一種電學補償方法和顯示面板技術

本發明專利技術的實施例提供一種電學補償方法和顯示面板，涉及顯示技術領域。用于驅動晶體管的閾值電壓和遷移率進行補償。該方法包括：控制第一晶體管和第二晶體管導通并在數據線上施加第一電壓；控制第一晶體管截止、第二晶體管導通，預設時間后檢測感應線上的電壓獲取第一檢測電壓；控制第一晶體管和第二晶體管導通并在數據線上施加第二電壓；控制第一晶體管截止、第二晶體管導通，預設時間后檢測感應線上的電壓獲取第二檢測電壓；根據第一電壓、第二電壓、第一檢測電壓和第二檢測電壓獲取驅動晶體管的閾值電壓和遷移率，并根據驅動晶體管的閾值電壓和遷移率對驅動晶體管的閾值電壓和遷移率進行補償。本發明專利技術的實施例用于閾值電壓和遷移率的補償。

【技術實現步驟摘要】
一種電學補償方法和顯示面板
本專利技術涉及顯示
，尤其涉及一種電學補償方法和顯示面板。
技術介紹
有機發光顯示器(英文名稱：OrganicLight-EmittingDiode,簡稱：OLED)作為新一代顯示器，是當今平板顯示器研究領域的熱點之一，與傳統液晶顯示器(英文名稱：LiquidCrystalDisplay,簡稱：LCD)相比，OLED具有低能耗、生產成本低、自發光、寬視角及響應速度快等優點。目前，在手機、掌上電腦(英文名稱：PersonalDigitalAssistant，英文名稱：PAD)、數碼相機等顯示領域OLED已經開始逐漸取代傳統的液晶顯示屏。參照圖1所示，圖1為傳統OLED中一個子像素的像素驅動電路圖。子像素的驅動電路圖由驅動TFTT1、開關TFTT2、電容C1、數據線Yn、掃描線Gm、陽極電源ELVDD、陰極電源ELVSS以及OLED器件組成。流過驅動晶體管T1的電流可同過如下公式來表示：I＝k(Vgs-Vth)2；其中，Vth為驅動晶體管T1的閾值電壓，Vgs為電容C1兩極上的電壓差，k為驅動晶體管T1的遷移率。然而，由于晶化工藝的局限性，不同的驅動晶體管(英文名稱：ThinFilmTransistor，英文名稱：TFT)的閾值電壓以及遷移率會存在一定差異。這種差異會轉化為OLED顯示器件的電流差異和亮度差異，并被人眼所感知，即mura現象。并且OLED使用過程中驅動晶體管的閾值電壓還會產生飄移，且由于OLED不同位置顯示畫面不同，因此OLED各部分驅動晶體管的閾值漂移量不同，會造成顯示亮度差異，由于這種差異與之前顯示的圖像有關，因此常呈現為殘影現象，也就是通常所說的殘像。因此如何對驅動晶體管的閾值電壓和遷移率進行補償，從而提高OLED的顯示效果是本領域技術人員不斷研究的一個問題。
技術實現思路
本專利技術的實施例提供一種電學補償方法和顯示面板，用于對驅動晶體管的閾值電壓和遷移率進行補償。為達到上述目的，本專利技術的實施例采用如下技術方案：第一方面，提供一種電學補償方法，用于對電路進行補償，所述電路包括：驅動晶體管、第一晶體管、第二晶體管以及電容；所述驅動晶體管的第一極連接第一電平端，所述驅動晶體管的第二極連接所述第二晶體管的第一極，所述驅動晶體管的柵極連接所述第一晶體管的第二極以及所述電容的第一極，所述第一晶體管的第一極連接數據線，所述第一晶體管的柵極連接所述第一掃描信號端，所述電容的第二極連接所述第二晶體管的第一極，所述第二晶體管的第二極連接感應線，所述第二晶體管的柵極連接第二掃描信號端；所述方法包括：控制所述第一晶體管和所述第二晶體管導通并在所述數據線上施加第一電壓；控制所述第一晶體管截止、所述第二晶體管導通，預設時間后檢測所述感應線上的電壓獲取第一檢測電壓；控制所述第一晶體管和所述第二晶體管導通并在所述數據線上施加第二電壓；控制所述第一晶體管截止、所述第二晶體管導通，預設時間后檢測所述感應線上的電壓獲取第二檢測電壓；根據所述第一電壓、所述第二電壓、所述第一檢測電壓和所述第二檢測電壓獲取所述驅動晶體管的閾值電壓和遷移率，并根據所述驅動晶體管的閾值電壓和遷移率對所述驅動晶體管的閾值電壓和遷移率進行補償。