凹面載板制造技術

本實用新型專利技術提供了一種凹面載板，是對板式PECVD工藝中的硅片載板的結(jié)構(gòu)改進，在載板上開設有用于裝載硅片的槽，在槽的邊沿具有用于托住硅片的承載面，承載面采用曲面形式，曲面布置在被承載硅片的至少兩個側(cè)邊上，曲面與硅片的邊緣之間為線接觸。本實用新型專利技術把載板的硅片承載接觸面從現(xiàn)有的平臺階面改進為凹面，進而將硅片邊緣與載板接觸由面接觸變?yōu)榫€接觸，能夠極大地降低邊緣效應的影響，同時避免繞鍍的發(fā)生。

【技術實現(xiàn)步驟摘要】
凹面載板
本技術屬于光伏產(chǎn)品的工藝設備
，涉及對板式PECVD鍍膜、PERC電池背鈍化和鍍膜等太陽能電池片鍍膜工藝中的載板的結(jié)構(gòu)改進，具體涉及一種凹面載板。
技術介紹
在太陽能電池的硅片制造工藝中，硅片通過碳纖維載板裝載，再進入板式PECVD生產(chǎn)線進行鍍膜，可見載板裝載是硅片成為電池片的生產(chǎn)工序中的一道必要工序。現(xiàn)有載板的結(jié)構(gòu)如圖1所示，其工作時載板托住硅片的部分是臺階面，臺階面上立面與平面的夾角為90°，而在生產(chǎn)過程中，硅片和載板上的承載面一直是接觸的，經(jīng)過高溫以及相應的生產(chǎn)工藝后，在接觸面位置，載板會對硅片所鍍的膜層會產(chǎn)生一定的影響，比如邊緣效應。經(jīng)檢索，中國專利文獻CN205792426U公開了一種適用于PERC電池片的雙面鍍膜石墨框，如圖1所示，包括內(nèi)部中空的石墨邊框1，石墨邊框1的每個邊框的頂面均設置有臺階3和斜面4，臺階3和斜面4由內(nèi)至外設置，臺階3的豎直面的頂端連接斜面4的底端，多個斜面4形成上大下小的倒錐形開口結(jié)構(gòu)，臺階3的豎直面的高度略大于硅片2的厚度，臺階3的寬度略大于硅片2的預留邊緣寬度。其將石墨邊框的寬度加寬，在此基礎上，設置斜面4，斜面4的高度為平緩下降，從而可以形成長緩坡狀的結(jié)構(gòu)，再配合臺階3，使得臺階3的臺階面與斜面的底端的高度，也就是臺階3的豎直面的高度略大于硅片的厚度0.2mm，這樣可以有效降低硅片的頂面與石墨邊框的頂端的落差，進而在正面鍍膜時，可以有效防止因突然抖動造成的硅片掉落，確保上下面鍍膜正常，且上下鍍膜均無繞射情況，也可以較好地緩解石墨邊框本身的高度對硅片的正面邊緣的影響。但在生產(chǎn)過程中，硅片和載板上的承載面一直是接觸的，經(jīng)過高溫以及相應的生產(chǎn)工藝后，在接觸面位置，對硅片所鍍的膜層會產(chǎn)生邊緣效應，影響產(chǎn)品質(zhì)量對現(xiàn)有硅片載板結(jié)構(gòu)的承載接觸方式做進一步的改進，將其對硅片鍍膜邊緣部分的影響降到最低，就成為本領域亟待解決的技術問題。
技術實現(xiàn)思路
專利技術目的：為了克服現(xiàn)有技術中存在的不足，本技術提供一種凹面載板。技術方案：為解決上述技術問題，本技術提供的凹面載板，在載板上開設有用于裝載硅片的槽，在槽的邊沿具有用于托住硅片的承載面，所述承載面是曲面，所述曲面布置在被承載硅片的至少兩個側(cè)邊上，所述曲面與硅片的邊緣之間為線接觸。具體地，所述曲面布置在硅片的四周。從而對硅片的四周更加穩(wěn)定地托舉。具體地，在所述曲面與的接觸線的正交面上作法線，所述法線與硅片表面的夾角是46°~86°。具體地，所述夾角是75°。具體地，所述曲面的高度是硅片厚度的10~20倍。具體地，所述曲面的頂端與載板上表面具之間具有過渡面。