一種溫度檢測電路制造技術(shù)

本實用新型專利技術(shù)公開了一種溫度檢測電路，所述電路包括：電壓調(diào)制單元和比較單元；所述比較單元的第一輸入端與基準(zhǔn)電壓相連，第二輸入端與所述電壓調(diào)制單元的輸出端相連，用于將所述電壓調(diào)制單元輸出的電壓與所述基準(zhǔn)電壓進行比較，并根據(jù)比較結(jié)果產(chǎn)生控制指令，以控制所述電壓調(diào)制單元進行電壓調(diào)制，所述電壓調(diào)制單元的輸入端與所述比較單元的輸出端相連，用于接收所述比較單元輸出的控制指令，并在所述控制指令的控制下改變輸出電壓，以使所述輸出電壓與所述基準(zhǔn)電壓逐次逼近，本實用新型專利技術(shù)實施例提供的溫度檢測電路提高了溫度檢測的精度。

Temperature detecting circuit

The utility model discloses a temperature detection circuit, the circuit comprises a voltage modulation unit and a comparison unit; the comparison unit the first input end is connected with the output reference voltage and the second input end of the voltage modulation unit is connected to the voltage for the voltage modulation unit and the output the reference voltage is compared, and generates a control instruction according to the results of the comparison of voltage modulation to control the voltage modulation unit, an input end of the voltage modulation unit and the comparison unit is connected for receiving the control instructions are unit output, and the output voltage is changed in the control of the control instruction next, in order to make the output voltage and the reference voltage of successive approximation, the temperature detection circuit provided by the embodiment of the utility model improves the precision of temperature detection.

