有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備及其制造方法技術(shù)

本發(fā)明專利技術(shù)公開了一種有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備及其制造方法。有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備包括：基底；多個像素，形成在基底上，每個像素具有從其發(fā)射可見射線的發(fā)光區(qū)域和外部光穿過的透射區(qū)域；像素電路部分，設(shè)置在多個像素的每個發(fā)光區(qū)域中；第一電極，設(shè)置在每個發(fā)光區(qū)域中，并且電連接到像素電路部分；中間層，形成在第一電極上，并且包括有機(jī)發(fā)射層；第二電極，形成中間層上；覆蓋層，設(shè)置在第二電極上，并且包括對應(yīng)于發(fā)光區(qū)域的第一覆蓋層和對應(yīng)于透射區(qū)域的第二覆蓋層。因此，可以改進(jìn)有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備的電學(xué)特性和圖像品質(zhì)。

【技術(shù)實(shí)現(xiàn)步驟摘要】
有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備及其制造方法本申請要求于2011年12月23日在韓國知識產(chǎn)權(quán)局提交的第10-2011-0141719號韓國專利申請的優(yōu)先權(quán)和權(quán)益，該韓國專利申請的公開內(nèi)容通過引用被完全包含于此。
下面的描述涉及一種有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備及其制造方法。
技術(shù)介紹
平板顯示設(shè)備是薄的并且便攜式的顯示設(shè)備。在平板顯示設(shè)備中，有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備是具有寬視角、優(yōu)良對比度和高響應(yīng)速度的自發(fā)射顯示設(shè)備。因此，有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備被認(rèn)為(被注意到)是下一代顯示設(shè)備。有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備包括中間層、第一電極和第二電極。中間層包括有機(jī)發(fā)射層，當(dāng)向第一電極和第二電極施加電壓時，有機(jī)發(fā)射層產(chǎn)生可見射線。這里，由于設(shè)置在第二電極上的密封構(gòu)件或者其它雜質(zhì)，所以第二電極可能被污染或被損壞。因此，難以改進(jìn)有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備的圖像品質(zhì)和電學(xué)特性。
技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路
本專利技術(shù)實(shí)施例的方面涉及到具有改進(jìn)的電學(xué)特性和/或圖像品質(zhì)的有機(jī)發(fā)光顯示裝置和制造該有機(jī)發(fā)光顯示裝置的方法。根據(jù)本專利技術(shù)的實(shí)施例，提供了一種有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備，所述有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備包括：基底；多個像素，形成在基底上，每個像素具有從其發(fā)射可見射線的發(fā)光區(qū)域和外部光穿過的透射區(qū)域；像素電路部分，設(shè)置在多個像素的每個發(fā)光區(qū)域中；第一電極，設(shè)置在每個發(fā)光區(qū)域中，并且電連接到像素電路部分；中間層，形成在第一電極上，并且包括有機(jī)發(fā)射層；第二電極，形成中間層上；覆蓋層，設(shè)置在第二電極上，并且包括對應(yīng)于發(fā)光區(qū)域的第一覆蓋層和對應(yīng)于透射區(qū)域的第二覆蓋層。覆蓋層可以是透光的。第一覆蓋層和第二覆蓋層可以具有不同的厚度。第二覆蓋層可以比第一覆蓋層薄。第二覆蓋層可以包括多個子覆蓋層。第一覆蓋層和第二覆蓋層可以至少在第一方向和與第一方向垂直的第二方向上(或者在至少一個區(qū)域中)彼此分開。第一覆蓋層和第二覆蓋層可以包括相同的材料。第一覆蓋層和第二覆蓋層可以包括不同的材料。覆蓋層可以包括8-羥基喹啉鋰(Liq)、N，N-二苯基-N，N-雙(9-苯基-9H-咔唑-3-基)聯(lián)苯基-4，4′-二胺、N(聯(lián)苯-4-基)-9，9-二甲基-N-(4(9-苯基-9H-咔唑-3-基)苯基)-9H-芴-2-胺或2-(4-(9，10-二(萘-2-基)蒽-2-基)苯基)-1-苯基-1H-苯并-[D]咪唑。第二電極可以是透光的。覆蓋層可以形成在第一區(qū)域中的第二電極上并且具有第一邊緣，有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備還可以包括形成在第一區(qū)域之外的第二區(qū)域中的第二電極上(或者在除了第一區(qū)域之外的第二電極的整個頂表面中)的第三電極，第三電極具有第二邊緣，覆蓋層的第一邊緣的側(cè)表面和第三電極的第二邊緣的側(cè)表面彼此接觸。第三電極可以比第二電極厚。第三電極和覆蓋層之間的粘附力可以比第三電極和第二電極之間的粘附力弱。第三電極可以包含鎂(Mg)。覆蓋層的所有邊緣和第三電極的邊緣可以彼此接觸。