一種SMD石英晶體諧振器基座制造技術

本實用新型專利技術涉及一種SMD石英晶體諧振器基座。該基座采用上層基板、下層基板構成的雙層陶瓷基板，其中用于安放晶片的金屬支撐平臺以及將金屬支撐平臺連接至導電材料灌注通孔的金屬帶位于下層基板的上板面，用于與上蓋焊接的金屬環平臺位于上層基板的上板面，所述上層基板上設有晶片安放口，所述晶片安放口位于金屬環平臺內，所述上層基板將所述金屬帶遮蓋并使所述金屬支撐平臺裸露在所述晶片安放口區域內。本實用新型專利技術采用雙層陶瓷基板的優點在于：所述上層基板可以將下層基板上的金屬帶進行覆蓋，在進行基座定位時，避免所述金屬帶對CCD圖像傳感器在識別金屬環平臺的過程造成干擾，保證了基座定位的準確性，提高了晶片的安裝精度。

【技術實現步驟摘要】
一種SMD石英晶體諧振器基座
本技術屬于諧振器領域，具體是涉及一種SMD石英晶體諧振器基座。
技術介紹
專利CN103066941A公開了一種SMD石英晶體諧振器基座，該基座采用單層陶瓷基板，該陶瓷基板上分別設有灌注導電材料的第一通孔、第二通孔、第三通孔、第四通孔，其中第一通孔對角位置為第二通孔，第三通孔對角位置為第四通孔；所述陶瓷基板上板面沿外周設有與上蓋焊接的金屬環平臺，所述金屬環平臺內設有用于安放晶片且以三點支撐形式布置的第一金屬支撐平臺、第二金屬支撐平臺、第三金屬支撐平臺，其中第一金屬支撐平臺通過金屬涂層構成的金屬帶連接至所述第一通孔，所述第二金屬支撐平臺所在基板位置設置有所述第二通孔。該基座的缺陷在于：在進行晶片安裝時，相應的CCD圖像傳感器通過識別所述金屬環平臺的位置來對該基座進行定位，由于基座整體尺寸微小，所述金屬帶與所述金屬環平臺距離又非常接近，所述金屬帶極易對CCD圖像傳感器在識別金屬環平臺的過程造成干擾，導致CCD圖像傳感器錯誤地將所述金屬帶識別為所述金屬環平臺，進一步導致基座定位以及晶片安裝位置的偏移。
技術實現思路
為了解決上述技術問題，本技術提供一種SMD石英晶體諧振器基座，該基座的結構有效避免了對基座定位過程的干擾，保證了晶片的安裝精度。為了實現本技術的目的，本技術采用了以下技術方案：一種SMD石英晶體諧振器基座，該基座采用上層基板、下層基板構成的雙層陶瓷基板，其中用于安放晶片的金屬支撐平臺以及將金屬支撐平臺連接至導電材料灌注通孔的金屬帶位于下層基板的上板面，用于與上蓋焊接的金屬環平臺位于上層基板的上板面，所述上層基板上設有晶片安放口，所述晶片安放口位于金屬環平臺內，所述上層基板將所述金屬帶遮蓋并使所述金屬支撐平臺裸露在所述晶片安放口區域內。進一步的，所述導電材料灌注通孔包括與所述金屬支撐平臺連接的第一通孔、第三通孔以及與所述金屬環平臺連接的第二通孔、第四通孔，所述第一通孔的對角位置為所述第三通孔，所述第一通孔、第三通孔僅貫通下層基板，所述第二通孔的對角位置為第四通孔，所述第二通孔、第四通孔貫通上層基板、下層基板，所述下層基板的下板面設有與所述第一通孔相對應的第一電極金屬涂層、與第二通孔相對應的第二電極金屬涂層、與第三通孔相對應的第三電極金屬涂層、與第四通孔相對應的第四電極金屬涂層。進一步的，所述金屬支撐平臺包括第一金屬支撐平臺、第二金屬支撐平臺以及第三金屬支撐平臺，所述第一金屬支撐平臺臨近第四通孔布置且通過金屬帶連接至所述第三通孔，所述第二金屬支撐平臺位于所述第一通孔處，所述第三金屬支撐平臺與所述第一金屬支撐平臺、第二金屬支撐平臺構成穩定的三角支撐結構。進一步的，所述金屬環平臺包括金屬基層以及在金屬基層上形成的鍍鎳層；所述金屬支撐平臺、金屬帶、電極金屬涂層均包括金屬基層、在金屬基層上形成的鍍鎳層以及在鍍鎳層上形成的鍍金層。進一步的，在由所述雙層陶瓷基板排列布置構成的大板中，位于分割線交點處的四塊雙層陶瓷基板的電極金屬涂層的連接關系是：第一雙層陶瓷基板上的第一電極金屬涂層與相鄰的第二雙層陶瓷基板上的第二電極金屬涂層鄰接，所述第二雙層陶瓷基板上的第二電極金屬涂層又與相鄰的第三雙層陶瓷基板上的第三電極金屬涂層鄰接，所述第三雙層陶瓷基板上的第三電極金屬涂層又與相鄰的第四雙層陶瓷基板上的第四電極金屬涂層鄰接。