可選的，所述方法還包括：獲取第一差值；所述第一差值為所述驅動晶體管的閾值電壓與預存閾值電壓的差值；判斷所述第一差值的絕對值是否大于第一閾值；若是，則使用所述驅動晶體管的閾值電壓替換所述預存閾值電壓；所述根據所述驅動晶體管的閾值電壓和遷移率對所述驅動晶體管的閾值電壓和遷移率進行補償包括：根據預存閾值電壓和驅動晶體管的遷移率對所述驅動晶體管的閾值電壓進行補償。可選的，所述方法還包括：獲取第二差值；所述第二差值為所述驅動晶體管的遷移率與預存遷移率的差值；判斷所述第二差值的絕對值是否大于第二閾值；若是，則使用所述驅動晶體管的遷移率替換所述預存遷移率；所述根據所述驅動晶體管的閾值電壓和遷移率對所述驅動晶體管的閾值電壓和遷移率進行補償包括：根據預存遷移率和驅動晶體管的閾值電壓對所述驅動晶體管的閾值電壓進行補償。可選的，根據所述第一電壓、所述第二電壓、所述第一檢測電壓和所述第二檢測電壓獲取所述驅動晶體管的閾值電壓，包括：根據公式：獲取所述驅動晶體管的閾值電壓；其中，所述Vth為所述驅動晶體管的閾值電壓；所述VS1為第一檢測電壓的電壓值；所述VS2為第二檢測電壓的電壓值；所述VD1為第一電壓的電壓值；所述VD2為第二電壓的電壓值。可選的，根據所述第一電壓、所述第二電壓、所述第一檢測電壓和所述第二檢測電壓獲取所述驅動晶體管的遷移率，包括：根據公式：獲取所述驅動晶體管的遷移率；其中，所述k為所述驅動晶體管的遷移率；所述VS1為第一檢測電壓的電壓值；所述VS2為第二檢測電壓的電壓值；所述Cn為感應線上的電容值；所述VD1為第一電壓的電壓值；所述VD2為第二電壓的電壓值；T為預設時間的時間長度。可選的，所述根據所述驅動晶體管的閾值電壓和遷移率對所述驅動晶體管的閾值電壓和遷移率進行補償，包括：獲取輸入的灰階對應的驅動電流值；根據公式對所述驅動晶體管的柵極和源極的電壓差進行補償；其中，所述Vgs為驅動晶體管的柵極和源極的電壓差；所述I為輸入的灰階對應的驅動電流值；所述k為所述驅動晶體管的遷移率；所述Vth為所述驅動晶體管的閾值電壓。可選的，所述獲取輸入的灰階對應的驅動電流值包括：根據公式獲取輸入的灰階對應的驅動電流值；其中，所述Imax為所述電致發光器件顯示最大灰階時的電流值，所述GL為輸入的灰階。可選的，所述第一晶體管和所述第二晶體管為N型晶體管；所述控制所述第一晶體管和所述第二晶體管導通，包括：通過所述第一掃描信號端輸出高電平控制所述第一晶體管導通，并通過所述第二掃描信號端輸出高電平控制所述第二晶體管導通；所述控制所述第一晶體管截止、所述第二晶體管導通，包括：通過所述第一掃描信號端輸出低電平控制所述第一晶體管截止，并通過所述第二掃描信號端輸出高電平控制所述第二晶體管導通。可選的，所述第一晶體管和所述第二晶體管為P型晶體管；所述控制所述第一晶體管和所述第二晶體管導通，包括：通過所述第一掃描信號端輸出低電平控制所述第一晶體管導通，并通過所述第二掃描信號端輸出低電平控制所述第二晶體管導通；所述控制所述第一晶體管截止、所述第二晶體管導通，包括：通過所述第一掃描信號端輸出高電平控制所述第一晶體管截止，并通過所述第二掃描信號端輸出低電平控制所述第二晶體管導通。第二方面，提供一種顯示面板，其特征在于，所述顯示面板包括多個像素電路，至少一個所述像素電路通過第一方面任一項所述的電學補償方法對驅動晶體管的閾值電壓和遷移率進行補償。本專利技術實施例提供的電學補償方法，首先控制第一晶體管和第二晶體管導通并在數據線上施加第一電壓，因此可以將在驅動晶體管的柵極寫入第一電壓；其次控制第一晶體管截止、第二晶體管導通，預設時間后檢測感應線上的電壓獲取第一檢測電壓；再次控制第一晶體管和第二晶體管導通并在數據線上施加第二電壓，因此可以將在驅動晶體管的柵極寫入第二電壓，然后預設時間后檢測感應線上的電壓獲取第二檢測電壓；最后通過第一電壓、第二電壓、第一檢測電壓和第二檢測電壓獲取驅動晶體管的閾值電壓和遷移率，并根據驅動晶體管的閾值電壓和遷移率本文檔來自技高網...