具體地，所述過渡面是豎直面，豎直面與曲面銜接處形成的沉槽可以避免硅片位移。具體地，所述曲面相互對稱，以被托舉硅片的中線對稱，將斜面對硅片施加的托舉力分解為豎直分力與水平分力，豎直分力與硅片重力平衡，兩對稱斜面的水平分力大小相等，方向相反，從而相互抵消，保證硅片的受力處于平衡狀態(tài)。有益效果：本技術克服了原有平臺階面承載的情況下，承載面的接觸面較大，而采用線接觸的方式，可以最大限度的減少相互間的接觸，避免邊緣效應的產(chǎn)生，提高了電池片的鍍膜效率。除了上面所述的本技術解決的技術問題、構(gòu)成技術方案的技術特征以及由這些技術方案的技術特征所帶來的優(yōu)點外，本技術的凹面載板所能解決的其他技術問題、技術方案中包含的其他技術特征以及這些技術特征帶來的優(yōu)點，將結(jié)合附圖做出進一步詳細的說明。附圖說明圖1是現(xiàn)有硅片載板的結(jié)構(gòu)示意圖；圖2是本技術實施例1的結(jié)構(gòu)示意圖；圖3是圖2的整體結(jié)構(gòu)示意圖；圖4是圖3的A-A視圖；圖5是圖4的局部放大圖；圖6是圖2的局部放大圖圖中：石墨邊框1，硅片2，臺階3，斜面4，凹面5，豎直面6。具體實施方式實施例1：本實施例的凹面載板如圖2所示，具有與硅片2邊緣相接觸的凹面5，豎直面6，硅片1的邊緣與凹面5形成線接觸，極大減少硅片與載板的接觸面積，最大限度地降低載板對鍍膜生產(chǎn)過程產(chǎn)生的影響。斜托面的頂端與載板上表面具之間設置豎直面6作為過渡面，兩者之間形成的沉槽可以避免硅片位移。如圖3、圖4和圖5所示，在石墨邊框1上具有矩陣排列的槽，每個槽的邊緣均具有凹面5與豎直面6，用于同時承載多片硅片進行鍍膜。如圖6所示，硅片2與凹面5接觸點的法線，與硅片2形成一個夾角C，經(jīng)過實驗工藝，夾角C在46°到86°范圍內(nèi)，能夠取得較優(yōu)效果；當C取75°時取得最優(yōu)效果，能夠極大減少邊緣效應影響，且繞鍍等其他可能出現(xiàn)的問題也不明顯。經(jīng)過幾次不同工藝的調(diào)整驗證，本技術的凹面形式在保證最小的接觸面積的同時，對硅片邊緣的托舉穩(wěn)定性也非常好。以上結(jié)合附圖對本技術的實施方式做出詳細說明，但本技術不局限于所描述的實施方式。對本領域的普通技術人員而言，在本技術的原理和技術思想的范圍內(nèi)，對這些實施方式進行多種變化、修改、替換和變形仍落入本技術的保護范圍內(nèi)。本文檔來自技高網(wǎng)...

【技術保護點】
一種凹面載板，所述載板上開設有用于裝載硅片的槽，在槽的邊沿具有用于托住硅片的承載面，其特征在于：所述承載面是曲面，所述曲面布置在被承載硅片的至少兩個側(cè)邊上，所述曲面與硅片的邊緣之間為線接觸。

【技術特征摘要】
1.一種凹面載板，所述載板上開設有用于裝載硅片的槽，在槽的邊沿具有用于托住硅片的承載面，其特征在于：所述承載面是曲面，所述曲面布置在被承載硅片的至少兩個側(cè)邊上，所述曲面與硅片的邊緣之間為線接觸。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的凹面載板，其特征在于：所述曲面布置在硅片的四周。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的凹面載板，其特征在于：在所述曲面與的接觸線的正交面上作法線，所述法線與硅片表面的夾角是46...

【專利技術屬性】
技術研發(fā)人員：周桂宏，
申請(專利權(quán))人：南京仁厚科技有限公司，
類型：新型
國別省市：江蘇,32