進一步的，所述第二電極金屬涂層沿第二通孔的外周布置但與第二通孔之間留有第一環狀間隙；所述第四電極金屬涂層沿第四通孔的外周布置但與第四通孔之間留有第二環狀間隙。本技術的有益效果在于：(1)本技術采用雙層陶瓷基板的優點在于：所述上層基板可以將下層基板上的金屬帶進行覆蓋，在進行基座定位時，避免所述金屬帶對CCD圖像傳感器在識別金屬環平臺的過程造成干擾，保證了基座定位的準確性，提高了晶片的安裝精度。另外本技術并不改變在陶瓷基板上進行的原有加工工藝，包括在陶瓷基板上打孔、印刷金屬基層等。(2)本技術基座產品中所述第二電極金屬涂層與第二通孔之間留有第一環狀間隙，即第二電極金屬涂層與第二通孔灌注的導電材料是不連通的；所述第四電極金屬涂層與第四通孔之間留有第二環狀間隙，即第四電極金屬涂層與第四通孔灌注的導電材料是不連通的。該結構是由特殊的加工方式所決定的，正是這種特殊的加工方式，才得到僅有金屬基層與鍍鎳層而不包含鍍金層的所述金屬環平臺，本技術相比于現有技術中的基座產品鍍金部分大大減少，降低了基座加工的成本。該基座產品的加工包括先后進行的金屬基層的燒結過程、在所述金屬基層上鍍鎳的過程以及在所述鍍鎳層上進行鍍金的過程：金屬基層的燒結過程：在上層基板形成所述金屬環平臺的位置以及在下層基板形成所述金屬支撐平臺、金屬帶以及電極金屬涂層的位置上印刷基層金屬；其中所述第一環狀間隙處印刷有基層金屬構成的第一金屬橋，構成所述第二電極金屬涂層的基層金屬通過第一金屬橋與第二通孔中灌注的導電金屬材料連接；所述第二環狀間隙中印刷有基層金屬構成的第二金屬橋，構成所述第四電極金屬涂層的基層金屬通過第二金屬橋與第四通孔中灌注的導電金屬材料連接；之后進行燒結形成帶有金屬基層且電極連通的雙層陶瓷基板；在所述金屬基層上鍍鎳的過程：電解鍍鎳，使得所述雙層陶瓷基板上所有金屬基層上形成鍍鎳層；接下來進行鍍金，在進行鍍金之前，需要說明的是，所述金屬環平臺是與基座上蓋進行激光焊接并起密封作用的部件，在金屬環平臺上鍍金不僅成本高，而且也造成了不必要的浪費，為了避免金屬環平臺被鍍金，本技術通過激光將鍍有鎳的所述第一金屬橋、第二金屬橋切割除去，這樣金屬環平臺與相應電極金屬涂層的電極連接關系被斷開，那么在進行鍍金的時候，金屬環平臺自然就不會再被鍍金，而構成金屬支撐平臺、金屬帶、電極金屬涂層的鍍鎳層上形成了鍍金層。本技術通過對加工方式進行改變，得到了加工成本更低的基座產品，大大提高了基座產品的市場競爭力。(3)所述雙層陶瓷基板排列布置構成大板，相鄰的雙層陶瓷基板之間電極金屬涂層鄰接，印刷基層金屬后燒結實現電極連接，方便進行鍍鎳、鍍金操作。附圖說明圖1為下層基板的上板面結構示意圖；圖2為上層基板的上板面結構示意圖；圖3為上層基板合在下層基板上的結構示意圖；圖4為下層基板的下板面示意圖；圖5為下層基板的下板面在鍍金之前的結構示意圖；圖6為雙層陶瓷基板排列布置構成的大板結構示意圖。圖中標記的含義如下：A-晶片安放口；1-第一通孔；2-第二通孔；3-第三通孔；4-第四通孔；10-上層基板；20-下層基板；21-金屬帶；221-第一電極金屬涂層；222-第二電極金屬涂層；223-第三電極金屬涂層；224-第四電極金屬涂層；231-第一金屬支撐平臺；232-第二金屬支撐平臺；233-第三金屬支撐平臺；a-第一環狀間隙；b-第二環狀間隙；a1-第一金屬橋；b1-第二金屬橋。具體實施方式下面結合實施例對本技術技術方案做出更為具體的說明：實施例1：基座如圖1、2、3、4所示，本技術SMD石英晶體諧振器基座采用上層基板10、下層基板20構成的雙層陶瓷基板，其中用于安放晶片的金屬支撐平臺以及將金屬支撐平臺連接至導電材料灌注通孔的金屬帶21位于下層基板20的上板面，用于與上蓋焊接的金屬環平臺11位于上層基板1本文檔來自技高網...