【技術(shù)實現(xiàn)步驟摘要】
一種溫度檢測電路
本技術(shù)實施例涉及存儲
，具體涉及一種溫度檢測電路。
技術(shù)介紹
非易失閃存介質(zhì)(norflash/nandflash)是一種很常見的存儲芯片，兼有隨機存儲器(RandomAccessMemory，RAM)和只讀存儲器(Read-OnlyMemory，ROM)的優(yōu)點，數(shù)據(jù)掉電不會丟失，是一種可在系統(tǒng)進行電擦寫的存儲器，同時它的高集成度和低成本使它成為市場主流。flash芯片的制作工藝決定了其是一類對溫度很敏感的芯片，芯片溫度的變化會影響到芯片的編程或者擦除等與芯片存儲功能密切相關(guān)的性能，因此flash芯片對溫度檢測的精度要求相對較高，有了精確的溫度信息，flash芯片便可以根據(jù)目前的溫度信息反饋給相應(yīng)的電路做出溫度補償，以保證自身的存儲等各項性能。因此，研發(fā)一種適用于flash芯片的高精度的溫度檢測電路顯得意義重大。
技術(shù)實現(xiàn)思路
本技術(shù)提供一種溫度檢測電路，提高了溫度檢測的精度。本技術(shù)實施例提供了一種溫度檢測電路，該電路包括：電壓調(diào)制單元和比較單元；其中，所述比較單元的第一輸入端與基準(zhǔn)電壓相連，第二輸入端與所述電壓調(diào)制單元的輸出端相連，用于將所述電壓調(diào)制單元輸出的電壓與所述基準(zhǔn)電壓進行比較，并根據(jù)比較結(jié)果產(chǎn)生控制指令，以控制所述電壓調(diào)制單元進行電壓調(diào)制；所述電壓調(diào)制單元的輸入端與所述比較單元的輸出端相連，用于接收所述比較單元輸出的控制指令，并在所述控制指令的控制下改變輸出電壓，以使所述輸出電壓與所述基準(zhǔn)電壓逐次逼近。進一步地，所述比較單元包括：比較器和逐次逼近寄存器；其中，所述比較器的第一輸入端與所述基準(zhǔn)電壓相連，第二輸入端與所述電壓調(diào)制單元的輸出端相連，輸出端與所述逐次逼近寄存器的輸入端相連，用于將所述電壓調(diào)制單元輸出的電壓與所述基準(zhǔn)電壓進行比較，并將比較結(jié)果輸出給所述逐次逼近寄存器；所述逐次逼近寄存器的輸出端與所述電壓調(diào)制單元的輸入端相連，用于根據(jù)所述比較結(jié)果調(diào)整溫度數(shù)字碼，并將所述溫度數(shù)字碼輸出給所述電壓調(diào)制單元，以使所述電壓調(diào)制單元根據(jù)所述溫度數(shù)字碼進行電壓調(diào)制。進一步地，所述逐次逼近寄存器還用于根據(jù)所述比較結(jié)果直接輸出相應(yīng)的溫度數(shù)字碼。進一步地，所述電壓調(diào)制單元包括：電壓調(diào)制器和電阻串選擇電路；其中，所述電壓調(diào)制器與所述電阻串選擇電路相連，用于為所述電阻串選擇電路產(chǎn)生一個不會溢出的正向端調(diào)制電壓；所述電阻串選擇電路用于根據(jù)所述控制指令選擇對應(yīng)的電阻電壓，以使所述電壓調(diào)制單元的輸出電壓與所述基準(zhǔn)電壓逐次逼近。進一步地，所述電路還包括：基準(zhǔn)電壓產(chǎn)生單元，用于產(chǎn)生所述基準(zhǔn)電壓。示例性地，所述基準(zhǔn)電壓為flash芯片的一個隨溫度線性變化的電壓。進一步地，所述電壓還包括：放大單元，用于對所述隨溫度線性變化的電壓進行放大。本技術(shù)實施例提供的一種溫度檢測電路包括：電壓調(diào)制單元和比較單元，所述比較單元的第一輸入端與基準(zhǔn)電壓相連，第二輸入端與所述電壓調(diào)制單元的輸出端相連，用于將所述電壓調(diào)制單元輸出的電壓與所述基準(zhǔn)電壓進行比較，并根據(jù)比較結(jié)果產(chǎn)生控制指令，以控制所述電壓調(diào)制單元進行電壓調(diào)制；所述電壓調(diào)制單元的輸入端與所述比較單元的輸出端相連，用于接收所述比較單元輸出的控制指令，并在所述控制指令的控制下改變輸出電壓，以使所述輸出電壓與所述基準(zhǔn)電壓逐次逼近，通過該溫度檢測電路可以提高溫度檢測的精度。附圖說明圖1是本技術(shù)實施例一中的一種溫度檢測電路的結(jié)構(gòu)示意圖；圖2是本技術(shù)實施例二中的一種溫度檢測電路的結(jié)構(gòu)示意圖。具體實施方式下面結(jié)合附圖和實施例對本技術(shù)作進一步的詳細說明。可以理解的是，此處所描述的具體實施例僅僅用于解釋本技術(shù)，而非對本技術(shù)的限定。另外還需要說明的是，為了便于描述，附圖中僅示出了與本技術(shù)相關(guān)的部分而非全部結(jié)構(gòu)。實施例一圖1為本技術(shù)實施例一提供的一種溫度檢測電路的結(jié)構(gòu)示意圖，本實施例可適用于對flash芯片進行高精度的溫度檢測的情況。參見圖1，本實施例提供的溫度檢測電路具體包括：比較單元110和電壓調(diào)制單元120；其中，比較單元110的第一輸入端與基準(zhǔn)電壓VBE相連，第二輸入端與電壓調(diào)制單元120的輸出端相連，用于將電壓調(diào)制單元120輸出的電壓與基準(zhǔn)電壓VBE進行比較，并根據(jù)比較結(jié)果產(chǎn)生控制指令，以控制電壓調(diào)制單元120進行電壓調(diào)制；電壓調(diào)制單元120的輸入端與比較單元110的輸出端相連，用于接收比較單元110輸出的控制指令，并在所述控制指令的控制下改變輸出電壓，以使所述輸出電壓與基準(zhǔn)電壓VBE逐次逼近。本實施例提供的一種溫度檢測電路包括：電壓調(diào)制單元和比較單元，所述比較單元的第一輸入端與基準(zhǔn)電壓相連，第二輸入端與所述電壓調(diào)制單元的輸出端相連，用于將所述電壓調(diào)制單元輸出的電壓與所述基準(zhǔn)電壓進行比較，并根據(jù)比較結(jié)果產(chǎn)生控制指令，以控制所述電壓調(diào)制單元進行電壓調(diào)制；所述電壓調(diào)制單元的輸入端與所述比較單元的輸出端相連，用于接收所述比較單元輸出的控制指令，并在所述控制指令的控制下改變輸出電壓，以使所述輸出電壓與所述基準(zhǔn)電壓逐次逼近，通過該溫度檢測電路可以提高溫度檢測的精度。實施例二圖2為本技術(shù)實施例二提供的一種溫度檢測電路的結(jié)構(gòu)示意圖，本實施例在實施例一的基礎(chǔ)上進行進一步優(yōu)化，具體可以參見圖2，所述電路具體包括：比較單元110和電壓調(diào)制單元120；其中，比較單元110的第一輸入端與基準(zhǔn)電壓VBE相連，第二輸入端與電壓調(diào)制單元120的輸出端相連，用于將電壓調(diào)制單元120輸出的電壓與基準(zhǔn)電壓VBE進行比較，并根據(jù)比較結(jié)果產(chǎn)生控制指令，以控制電壓調(diào)制單元120進行電壓調(diào)制；電壓調(diào)制單元120的輸入端與比較單元110的輸出端相連，用于接收比較單元110輸出的控制指令，并在所述控制指令的控制下改變輸出電壓，以使所述輸出電壓與基準(zhǔn)電壓VBE逐次逼近；進一步地，比較單元110包括：比較器111和逐次逼近寄存器112；其中，比較器111的第一輸入端與基準(zhǔn)電壓VBE相連，第二輸入端與電壓調(diào)制單元120的輸出端相連，輸出端與逐次逼近寄存器112的輸入端相連，用于將電壓調(diào)制單元120輸出的電壓與基準(zhǔn)電壓VBE進行比較，并將比較結(jié)果輸出給逐次逼近寄存器112；逐次逼近寄存器112的輸出端與電壓調(diào)制單元120的輸入端相連，用于根據(jù)所述比較結(jié)果調(diào)整溫度數(shù)字碼，并將所述溫度數(shù)字碼輸出給電壓調(diào)制單元120，以使電壓調(diào)制單元120根據(jù)所述溫度數(shù)字碼進行電壓調(diào)制。進一步地，電壓調(diào)制單元120包括：電壓調(diào)制器121和電阻串選擇電路122；其中，電壓調(diào)制器121與電阻串選擇電路122相連，用于為電阻串選擇電路122產(chǎn)生一個不會溢出的正向端調(diào)制電壓；所述不會溢出的正向端調(diào)制電壓具體指電阻串選擇電路122能夠選擇的最大電阻電壓。電阻串選擇電路122用于根據(jù)所述控制指令選擇對應(yīng)的電阻電壓，以使電壓調(diào)制單元120的輸出電壓與基準(zhǔn)電壓VBE逐次逼近；參見圖2所示，電阻串選擇電路122包括粗調(diào)制電阻串R11、R12、R13……R1(n-3)、R1(n-2)、R1(n-1)、R1n和細調(diào)制電阻串R21、R22、R23……R2(n-3)、R2(n-2)、R2(n-1)、R2n。電阻串選擇電路122根據(jù)所述溫度數(shù)字碼選擇對應(yīng)的電阻電壓，以使電壓調(diào)制單元120的輸出電壓與基準(zhǔn)電壓VBE逐本文檔來自技高網(wǎng)...