根據(jù)本專利技術(shù)的另一實(shí)施例，提供了一種制造有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備的方法，所述有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備包括多個像素，每個像素包括從其發(fā)射可見射線的發(fā)光區(qū)域和外部光穿過的透射區(qū)域，所述方法包括：在基底上形成多個像素電路部分，以分別對應(yīng)于多個像素；形成設(shè)置在多個像素中的每個像素的發(fā)光區(qū)域中并且電連接到對應(yīng)的像素電路部分的第一電極；在第一電極上形成包括有機(jī)發(fā)射層的中間層；在中間層上形成第二電極；在第二電極上形成覆蓋層，其中，覆蓋層包括與發(fā)光區(qū)域?qū)?yīng)的第一覆蓋層和與透射區(qū)域?qū)?yīng)的第二覆蓋層。第一覆蓋層和第二覆蓋層可以分開地形成。第一覆蓋層和第二覆蓋層可以利用掩模形成。覆蓋層可以形成在第一區(qū)域中且在第二電極上，并且可以具有第一邊緣，所述方法還可以包括形成在第二電極上的除了第一區(qū)域之外的第二區(qū)域中并且具有第二邊緣的第三電極，覆蓋層的第一邊緣的側(cè)表面和第三電極的第二邊緣的側(cè)表面形成為彼此接觸。形成第三電極的步驟可以包括通過利用覆蓋層的圖案將第三電極圖案化。附圖說明通過參照附圖詳細(xì)描述本專利技術(shù)的示例性實(shí)施例，本專利技術(shù)的以上和其它特征及優(yōu)點(diǎn)將變得更清晰，在附圖中：圖1是示出根據(jù)本專利技術(shù)實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備的剖視圖；圖2是示出根據(jù)本專利技術(shù)另一實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備的剖視圖；圖3是示出圖1中的有機(jī)發(fā)光單元的平面圖；圖4是示出圖3中的像素的剖視圖；圖5是根據(jù)本專利技術(shù)實(shí)施例的圖1中的有機(jī)發(fā)光單元的覆蓋層的詳細(xì)平面圖；圖6是根據(jù)本專利技術(shù)另一實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光單元的覆蓋層的平面圖；圖7是根據(jù)本專利技術(shù)另一實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光單元的覆蓋層的平面圖；圖8是示出根據(jù)本專利技術(shù)另一實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光單元的平面圖；以及圖9是示出根據(jù)覆蓋層的厚度的透光度的曲線圖。具體實(shí)施方式現(xiàn)在將參照附圖更充分地描述本專利技術(shù)，在附圖中示出了本專利技術(shù)的示例性實(shí)施例。如這里所使用的，術(shù)語“和/或”包括相關(guān)所列項(xiàng)中的一個或多個的任意組合和所有組合。當(dāng)諸如“......中的至少一個(種)”的表述位于一系列元件之后時，修飾整個系列的元件，而不修飾這一系列中的單個元件。圖1是示出根據(jù)本專利技術(shù)實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備2的剖視圖。參照圖1，有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備2包括基底1、形成在基底1上的有機(jī)發(fā)光單元21和包封有機(jī)發(fā)光單元21的包封基底23。包封基底23包括透明材料，從而有機(jī)發(fā)光單元21產(chǎn)生的可見射線可以穿過包封基底23，并且防止(阻擋)外部的空氣和水進(jìn)入有機(jī)發(fā)光單元21。基底1和包封基底23利用密封構(gòu)件24結(jié)合，從而基底1和包封基底23之間的空間25被包封。吸潮材料或填料可以包括在空間25中。圖2是示出根據(jù)本專利技術(shù)另一實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備2的剖視圖。代替圖1中的包封基底23，可以在有機(jī)發(fā)光單元21上形成薄的包封層26，如圖2中所示，以保護(hù)有機(jī)發(fā)光單元21免受外部空氣影響。包封層26可以具有由氧化硅或氮化硅等形成的無機(jī)層和由環(huán)氧樹脂或聚酰亞胺等形成的有機(jī)層交替堆疊的結(jié)構(gòu)，但是不限于此。可以使用作為薄透明層的任何包封結(jié)構(gòu)。圖3是示出圖1中的有機(jī)發(fā)光單元21的平面圖，圖4是示出圖3中的像素的剖視圖。參照圖3和圖4，有機(jī)發(fā)光單元21被分為外部光透射穿過的透射區(qū)域TA和與透射區(qū)域TA相鄰的多個發(fā)光區(qū)域PA。如圖3中所示，在每個發(fā)光區(qū)域PA中包括像素電路部分PC，并且諸如掃描線S、數(shù)據(jù)線D和Vdd線V的多條導(dǎo)線電連接到像素電路部分PC。盡管圖3中未示出，但是根據(jù)像素電路部分PC的構(gòu)造，可以包括除了掃描線S、數(shù)據(jù)線D和Vdd線V之外的其它導(dǎo)線。在圖3中，像素電路部分PC可以包括連接到掃描線S和數(shù)據(jù)線D的至少一個薄膜晶體管、連接到Vdd線V等的一個薄膜晶體管以及電容器。像素電路部分PC的薄膜晶體管可以包括開關(guān)晶體管和驅(qū)動晶體管。另外，像素電路部分PC的薄膜晶體管可以是p型或n型晶體管，并且像素電路部分PC的電容器的數(shù)量可以改變。參照圖3，掃描線S與第一電極221疊置。然而，本專利技術(shù)的實(shí)施例不限于此，諸如掃描線S、數(shù)據(jù)線D和Vdd線V的多條導(dǎo)線中的至少一條可以設(shè)置為與第一電極221疊置，另外，根據(jù)條件，諸如掃描線S、數(shù)據(jù)線D和Vdd線V的多條導(dǎo)線的全部可以與第一電極221疊置，或者可以設(shè)置為鄰近第一電極221。參照圖4，緩沖層211形成在基底1上，薄膜晶體管TR1形成在緩沖層211上。盡管在圖4中僅示出了一個薄膜晶體管TR1，但是本專利技術(shù)的實(shí)施例不限于此，如上所述，在每個像素中可以包括多個晶體管和至少一個電容器。半導(dǎo)體活性層212形成在本文檔來自技高網(wǎng)...

