顯示裝置用基板的制造方法以及顯示裝置的制造方法制造方法及圖紙

本發明專利技術的目的在于提供一種能夠使在進行配線的斷線的連接修復時發生的導通不良減少的顯示裝置用基板的制造方法以及顯示裝置的制造方法。本發明專利技術所涉及的顯示裝置用基板及顯示裝置具有：絕緣性的基板；絕緣膜，其形成在基板之上，以氧化硅或者氧化金屬為主要成分；無機膜，其與絕緣膜直接接觸地形成，具有將氧化物半導體進行絕緣體化而得到的絕緣體部；以及配線膜，其與絕緣體部直接接觸地形成。

Method for manufacturing substrate for display device and manufacturing method of display device

It is an object of the present invention to provide a method for manufacturing a substrate for a display device that can lead to poor connection during a disconnection of a line for wiring, and a method of manufacturing a display device. The invention relates to a display device substrate and display device comprises an insulative substrate; an insulating film formed on the substrate, and silicon oxide or metal oxide as the main component; inorganic membrane, its direct contact with the insulating film is formed with the oxide semiconductor in the insulator and the insulator; and the wiring film with the insulator in direct contact form.

【技術實現步驟摘要】
顯示裝置用基板的制造方法以及顯示裝置的制造方法
本專利技術涉及具有使用氧化物半導體而形成的膜的、顯示裝置用基板及其制造方法以及顯示裝置及其制造方法。
技術介紹
近年，作為顯示裝置的一個例子而大多使用液晶顯示裝置。液晶顯示裝置構成為，將液晶層夾持在一對透明絕緣性基板之間，具有薄膜晶體管(thinfilmtransistor，下面稱為“TFT”)陣列基板，該TFT陣列基板在一個透明絕緣性基板的液晶層側具有：多個掃描線及多個信號線，在掃描線和信號線之間隔著絕緣膜，掃描線和信號線配置為矩陣狀；TFT，其設置于掃描線和信號線的交點附近；以及像素電極，其經由信號線而被提供影像信號。通過利用來自掃描線的掃描信號對TFT的接通、斷開進行控制，從而對影像信號向像素電極的供給進行控制。而且，在TFT陣列基板的顯示區域的外側的端部，具有用于將信號輸入至掃描線及信號線的端子。并且，具有將端子與掃描線或者信號線連結的端子配線。并且，在液晶顯示裝置中，作為另一個透明絕緣性基板，具有濾色片(colorfilter，下面稱為“CF”)基板。在顯示裝置中，小型化、高精密度化得到發展，另一方面，減少制造工序中故障的發生的要求也不斷提高。作為顯示裝置的故障，存在基于各種原因而引起的故障，作為其中一個故障，舉出斷線故障，即，由于制造工序中的異物混入等，信號線、掃描線或者端子配線等配線局部地斷線。如果發生斷線故障，則經過配線的電信號被斷開，在顯示畫面上發生線狀等的顯示故障。例如，在專利文獻1中公開了一種所謂的“連接修復”的技術，即，針對如上所述的斷線故障，向夾著配線斷線部的2個部位照射激光，將覆蓋配線的絕緣膜局部地去除，形成將該絕緣膜貫通的2個接觸孔，以將夾著該斷線部的2個接觸孔橋接的方式形成金屬膜，將斷線部電連接而使斷線部導通。專利文獻1：日本特開平5－232496號公報但是，在如上所述的連接修復中，在絕緣膜處形成接觸孔時，由于接觸孔內表面的形狀不規則，因此在上層形成的金屬膜的覆蓋性低，即使進行連接修復，也得不到充分的電導通，存在發生導通不良的問題。
技術實現思路
