智能功率模塊和空調器制造技術

本發明專利技術公開了一種智能功率模塊，該模塊包括：輸入管腳；輸出管腳；逆變電路，逆變電路的輸入端與輸入管腳相連，逆變電路的輸出端與輸出管腳相連，逆變電路包括多個功率開關MOSFET管以及分別與多個功率開關MOSFET管對應并聯的多個續流MOSFET管，功率開關MOSFET管和續流MOSFET管均為MOSFET管，逆變電路用于將輸入管腳輸入的直流電逆變為交流電；驅動單元，驅動單元分別與多個功率開關MOSFET管的柵極相連，驅動單元用于驅動多個功率開關MOSFET管的導通和關斷，以控制逆變電路進行逆變，從而，可以提高功率開關MOSFET管的開通速率，降低電流噪聲，減小功率損耗，提高了產品的適用性，特別適用于具有超低功耗要求或者采用高頻脈寬調制算法的電控系統。本發明專利技術還公開了一種空調器。

【技術實現步驟摘要】
智能功率模塊和空調器
本專利技術涉及電器
，特別涉及一種智能功率模塊以及具有該智能功率模塊的空調器。
技術介紹
在相關技術中，智能功率模塊把功率開關MOSFET管器件和高壓驅動電路集成設置，以其高集成度、高可靠性等優勢贏得越來越大的市場，尤其適合于驅動電機的變頻器及各種逆變電源。如圖1所示，相關技術中的智能功率模塊，通常將功率開關MOSFET管器件IGBT管和用作續流作用的快恢復二極管FRD配合使用，為了減小功率開關MOSFET管器件對電能的損耗，需要提高IGBT管的開通速率以及選擇正向壓降較小的二極管。但是，其存在的問題是，IGBT管的開通速率提高會導致電流噪聲增大，并且二極管的正向壓降越小，電流噪聲越大，電流噪聲過大容易對電路系統造成干擾，引發電路誤動作，甚至損壞電路系統。因此，相關技術需要進行改進。
技術實現思路
本專利技術旨在至少在一定程度上解決相關技術中的技術問題之一。為此，本專利技術的一個目的在于提出一種具有低電流噪聲、低功率損耗的智能功率模塊。本專利技術的另一個目的在于提出一種空調器。為達到上述目的，本專利技術一方面實施例提出的一種智能功率模塊，包括：輸入管腳；輸出管腳；逆變電路，所述逆變電路的輸入端與所述輸入管腳相連，所述逆變電路的輸出端與所述輸出管腳相連，所述逆變電路包括多個功率開關MOSFET管以及分別與所述多個功率開關MOSFET管對應并聯的多個續流MOSFET管，所述逆變電路用于將所述輸入管腳輸入的直流電逆變為交流電；驅動單元，所述驅動單元分別與所述多個功率開關MOSFET管的柵極相連，所述驅動單元用于驅動所述多個功率開關MOSFET管的導通和關斷，以控制所述逆變電路進行逆變。根據本專利技術實施例提出的智能功率模塊，逆變電路包括多個功率開關MOSFET管以及分別與多個功率開關MOSFET管并聯的多個續流MOSFET管，驅動單元驅動多個功率開關MOSFET管的導通和關斷，以控制逆變電路將輸入管腳輸入的直流電逆變為交流電。由此，本專利技術實施例的智能功率模塊采用MOSFET管作為功率開關和續流，可以提高功率開關的開通速率，降低電流噪聲，減小功率損耗，提高了產品的適用性。根據本專利技術的一個實施例，所述智能功率模塊包括：PFC輸出管腳，所述PFC輸出管腳與所述輸入管腳相連；PFC輸入管腳；功率因數校正PFC電路，所述功率因數校正PFC的輸入端與所述PFC輸入管腳相連，所述功率因數校正PFC的輸出端與所述PFC輸出管腳相連，所述功率因數校正PFC電路包括PFC功率開關MOSFET管和PFC續流MOSFET管，所述PFC功率開關MOSFET管和所述PFC續流MOSFET管均為MOSFET管，所述PFC功率開關MOSFET管的柵極與所述驅動單元相連，其中，所述驅動單元用于驅動所述PFC功率開關MOSFET管的導通和關斷，以控制所述PFC電路進行功率因數校正。根據本專利技術的一個實施例，所述多個功率開關MOSFET管和所述PFC功率開關MOSFET管為碳化硅MOSFET管，所述多個續流MOSFET管和所述PFC續流MOSFET管為氮化稼MOSFET管。