【技術(shù)保護點】
一種溫度檢測電路，其特征在于，包括：電壓調(diào)制單元和比較單元；其中，所述比較單元的第一輸入端與基準(zhǔn)電壓相連，第二輸入端與所述電壓調(diào)制單元的輸出端相連，用于將所述電壓調(diào)制單元輸出的電壓與所述基準(zhǔn)電壓進行比較，并根據(jù)比較結(jié)果產(chǎn)生控制指令，以控制所述電壓調(diào)制單元進行電壓調(diào)制；所述電壓調(diào)制單元的輸入端與所述比較單元的輸出端相連，用于接收所述比較單元輸出的控制指令，并在所述控制指令的控制下改變輸出電壓，以使所述輸出電壓與所述基準(zhǔn)電壓逐次逼近。

【技術(shù)特征摘要】
1.一種溫度檢測電路，其特征在于，包括：電壓調(diào)制單元和比較單元；其中，所述比較單元的第一輸入端與基準(zhǔn)電壓相連，第二輸入端與所述電壓調(diào)制單元的輸出端相連，用于將所述電壓調(diào)制單元輸出的電壓與所述基準(zhǔn)電壓進行比較，并根據(jù)比較結(jié)果產(chǎn)生控制指令，以控制所述電壓調(diào)制單元進行電壓調(diào)制；所述電壓調(diào)制單元的輸入端與所述比較單元的輸出端相連，用于接收所述比較單元輸出的控制指令，并在所述控制指令的控制下改變輸出電壓，以使所述輸出電壓與所述基準(zhǔn)電壓逐次逼近。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電路，其特征在于，所述比較單元包括：比較器和逐次逼近寄存器；其中，所述比較器的第一輸入端與所述基準(zhǔn)電壓相連，第二輸入端與所述電壓調(diào)制單元的輸出端相連，輸出端與所述逐次逼近寄存器的輸入端相連，用于將所述電壓調(diào)制單元輸出的電壓與所述基準(zhǔn)電壓進行比較，并將比較結(jié)果輸出給所述逐次逼近寄存器；所述逐次逼近寄存器的輸出端與所述電壓調(diào)制單元的輸入端相連，用于根據(jù)所述比較結(jié)果...

【專利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員：鄧龍利，劉銘，
申請(專利權(quán))人：北京兆易創(chuàng)新科技股份有限公司，
類型：新型
國別省市：北京,11