本專利技術就是為了解決上述的問題而提出的，其目的在于提供一種能夠使在進行配線的斷線的連接修復時發生的導通不良減少的顯示裝置用基板及其制造方法以及顯示裝置及其制造方法。本專利技術所涉及的顯示裝置用基板及顯示裝置，具有：絕緣性的基板；絕緣膜，其形成在基板之上，以氧化硅或者氧化金屬為主要成分；無機膜，其與絕緣膜直接接觸地形成，具有將氧化物半導體進行絕緣體化而得到的絕緣體部；以及配線膜，其與絕緣體部直接接觸地形成。另外，本專利技術所涉及的顯示裝置用基板的制造方法及顯示裝置的制造方法，具有下述工序：在絕緣性的基板之上形成以氧化硅或者氧化金屬為主要成分的絕緣膜；形成與絕緣膜直接接觸的、具有將氧化物半導體進行絕緣體化而得到的絕緣體部的無機膜；以及形成與無機膜直接接觸的配線膜。專利技術的效果根據本專利技術所涉及的顯示裝置用基板及顯示裝置，即使在配線膜發生了斷線，也能夠減少進行連接修復時的導通不良。另外，根據本專利技術所涉及的顯示裝置用基板的制造方法及顯示裝置的制造方法，即使在配線膜發生了斷線，也能夠減少進行連接修復時的導通不良。附圖說明圖1是表示本專利技術的實施方式1的TFT陣列基板的俯視圖。圖2是表示本專利技術的實施方式1的TFT陣列基板的俯視圖。圖3是表示本專利技術的實施方式1的TFT陣列基板的剖視圖。圖4是表示本專利技術的實施方式1的TFT陣列基板的制造工序的一部分的剖視圖。圖5是表示本專利技術的實施方式1的TFT陣列基板的制造工序的一部分的剖視圖。圖6是表示本專利技術的實施方式1的TFT陣列基板的制造工序的一部分的剖視圖。圖7是表示本專利技術的實施方式1的TFT陣列基板的制造工序的一部分的剖視圖。圖8是表示本專利技術的實施方式1的TFT陣列基板的制造工序的一部分的剖視圖。圖9是表示本專利技術的實施方式1的TFT陣列基板的俯視圖。圖10是表示本專利技術的實施方式1的TFT陣列基板的俯視圖。圖11是表示本專利技術的實施方式1的TFT陣列基板的俯視圖。圖12是表示本專利技術的實施方式1的TFT陣列基板的俯視圖。圖13是表示本專利技術的實施方式1的TFT陣列基板的剖視圖。圖14是表示本專利技術的實施方式1的TFT陣列基板的制造工序的一部分的剖視圖。圖15是表示本專利技術的實施方式1的TFT陣列基板的制造工序的一部分的剖視圖。圖16是表示本專利技術的實施方式1的TFT陣列基板的剖視圖。圖17是表示本專利技術的實施方式1的TFT陣列基板的制造工序的一部分的剖視圖。圖18是表示本專利技術的實施方式1的TFT陣列基板的俯視圖。圖19是表示本專利技術的實施方式1的液晶顯示裝置的剖視圖。圖20是表示本專利技術的實施方式2的TFT陣列基板的剖視圖。圖21是表示本專利技術的實施方式2的TFT陣列基板的剖視圖。圖22是表示本專利技術的實施方式2的TFT陣列基板的制造工序的一部分的剖視圖。圖23是表示本專利技術的實施方式2的TFT陣列基板的制造工序的一部分的剖視圖。圖24是表示本專利技術的實施方式2的TFT陣列基板的制造工序的一部分的剖視圖。圖25是表示本專利技術的實施方式2的TFT陣列基板的剖視圖。圖26是表示本專利技術的實施方式2的TFT陣列基板的制造工序的一部分的剖視圖。圖27是表示本專利技術的實施方式3的TFT陣列基板的剖視圖。圖28是表示本專利技術的實施方式3的TFT陣列基板的剖視圖。圖29是表示本專利技術的實施方式3的TFT陣列基板的制造工序的一部分的剖視圖。圖30是表示本專利技術的實施方式3的TFT陣列基板的制造工序的一部分的剖視圖。圖31是表示本專利技術的實施方式3的TFT陣列基板的制造工序的一部分的剖視圖。圖32是表示本專利技術的實施方式3的TFT陣列基板的制造工序的一部分的剖視圖。圖33是表示本專利技術的實施方式3的TFT陣列基板的剖視圖。圖34是表示本專利技術的實施方式3的TFT陣列基板的制造工序的一部分的剖視圖。圖35是表示本專利技術的實施方式4的TFT陣列基板的剖視圖。圖36是表示本專利技術的實施方式4的TFT陣列基板的剖視圖。圖37是表示本專利技術的實施方式4的TFT陣列基板的制造工序的一部分的剖視圖。圖38是表示本專利技術的實施方式4的TFT陣列基板的制造工序的一部分的剖視圖。圖39是表示本專利技術的實施方式4的TFT陣列基板的制造工序的一部分的剖視圖。圖40是表示本專利技術的實施方式4的TFT陣列基板的剖視圖。圖41是表示本專利技術的實施方式4的TFT陣列基板的制造工序的一部分的剖視圖。圖42是表示本專利技術的實施方式5的TFT陣列基板的剖視圖。圖43是表示本專利技術的實施方式5的TFT陣列基板的剖視圖。圖44是表示本專利技術的實施方式5的TFT陣列基板的制造工序的一部分的剖視圖。圖45是表示本專利技術的實施方式5的TFT陣列基板的俯視圖。圖46是表示本專利技術的實施方式5的TFT陣列基板的俯視圖。圖47是表示本專利技術的實施方式6的TFT陣列基板的俯視圖。圖48是表示本專利技術的實施方式6的TFT陣列基板的俯視圖。圖49是表示本專利技術的實施方式6的TFT陣列基板的剖視圖。圖50是表示本專利技術的實施方式6的TFT陣列基板的制造工序的一部分的剖視圖。圖51是表示本專利技術的實施方式6的TFT陣列基板的制造工序的一部分的剖視圖。圖52是表示本專利技術的實施方式6的TFT陣列基板的制造工序的一部分的剖視圖。本文檔來自技高網...

