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    一種功率半導體模塊測試治具制造技術

    技術編號:15681086 閱讀:72 留言:0更新日期:2017-06-23 11:02
    本實用新型專利技術公開了一種功率半導體模塊測試治具,其包括上壓板、過孔板、支撐板及保護板;上壓板的中部設置有上壓柱一,被測樣品放置在過孔板的中部,上壓柱一的下表面抵靠在被測樣品的上表面上;上壓板和過孔板的四周通過上壓柱二連接;支撐板的四周設置有導向柱,導向柱穿過過孔板,過孔板可沿導向柱上下移動,過孔板和支撐板之間設置有若干根彈簧;支撐板上設置有若干根測試探針,過孔板上與測試探針的對應位置設置有通孔;保護板通過連接立柱與支撐板連接。本申請的測試治具具有測試效率高,測試準確度高,測試安全性高的特點。

    【技術實現(xiàn)步驟摘要】
    一種功率半導體模塊測試治具
    本技術涉及一種功率半導體模塊測試治具。
    技術介紹
    功率半導體模塊(IGBT模塊,SiCMOSFET模塊等)在生產(chǎn)線封裝完成后,都要進行電參數(shù)的測試,以確定模塊的相關電參數(shù)是否合格。測試模塊的電性能除了需要專門的測試儀器設備之外,還需要設備與模塊之間的測試治具部分。測試部分設計的好與壞,直接關系到功率半導體模塊的參數(shù)測試精度以及測試安全性問題。現(xiàn)有技術中,有些廠家采用直接手工接線方式進行測試,造成測試效率低,測試準確度不夠。采用測試工裝的廠家,功率測試線和采樣線未分開;這樣會使得功率信號影響到測試信號,進而影響測試的準確度。
    技術實現(xiàn)思路
    針對現(xiàn)有技術中存在的問題,本技術的目的在于提供一種功率半導體模塊測試治具,其具有測試效率高,測試準確度高,測試安全性高的特點。為實現(xiàn)上述目的,本技術采用以下技術方案:一種功率半導體模塊測試治具,所述測試治具包括上壓板、過孔板、支撐板及保護板;其中,所述上壓板的中部設置有上壓柱一,被測樣品放置在所述過孔板的中部,所述上壓柱一的下表面抵靠在被測樣品的上表面上;所述上壓板和過孔板的四周通過上壓柱二連接;所述支撐板的四周設置有導向柱,所述導向柱穿過所述過孔板,過孔板可沿所述導向柱上下移動,所述過孔板和支撐板之間設置有若干根彈簧;所述支撐板上設置有若干根測試探針,所述過孔板上與所述測試探針的對應位置設置有通孔;所述保護板通過連接立柱與所述支撐板連接。進一步,所述過孔板上設置有定位柱,被測樣品通過所述定位柱固定在所述過孔板上。進一步,所述過孔板和支撐板之間設置有四根彈簧,四根彈簧沿二者的四角分布設置或設置在二者之間的所述導向柱上。本技術具有以下有益技術效果:本申請的測試治具具有測試效率高,測試準確度高,測試安全性高的特點。附圖說明圖1為本申請的測試治具的結(jié)構(gòu)示意圖。具體實施方式下面,參考附圖,對本技術進行更全面的說明,附圖中示出了本技術的示例性實施例。然而,本技術可以體現(xiàn)為多種不同形式,并不應理解為局限于這里敘述的示例性實施例。而是,提供這些實施例,從而使本技術全面和完整,并將本技術的范圍完全地傳達給本領域的普通技術人員。如圖1所示,本技術提供了一種功率半導體模塊測試治具,該測試治具包括上壓板1、過孔板2、支撐板3及保護板4;其中,上壓板1的中部設置有上壓柱一5,被測樣品6放置在過孔板2的中部,上壓柱一5的下表面抵靠在被測樣品6的上表面上;上壓板1和過孔板2的四周通過上壓柱二7連接;支撐板3的四周設置有導向柱8,導向柱8穿過過孔板2,過孔板2可沿導向柱8上下移動,過孔板2和支撐板3之間設置有若干根彈簧9;支撐板3上設置有若干根測試探針10,過孔板2上與測試探針10的對應位置設置有通孔(圖中未示出);保護板4通過連接立柱11與支撐板3連接。過孔板2上設置有定位柱12,被測樣品6通過定位柱12固定在過孔板2上。過孔板2和支撐板3之間設置有四根彈簧9,四根彈簧9沿二者的四角分布設置或設置在二者之間的導向柱8上。在該實施例中,四根彈簧9設置在導向柱8上。本申請的測試治具的使用過程為:當“上壓板1”受到外來向下的壓力時,“上壓柱一5”會將被測樣品6向下壓,“上壓柱二”會將過孔板2向下壓,同時跟隨“導向柱8”一起往下走,使得被測樣品6的金屬電極端子壓在“測試探針10”上,由于“測試探針10”是有運動行程的,受力后會收縮,這樣電極端子和“測試探針”之間就進行了很好的電氣接觸。“測試探針”的另一端是焊接有測試線,并同專用的測試儀器相連,然后進行測試信號發(fā)送測試。上面所述只是為了說明本技術,應該理解為本技術并不局限于以上實施例,符合本技術思想的各種變通形式均在本技術的保護范圍之內(nèi)。本文檔來自技高網(wǎng)...
    一種功率半導體模塊測試治具

    【技術保護點】
    一種功率半導體模塊測試治具,其特征在于,所述測試治具包括上壓板、過孔板、支撐板及保護板;其中,所述上壓板的中部設置有上壓柱一,被測樣品放置在所述過孔板的中部,所述上壓柱一的下表面抵靠在被測樣品的上表面上;所述上壓板和過孔板的四周通過上壓柱二連接;所述支撐板的四周設置有導向柱,所述導向柱穿過所述過孔板,過孔板可沿所述導向柱上下移動,所述過孔板和支撐板之間設置有若干根彈簧;所述支撐板上設置有若干根測試探針,所述過孔板上與所述測試探針的對應位置設置有通孔;所述保護板通過連接立柱與所述支撐板連接。

    【技術特征摘要】
    1.一種功率半導體模塊測試治具,其特征在于,所述測試治具包括上壓板、過孔板、支撐板及保護板;其中,所述上壓板的中部設置有上壓柱一,被測樣品放置在所述過孔板的中部,所述上壓柱一的下表面抵靠在被測樣品的上表面上;所述上壓板和過孔板的四周通過上壓柱二連接;所述支撐板的四周設置有導向柱,所述導向柱穿過所述過孔板,過孔板可沿所述導向柱上下移動,所述過孔板和支撐板之間設置有若干根彈簧;所述支撐板上設置...

    【專利技術屬性】
    技術研發(fā)人員:王志超盧小東徐妙玲季莎崔志勇胡羽中
    申請(專利權)人:北京世紀金光半導體有限公司
    類型:新型
    國別省市:北京,11

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