根據本專利技術的一個實施例，所述輸入管腳包括第一輸入管腳至第三輸入管腳，所述輸出管腳包括第一輸出管腳至第二輸出管腳，所述多個功率開關MOSFET管包括第一MOSFET管至第四MOSFET管，所述多個續流MOSFET管包括第七MOSFET管至第十MOSFET管，其中，所述第一MOSFET管的漏極與所述第一輸入管腳相連，所述第一MOSFET管的柵極與所述驅動單元相連，所述第二MOSFET管的漏極與所述第一MOSFET管的源極相連并具有第一節點，所述第二MOSFET管的源極與所述第二輸入管腳相連，所述第二MOSFET管的柵極與所述驅動單元相連，其中，所述第一節點與所述第一輸出管腳相連；所述第七MOSFET管的漏極與所述第一MOSFET管的漏極相連，所述第七MOSFET管的源極與柵極相連后與所述第一MOSFET管的源極相連；所述第八MOSFET管的漏極與所述第二MOSFET管的漏極相連，所述第八MOSFET管的源極與柵極相連后與所述第二MOSFET管的源極相連；所述第三MOSFET管的漏極與所述第一輸入管腳相連，所述第三MOSFET管的柵極與所述驅動單元相連，所述第四MOSFET管的漏極與所述第三MOSFET管的源極相連并具有第二節點，所述第四MOSFET管的源極與所述第三輸入管腳相連，所述第四MOSFET管的柵極與所述驅動單元相連，其中，所述第二節點與所述第二輸出管腳相連；所述第九MOSFET管的漏極與所述第三MOSFET管的漏極相連，所述第就MOSFET管的源極與柵極相連后與所述第三MOSFET管的源極相連；所述第十MOSFET管的漏極與所述第四MOSFET管的漏極相連，所述第十MOSFET管的源極與柵極相連后與所述第四MOSFET管的源極相連。根據本專利技術的一個實施例，所述輸入管腳還包括第四輸入管腳，所述輸出管腳還包括第三輸出管腳，所述多個功率開關MOSFET管還包括第五MOSFET管至第六MOSFET管，所述多個續流MOSFET管還包括第十一MOSFET管至第十二MOSFET管，其中，所述第五MOSFET管的漏極與所述第一輸入管腳相連，所述第五MOSFET管的柵極與所述驅動單元相連，所述第六MOSFET管的漏極與所述第五MOSFET管的源極相連并具有第三節點，所述第六MOSFET管的源極與所述第四輸入管腳相連，所述第六MOSFET管的柵極與所述驅動單元相連，其中，所述第三節點與所述第三輸出管腳相連；所述第十一MOSFET管的漏極與所述第五MOSFET管的漏極相連，所述第十一MOSFET管的源極與柵極相連后與所述第五MOSFET管的源極相連；所述第十二MOSFET管的漏極與所述第六MOSFET管的漏極相連，所述第十二MOSFET管的源極與柵極相連后與所述第六MOSFET管的源極相連。根據本專利技術的一個實施例，所述驅動單元通過多個第一驅動電阻與所述多個功率開關MOSFET管的柵極對應相連。根據本專利技術的一個具體實施例，所述多個第一驅動電阻的取值范圍可為0Ω至56Ω。根據本專利技術的一個實施例，所述PFC輸出管腳包括第四輸出管腳和第五輸出管腳，所述PFC功率開關MOSFET管包括第十三MOSFET管，所述PFC續流MOSFET管包括第十四MOSFET管，其中，所述第十四MOSFET管的漏極與所述第四輸出管腳相連，所述第十四MOSFET管的源極與柵極相連；所述第十三MOSFET管的漏極與所述第十四MOSFET管的源極相連并具有第四節點，所述第十三MOSFET管的源極與所述第五輸出管腳相連，所述第十三MOSFET管的柵極與所述驅動單元相連，其中，所述第四節點與所述PFC輸入管腳相連。根據本專利技術的一個實施例，所述驅動單元通過第二驅動電阻與所述PFC功率開關MOSFET管的柵極相連。根據本專利技術的一個實施例，所述第二驅動電阻的取值范圍可為0Ω至56Ω。為達到上述目的，本專利技術另一方面實施例提出的一種空調器，包括所述的智能功率模塊。根據本專利技術實施例提出的空調器，通過上述智能功率模塊，可以提高功率開關的開通速率，降低電流噪聲，減小功率損耗，提高了產品的適用性。附圖說明圖1是相關技術中的智能功率模塊的本文檔來自技高網...

