰的兩個凸起之間。可選地，所述薄膜晶體管包括：柵極，設(shè)置在所述基板上；柵極絕緣層，設(shè)置在所述基板和所述柵極上；有源層，設(shè)置在所述柵極絕緣層上；第一N型導電層和第二N型導電層，彼此間隔設(shè)置在所述有源層上；源極和漏極，分別設(shè)置在第一N型導電層和所述第二N型導電層上，所述源極和所述漏極與所述有源層接觸，并且所述源極和所述漏極分別延伸至所述柵極絕緣層上；其中，在所述基板上的像素電極位于在所述基板上的所述柵極絕緣層上。根據(jù)本專利技術(shù)的另一方面，還提供了一種陣列基板的制作方法，其包括：提供一基板；在所述基板上制作形成薄膜晶體管；在所述薄膜晶體管和所述基板上制作形成第一鈍化層；在所述第一鈍化層中制作形成將所述薄膜晶體管的漏極暴露的過孔；在所述基板上的第一鈍化層上制作形成具有多個第一通孔的像素電極，所述像素電極通過所述過孔與所述薄膜晶體管的漏極接觸；在所述第一鈍化層和所述像素電極上制作形成第二鈍化層，所述第二鈍化層填充所述第一通孔；在所述像素電極上的第二鈍化層上制作形成具有多個第二通孔的公共電極，所述第一通孔和所述第二通孔交錯設(shè)置；將所述薄膜晶體管之上的第二鈍化層和由所述第二通孔暴露出的第二鈍化層刻蝕去除。可選地，在所述基板上制作形成薄膜晶體管的方法包括：在所述基板上制作形成柵極；在所述基板和所述柵極上制作形成所述柵極絕緣層；其中，在所述基板上的第一鈍化層位于在所述基板上的柵極絕緣層上；在所述柵極上的柵極絕緣層上制作形成有源層；在所述有源層上制作形成彼此間隔的第一N型導電層和第二N型導電層；在所述第一N型導電層和所述第二N型導電層上分別制作形成源極和漏極，所述源極和所述漏極與所述有源層接觸，并且所述源極和所述漏極分別延伸至所述柵極絕緣層上。根據(jù)本專利技術(shù)的又一方面，又提供了一種陣列基板的制作方法，其包括：提供一基板；在所述基板上制作形成薄膜晶體管；在所述基板上制作形成像素電極，所述像素電極與所述薄膜晶體管的漏極接觸；在所述薄膜晶體管和所述像素電極上制作形成鈍化層；在所述像素電極上的鈍化層上制作形成具有多個通孔的公共電極；將所述薄膜晶體管之上的鈍化層的部分和由所述第二通孔暴露出的鈍化層的部分刻蝕去除。可選地，在所述基板上制作形成薄膜晶體管的方法包括：在所述基板上制作形成柵極；在所述基板和所述柵極上制作形成所述柵極絕緣層；其中，在所述基板上的像素電極位于在所述基板上的柵極絕緣層上；在所述柵極上的柵極絕緣層上制作形成有源層；在所述有源層上制作形成彼此間隔的第一N型導電層和第二N型導電層；在所述第一N型導電層和所述第二N型導電層上分別制作形成源極和漏極，所述源極和所述漏極與所述有源層接觸，并且所述源極和所述漏極分別延伸至所述柵極絕緣層上。本專利技術(shù)的有益效果：本專利技術(shù)的陣列基板及其制作方法，能夠降低公共電極和像素電極之間的寄生電容，并且能夠加速聚集離子的釋放。此外，本專利技術(shù)通過形成立體電極結(jié)構(gòu)，有效增強橫向電場，從而可以降低驅(qū)動電壓，提高顯示穿透率，降低能耗。附圖說明通過結(jié)合附圖進行的以下描述，本專利技術(shù)的實施例的上述和其它方面、特點和優(yōu)點將變得更加清楚，附圖中：圖1是根據(jù)本專利技術(shù)的第一實施例的陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖；圖2A至圖2L是根據(jù)本專利技術(shù)的第一實施例的陣列基板的制程圖；圖3是根據(jù)本專利技術(shù)的第二實施例的陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖；圖4A至圖4J是根據(jù)本專利技術(shù)的第二實施例的陣列基板的制程圖。具體實施方式以下，將參照附圖來詳細描述本專利技術(shù)的實施例。然而，可以以許多不同的形式來實施本專利技術(shù)，并且本專利技術(shù)不應(yīng)該被解釋為限制于這里闡述的具體實施例。相反，提供這些實施例是為了解釋本專利技術(shù)的原理及其實際應(yīng)用，從而使本領(lǐng)域的其他技術(shù)人員能夠理解本專利技術(shù)的各種實施例和適合于特定預期應(yīng)用的各種修改。在附圖中，為了清楚器件，夸大了層和區(qū)域的厚度。相同的標號在附圖中始終表示相同的元件。也將理解的是，在一元件被稱為設(shè)置于另一元件“之上”或“上”時，它可以直接設(shè)置于該另一元件上，或者也可以存在中間元件。圖1是根據(jù)本專利技術(shù)的第一實施例的陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖。參照圖1，根據(jù)本專利技術(shù)的第一實施例的陣列基板包括：基板110、薄膜晶體管120、像素電極130和公共電極140。基板110可例如是透明的玻璃基板和樹脂基板。薄膜晶體管120形成在基板110之上。像素電極130形成在基板110之上，進一步地，像素電極130形成在基板110上的除薄膜晶體管120所占區(qū)域之外的區(qū)域，并且像素電極130與薄膜晶體管120的漏極連接接觸。公共電極140設(shè)置于像素電極130之上，并且公共電極140與像素電極130彼此電絕緣，公共電極140中具有多個第一通孔141。這樣，通本文檔來自技高網(wǎng)...