【技術保護點】
一種SMD石英晶體諧振器基座，其特征在于：該基座采用上層基板(10)、下層基板(20)構成的雙層陶瓷基板，其中用于安放晶片的金屬支撐平臺以及將金屬支撐平臺連接至導電材料灌注通孔的金屬帶(21)位于下層基板(20)的上板面，用于與上蓋焊接的金屬環平臺(11)位于上層基板(10)的上板面，所述上層基板(10)上設有晶片安放口(A)，所述晶片安放口(A)位于金屬環平臺(11)內，所述上層基板(10)將所述金屬帶(21)遮蓋并使所述金屬支撐平臺裸露在所述晶片安放口(A)區域內。

【技術特征摘要】
1.一種SMD石英晶體諧振器基座，其特征在于：該基座采用上層基板(10)、下層基板(20)構成的雙層陶瓷基板，其中用于安放晶片的金屬支撐平臺以及將金屬支撐平臺連接至導電材料灌注通孔的金屬帶(21)位于下層基板(20)的上板面，用于與上蓋焊接的金屬環平臺(11)位于上層基板(10)的上板面，所述上層基板(10)上設有晶片安放口(A)，所述晶片安放口(A)位于金屬環平臺(11)內，所述上層基板(10)將所述金屬帶(21)遮蓋并使所述金屬支撐平臺裸露在所述晶片安放口(A)區域內。2.如權利要求1所述的SMD石英晶體諧振器基座，其特征在于：所述導電材料灌注通孔包括與所述金屬支撐平臺連接的第一通孔(1)、第三通孔(3)以及與所述金屬環平臺(11)連接的第二通孔(2)、第四通孔(4)，所述第一通孔(1)的對角位置為所述第三通孔(3)，所述第一通孔(1)、第三通孔(3)僅貫通下層基板(20)，所述第二通孔(2)的對角位置為第四通孔(4)，所述第二通孔(2)、第四通孔(4)貫通上層基板(10)、下層基板(20)，所述下層基板(20)的下板面設有與所述第一通孔(1)相對應的第一電極金屬涂層(221)、與第二通孔(2)相對應的第二電極金屬涂層(222)、與第三通孔(3)相對應的第三電極金屬涂層(223)、與第四通孔(4)相對應的第四電極金屬涂層(224)。3.如...

【專利技術屬性】
技術研發人員：查曉兵，陳維彥，胡孔亮，劉王斌，董書霞，曾麗軍，
申請(專利權)人：合肥晶威特電子有限責任公司，
類型：新型
國別省市：安徽,34