【技術保護點】
一種智能功率模塊，其特征在于，包括：輸入管腳；輸出管腳；逆變電路，所述逆變電路的輸入端與所述輸入管腳相連，所述逆變電路的輸出端與所述輸出管腳相連，所述逆變電路包括多個功率開關MOSFET管以及分別與所述多個功率開關MOSFET管對應并聯的多個續流MOSFET管，所述逆變電路用于將所述輸入管腳輸入的直流電逆變為交流電；驅動單元，所述驅動單元分別與所述多個功率開關MOSFET管的柵極相連，所述驅動單元用于驅動所述多個功率開關MOSFET管的導通和關斷，以控制所述逆變電路進行逆變。

【技術特征摘要】
1.一種智能功率模塊，其特征在于，包括：輸入管腳；輸出管腳；逆變電路，所述逆變電路的輸入端與所述輸入管腳相連，所述逆變電路的輸出端與所述輸出管腳相連，所述逆變電路包括多個功率開關MOSFET管以及分別與所述多個功率開關MOSFET管對應并聯的多個續流MOSFET管，所述逆變電路用于將所述輸入管腳輸入的直流電逆變為交流電；驅動單元，所述驅動單元分別與所述多個功率開關MOSFET管的柵極相連，所述驅動單元用于驅動所述多個功率開關MOSFET管的導通和關斷，以控制所述逆變電路進行逆變。2.根據權利要求1所述的智能功率模塊，其特征在于，包括：PFC輸出管腳，所述PFC輸出管腳與所述輸入管腳相連；PFC輸入管腳；功率因數校正PFC電路，所述功率因數校正PFC的輸入端與所述PFC輸入管腳相連，所述功率因數校正PFC的輸出端與所述PFC輸出管腳相連，所述功率因數校正PFC電路包括PFC功率開關MOSFET管和PFC續流MOSFET管，所述PFC功率開關MOSFET管的柵極與所述驅動單元相連，其中，所述驅動單元用于驅動所述PFC功率開關MOSFET管的導通和關斷，以控制所述PFC電路進行功率因數校正。3.根據權利要求2所述的智能功率模塊，其特征在于，所述多個功率開關MOSFET管和所述PFC功率開關MOSFET管為碳化硅MOSFET管，所述多個續流MOSFET管和所述PFC續流MOSFET管為氮化稼MOSFET管。4.根據權利要求1所述的智能功率模塊，其特征在于，所述輸入管腳包括第一輸入管腳至第三輸入管腳，所述輸出管腳包括第一輸出管腳至第二輸出管腳，所述多個功率開關MOSFET管包括第一MOSFET管至第四MOSFET管，所述多個續流MOSFET管包括第七MOSFET管至第十MOSFET管，其中，所述第一MOSFET管的漏極與所述第一輸入管腳相連，所述第一MOSFET管的柵極與所述驅動單元相連，所述第二MOSFET管的漏極與所述第一MOSFET管的源極相連并具有第一節點，所述第二MOSFET管的源極與所述第二輸入管腳相連，所述第二MOSFET管的柵極與所述驅動單元相連，其中，所述第一節點與所述第一輸出管腳相連；所述第七MOSFET管的漏極與所述第一MOSFET管的漏極相連，所述第七MOSFET管的源極與柵極相連后與所述第一MOSFET管的源極相連；所述第八MOSFET管的漏極與所述第二MOSFET管的漏極相連，所述第八MOSFET管的源極與柵極相連后與所述第二MOSFET管的源極相連；所述第三MOSFET管的漏極與所述第一輸入管腳相連，所述第三MOSFET管的柵極與所述驅動單元相連，所述第四MOSFET管的漏極與所述第三MOSFET管的源極相連并具有第二節點，所述第四MOSFET管的源極與所述第三輸入管...

【專利技術屬性】
技術研發人員：魏調興，馮宇翔，
申請(專利權)人：廣東美的制冷設備有限公司，美的集團股份有限公司，
類型：發明
國別省市：廣東,44