【技術(shù)保護點】
一種陣列基板，其特征在于，包括：基板；薄膜晶體管，設(shè)置于所述基板之上；像素電極，設(shè)置于所述基板之上且與所述薄膜晶體管的漏極接觸；公共電極，設(shè)置于所述像素電極之上且與所述像素電極電絕緣，所述公共電極中具有多個第一通孔。

【技術(shù)特征摘要】
1.一種陣列基板，其特征在于，包括：基板；薄膜晶體管，設(shè)置于所述基板之上；像素電極，設(shè)置于所述基板之上且與所述薄膜晶體管的漏極接觸；公共電極，設(shè)置于所述像素電極之上且與所述像素電極電絕緣，所述公共電極中具有多個第一通孔。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述陣列基板還包括鈍化層，所述鈍化層設(shè)置于所述薄膜晶體管之上和所述像素電極之下，在所述像素電極之下的所述鈍化層具有多個凸起，所述像素電極中具有多個第二通孔，所述凸起穿過對應(yīng)的所述第二通孔。3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的陣列基板，其特征在于，所述公共電極設(shè)置于所述凸起之上，所述第一通孔對應(yīng)于相鄰的兩個凸起之間。4.根據(jù)權(quán)利要求2或3所述的陣列基板，其特征在于，所述薄膜晶體管包括：柵極，設(shè)置在所述基板上；柵極絕緣層，設(shè)置在所述基板和所述柵極上；有源層，設(shè)置在所述柵極絕緣層上；第一N型導電層和第二N型導電層，彼此間隔設(shè)置在所述有源層上；源極和漏極，分別設(shè)置在第一N型導電層和所述第二N型導電層上，所述源極和所述漏極與所述有源層接觸，并且所述源極和所述漏極分別延伸至所述柵極絕緣層上；其中，所述像素電極位于在所述基板上的所述柵極絕緣層上，在所述基板上的鈍化層位于所述像素電極和在所述基板上的所述柵極絕緣層之間。5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述陣列基板還包括鈍化層，所述鈍化層設(shè)置于所述薄膜晶體管和所述像素電極之上，在所述像素電極之上的所述鈍化層具有多個凸起，所述公共電極設(shè)置于所述凸起之上，所述第一通孔對應(yīng)于相鄰的兩個凸起之間。6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的陣列基板，其特征在于，所述薄膜晶體管包括：柵極，設(shè)置在所述基板上；柵極絕緣層，設(shè)置在所述基板和所述柵極上；有源層，設(shè)置在所述柵極絕緣層上；第一N型導電層和第二N型導電層，彼此間隔設(shè)置在所述有源層上；源極和漏極，分別設(shè)置在第一N型導電層和所述第二N型導電層上，所述源極和所述漏極與所述有源層接觸，并且所述源極和所述漏極分別延伸至所述柵極絕緣層上；其中，在所述基板上的像素電極位于在所述基板上的所述柵極絕緣層上。7.一種陣列基板的制作方法，其特征在于，包括：提供一基板；在所述基板上制...

【專利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員：陳興武，陳黎暄，
申請(專利權(quán))人：深圳市華星光電技術(shù)有限公司，
類型：發(fā)明
國別省市：廣東,44