【技術保護點】
一種顯示裝置用基板的制造方法，其具有下述工序：在絕緣性的基板之上形成以氧化硅或者氧化金屬為主要成分的絕緣膜；形成與所述絕緣膜直接接觸的、具有將氧化物半導體進行絕緣體化而得到的絕緣體部的無機膜；以及形成與所述絕緣體部直接接觸的配線膜。

【技術特征摘要】
2015.12.11 JP 2015-2423651.一種顯示裝置用基板的制造方法，其具有下述工序：在絕緣性的基板之上形成以氧化硅或者氧化金屬為主要成分的絕緣膜；形成與所述絕緣膜直接接觸的、具有將氧化物半導體進行絕緣體化而得到的絕緣體部的無機膜；以及形成與所述絕緣體部直接接觸的配線膜。2.根據權利要求1所述的顯示裝置用基板的制造方法，其特征在于，在形成所述絕緣膜的工序之后，實施形成所述無機膜的工序，在形成所述無機膜的工序之后，實施形成所述配線膜的工序。3.根據權利要求1所述的顯示裝置用基板的制造方法，其特征在于，在形成所述配線膜的工序之后，實施形成所述無機膜的工序，在形成所述無機膜的工序之后，實施形成所述絕緣膜的工序。4.一種顯示裝置用基板的制造方法，其具有下述工序：在絕緣性的基板之上形成具有將氧化物半導體進行絕緣體化而得到的絕緣體部的無機膜；形成與所述絕緣體部直接接觸的配線膜；以及形成與所述配線膜直接接觸的、以氧化硅或者氧化金屬為主要成分的絕緣膜。5.根據權利要求4所述的顯示裝置用基板的制造方法，其特征在于，在形成所述無機膜的工序之后，實施形成所述配線膜的工序，在形成所述配線膜的工序之后，實施形成所述絕緣膜的工序。6.根據權利要求4所述的顯示裝置用基板的制造方法，其特征在于，在形成所述絕緣膜的工序之后，實施形成所述配線膜的工序，在形成所述配線膜的工序之后，實施形成所述無機膜的工序。7.根據權利要求1至6中任一項所述的顯示裝置用基板的制造方法，其特征在于，形成所述無機膜的工序具有下述工序：形成所述氧化物半導體的膜；以及在形成所述氧化物半導體的膜的工序之后，將所述氧化物半導體的膜進行絕緣體化而形成所述絕緣體部。8.根據權利要求7所述的顯示裝置用基板的制造方法，其特征在于，在形成所述絕緣體部的工序中，僅將所...

【專利技術屬性】
技術研發人員：巖坂利彥，山縣有輔，井上和式，
申請(專利權)人：三菱電機株式會社，
類型：發明
國別省市：日本,JP