【技術(shù)保護(hù)點(diǎn)】
一種有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備，所述有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備包括：基底；多個像素，位于基底上，每個像素具有從其發(fā)射可見射線的發(fā)光區(qū)域和外部光穿過的透射區(qū)域；像素電路部分，位于所述多個像素的每個發(fā)光區(qū)域中；第一電極，位于每個發(fā)光區(qū)域中，并且電連接到像素電路部分；中間層，位于第一電極上，并且包括有機(jī)發(fā)射層；第二電極，位于中間層上；以及覆蓋層，位于第二電極上，并且包括對應(yīng)于發(fā)光區(qū)域的第一覆蓋層和對應(yīng)于透射區(qū)域的第二覆蓋層，其中，第一覆蓋層和第二覆蓋層通過位于第一覆蓋層和第二覆蓋層之間的間隙在空間上彼此分開，其中，第一覆蓋層和第二覆蓋層具有不同的厚度。

【技術(shù)特征摘要】
2011.12.23 KR 10-2011-01417191.一種有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備，所述有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備包括：基底；多個像素，位于基底上，每個像素具有從其發(fā)射可見射線的發(fā)光區(qū)域和外部光穿過的透射區(qū)域；像素電路部分，位于所述多個像素的每個發(fā)光區(qū)域中；第一電極，位于每個發(fā)光區(qū)域中，并且電連接到像素電路部分；中間層，位于第一電極上，并且包括有機(jī)發(fā)射層；第二電極，位于中間層上；以及覆蓋層，位于第二電極上，并且包括對應(yīng)于發(fā)光區(qū)域的第一覆蓋層和對應(yīng)于透射區(qū)域的第二覆蓋層，其中，第一覆蓋層和第二覆蓋層通過位于第一覆蓋層和第二覆蓋層之間的間隙在空間上彼此分開，其中，第一覆蓋層和第二覆蓋層具有不同的厚度。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備，其中，覆蓋層是透光的。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備，其中，第二覆蓋層比第一覆蓋層薄。4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備，其中，第二覆蓋層包括多個子覆蓋層。5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備，其中，第一覆蓋層和第二覆蓋層至少在第一方向和與第一方向垂直的第二方向上彼此分開。6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備，其中，第一覆蓋層和第二覆蓋層包括相同的材料。7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備，其中，第一覆蓋層和第二覆蓋層包括不同的材料。8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備，其中，覆蓋層包括8-羥基喹啉鋰、N,N-二苯基-N,N-雙(9-苯基-9H-咔唑-3-基)聯(lián)苯基-4,4′-二胺、N(聯(lián)苯-4-基)-9,9-二甲基-N-(4(9-苯基-9H-咔唑-3-基)苯基)-9H-芴-2-胺或2-(4-(9,10-二(萘-2-基)蒽-2-基)苯基)-1-苯基-1H-苯并-[D]咪唑。9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備，其中，第二電極是透光的。10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備，其中：覆蓋層位于第一...

【專利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員：崔俊呼，鄭鎮(zhèn)九，金星民，
申請(專利權(quán))人：三星顯示有限公司，
類型：發(fā)明
國別省市：韓國,KR