【技術保護點】
一種電學補償方法，用于對電路進行補償，其特征在于，所述電路包括：驅動晶體管、第一晶體管、第二晶體管以及電容；所述驅動晶體管的第一極連接第一電平端，所述驅動晶體管的第二極連接所述第二晶體管的第一極，所述驅動晶體管的柵極連接所述第一晶體管的第二極以及所述電容的第一極，所述第一晶體管的第一極連接數據線，所述第一晶體管的柵極連接所述第一掃描信號端，所述電容的第二極連接所述第二晶體管的第一極，所述第二晶體管的第二極連接感應線，所述第二晶體管的柵極連接第二掃描信號端；所述方法包括：控制所述第一晶體管和所述第二晶體管導通并在所述數據線上施加第一電壓；控制所述第一晶體管截止、所述第二晶體管導通，預設時間后檢測所述感應線上的電壓獲取第一檢測電壓；控制所述第一晶體管和所述第二晶體管導通并在所述數據線上施加第二電壓；控制所述第一晶體管截止、所述第二晶體管導通，預設時間后檢測所述感應線上的電壓獲取第二檢測電壓；根據所述第一電壓、所述第二電壓、所述第一檢測電壓和所述第二檢測電壓獲取所述驅動晶體管的閾值電壓和遷移率，并根據所述驅動晶體管的閾值電壓和遷移率對所述驅動晶體管的閾值電壓和遷移率進行補償。

【技術特征摘要】
1.一種電學補償方法，用于對電路進行補償，其特征在于，所述電路包括：驅動晶體管、第一晶體管、第二晶體管以及電容；所述驅動晶體管的第一極連接第一電平端，所述驅動晶體管的第二極連接所述第二晶體管的第一極，所述驅動晶體管的柵極連接所述第一晶體管的第二極以及所述電容的第一極，所述第一晶體管的第一極連接數據線，所述第一晶體管的柵極連接所述第一掃描信號端，所述電容的第二極連接所述第二晶體管的第一極，所述第二晶體管的第二極連接感應線，所述第二晶體管的柵極連接第二掃描信號端；所述方法包括：控制所述第一晶體管和所述第二晶體管導通并在所述數據線上施加第一電壓；控制所述第一晶體管截止、所述第二晶體管導通，預設時間后檢測所述感應線上的電壓獲取第一檢測電壓；控制所述第一晶體管和所述第二晶體管導通并在所述數據線上施加第二電壓；控制所述第一晶體管截止、所述第二晶體管導通，預設時間后檢測所述感應線上的電壓獲取第二檢測電壓；根據所述第一電壓、所述第二電壓、所述第一檢測電壓和所述第二檢測電壓獲取所述驅動晶體管的閾值電壓和遷移率，并根據所述驅動晶體管的閾值電壓和遷移率對所述驅動晶體管的閾值電壓和遷移率進行補償。2.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法還包括：獲取第一差值；所述第一差值為所述驅動晶體管的閾值電壓與預存閾值電壓的差值；判斷所述第一差值的絕對值是否大于第一閾值；若是，則使用所述驅動晶體管的閾值電壓替換所述預存閾值電壓；所述根據所述驅動晶體管的閾值電壓和遷移率對所述驅動晶體管的閾值電壓和遷移率進行補償包括：根據預存閾值電壓和驅動晶體管的遷移率對所述驅動晶體管的閾值電壓進行補償。3.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法還包括：獲取第二差值；所述第二差值為所述驅動晶體管的遷移率與預存遷移率的差值；判斷所述第二差值的絕對值是否大于第二閾值；若是，則使用所述驅動晶體管的遷移率替換所述預存遷移率；所述根據所述驅動晶體管的閾值電壓和遷移率對所述驅動晶體管的閾值電壓和遷移率進行補償包括：根據預存遷移率和驅動晶體管的閾值電壓對所述驅動晶體管的閾值電壓進行補償。4.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述根據所述第一電壓、所述第二電壓、所述第一檢測電壓和所述第二檢測電壓獲取所述驅動晶體管的閾值電壓，包括：根據公式：獲取所述驅動晶體管的閾值電壓；其中，所述Vth為所述驅動晶體管的閾值電壓；所述VS1為第一檢測電壓的電壓值；所述VS2為第二檢測電...

【專利技術屬性】
技術研發人員：楊飛，孟松，王雨，吳月，
申請(專利權)人：京東方科技集團股份有限公司，
類型：發明
國別省市：北京,11