【技術實現(xiàn)步驟摘要】
一種功率半導體模塊測試治具
本技術涉及一種功率半導體模塊測試治具。
技術介紹
功率半導體模塊(IGBT模塊,SiCMOSFET模塊等)在生產(chǎn)線封裝完成后,都要進行電參數(shù)的測試,以確定模塊的相關電參數(shù)是否合格。測試模塊的電性能除了需要專門的測試儀器設備之外,還需要設備與模塊之間的測試治具部分。測試部分設計的好與壞,直接關系到功率半導體模塊的參數(shù)測試精度以及測試安全性問題。現(xiàn)有技術中,有些廠家采用直接手工接線方式進行測試,造成測試效率低,測試準確度不夠。采用測試工裝的廠家,功率測試線和采樣線未分開;這樣會使得功率信號影響到測試信號,進而影響測試的準確度。
技術實現(xiàn)思路
針對現(xiàn)有技術中存在的問題,本技術的目的在于提供一種功率半導體模塊測試治具,其具有測試效率高,測試準確度高,測試安全性高的特點。為實現(xiàn)上述目的,本技術采用以下技術方案:一種功率半導體模塊測試治具,所述測試治具包括上壓板、過孔板、支撐板及保護板;其中,所述上壓板的中部設置有上壓柱一,被測樣品放置在所述過孔板的中部,所述上壓柱一的下表面抵靠在被測樣品的上表面上;所述上壓板和過孔板的四周通過上壓柱二連接;所述支撐板的四周設置有導向柱,所述導向柱穿過所述過孔板,過孔板可沿所述導向柱上下移動,所述過孔板和支撐板之間設置有若干根彈簧;所述支撐板上設置有若干根測試探針,所述過孔板上與所述測試探針的對應位置設置有通孔;所述保護板通過連接立柱與所述支撐板連接。進一步,所述過孔板上設置有定位柱,被測樣品通過所述定位柱固定在所述過孔板上。進一步,所述過孔板和支撐板之間設置有四根彈簧,四根彈簧沿二者的四角分布設置或設置在二者之間 ...
【技術保護點】
一種功率半導體模塊測試治具,其特征在于,所述測試治具包括上壓板、過孔板、支撐板及保護板;其中,所述上壓板的中部設置有上壓柱一,被測樣品放置在所述過孔板的中部,所述上壓柱一的下表面抵靠在被測樣品的上表面上;所述上壓板和過孔板的四周通過上壓柱二連接;所述支撐板的四周設置有導向柱,所述導向柱穿過所述過孔板,過孔板可沿所述導向柱上下移動,所述過孔板和支撐板之間設置有若干根彈簧;所述支撐板上設置有若干根測試探針,所述過孔板上與所述測試探針的對應位置設置有通孔;所述保護板通過連接立柱與所述支撐板連接。
【技術特征摘要】
1.一種功率半導體模塊測試治具,其特征在于,所述測試治具包括上壓板、過孔板、支撐板及保護板;其中,所述上壓板的中部設置有上壓柱一,被測樣品放置在所述過孔板的中部,所述上壓柱一的下表面抵靠在被測樣品的上表面上;所述上壓板和過孔板的四周通過上壓柱二連接;所述支撐板的四周設置有導向柱,所述導向柱穿過所述過孔板,過孔板可沿所述導向柱上下移動,所述過孔板和支撐板之間設置有若干根彈簧;所述支撐板上設置...
【專利技術屬性】
技術研發(fā)人員:王志超,盧小東,徐妙玲,季莎,崔志勇,胡羽中,
申請(專利權)人:北京世紀金光半導體有限公司,
類型:新型
國別省市:北京,11
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