EFEM中的晶圓搬運部及裝載端口部的控制方法技術

本發明專利技術提供一種EFEM中的晶圓搬運部及裝載端口部的控制方法，其具有：將容器固定于所述裝載端口部的載置臺的工序；在關閉了主開口的狀態下，在載置于所述載置臺上的所述容器的底面上所形成的多個底孔連接所述裝載端口部的底部嘴，經由所述底部嘴向所述容器的內部進行清潔化氣體的導入及氣體從所述容器的排出的第一清潔化工序；停止清潔化氣體從所述底部嘴的導入，開放所述主開口，并將所述容器和所述晶圓搬運室氣密地連接的連接工序；從所述容器通過開放的所述主開口及所述晶圓搬運室將所述晶圓搬運至所述處理室，從所述處理室通過所述晶圓搬運室及開放的所述主開口將所述晶圓搬運至所述容器的晶圓搬運工序。

Wafer handling part and loading port part control method in EFEM

The invention provides a wafer handling EFEM and control method, which has a loading port of the vessel will be fixed on the loading port of loading table process; in the closed state of the main opening, a plurality of the bottom of the container on the table in the load placed on the on the bottom surface formed by connecting the bottom portion of the loading port mouth, and import gas to the inner container through the bottom of the mouth of the clean gas discharged from the vessel's first clean chemical order; stop cleaning gas imported from the bottom of the mouth, open the main opening and, the container and the wafer handling chamber is hermetically connected with the connecting procedure; from the container through the opening of the main opening and the wafer handling chamber of the wafer handling to the processing chamber from the processing chamber through the wafer The conveying chamber and the open main opening carry the wafer to the wafer handling process of the container.

【技術實現步驟摘要】
EFEM中的晶圓搬運部及裝載端口部的控制方法
本專利技術涉及EFEM中的晶圓搬運部及裝載端口部的控制方法。
技術介紹
在半導體的制造工序中，使用被稱作前端開口片盒(FOUP)等的容器進行各處理裝置之間的晶圓的搬運。另外，在對晶圓實施處理時，容器內的晶圓經由各處理裝置所具備的EFEM(設備前端模塊、Equipmentfrontendmodule)從前端開口片盒搬運到處理室。在此，為了保護晶圓表面不受氧化或污染影響，優選收納晶圓的容器內的環境保持超過規定狀態的惰性狀態及清潔度。作為提高搬運容器內的氣體的惰性狀態或清潔度的方法，提案有經由形成于搬運容器的底面的底孔向搬運容器導入清潔化氣體的裝載端口裝置及包含該裝置的EFEM(參照專利文獻1)。專利文獻1：(日本)特開2007－5607號公報近年來，半導體電路微細化進展的結果是，為了保護晶圓表面不受氧化或污染影響，對于收納晶圓的容器內的環境也要求更高的清潔度。在進行將晶圓容器的環境保持為清潔的EFEM的開發中，明確了存在從剛剛處理之后的晶圓放出的放氣污染收納于容器的處理前后的晶圓的表面的問題，其成為妨礙品質提高的一因素。
技術實現思路
本專利技術是鑒于這種狀況而完成的，提供一種將容器及晶圓搬運室內的環境保持為清潔，可以保護晶圓表面不受氧化或污染影響的EFEM中的晶圓搬運部及裝載端口部的控制方法。為了實現上述目的，本專利技術提供一種控制方法，是EFEM中的晶圓搬運部及裝載端口部的控制方法，EFEM具有：晶圓搬運部，其具有向處理室搬運的晶圓所通過的晶圓搬運室；裝載端口部，其將形成于收納所述晶圓的容器的主開口與所述晶圓搬運室氣密地連接，所述控制方法具有：將所述容器固定于所述裝載端口部的載置臺的工序；在關閉了所述主開口的狀態下，在載置于所述載置臺上的所述容器的底面上所形成的多個底孔連接所述裝載端口部的底部嘴，經由所述底部嘴向所述容器的內部進行清潔化氣體的導入及氣體從所述容器的排出的第一清潔化工序；停止清潔化氣體從所述底部嘴的導入，開放所述主開口，將所述容器和所述晶圓搬運室氣密地連接的連接工序；從所述容器通過開放的所述主開口及所述晶圓搬運室將所述晶圓搬運至所述處理室，從所述處理室通過所述晶圓搬運室及開放的所述主開口將所述晶圓搬運至所述容器的晶圓搬運工序。本專利技術的控制方法中，通過在將容器內進行清潔化的第一清潔化工序之后開放主開口而將容器與晶圓搬運室連接，能夠防止從容器向晶圓搬運室流入清潔度低的氣體，能夠適當地保持晶圓搬運室的清潔度。另外，在搬運晶圓的工序中，通過從在第一清潔化工序中連接的底部嘴的至少一個排出容器內的氣體，即使在晶圓搬運工序中，也能夠適當地保持容器及晶圓搬運室內的清潔度。另外，在搬運晶圓的工序中，通過從底部嘴排出容器內的氣體，能夠抑制從剛剛處理之后的晶圓放出的放氣流入晶圓搬運室內的問題。另外，例如，也可以是，本專利技術的EFEM的控制方法還具有檢測所述容器內的清潔度的檢測工序，所述連接工序在通過所述檢測工序檢測到所述容器內超過規定的狀態而變得清潔之后進行。由于具有這種檢測工序，從而能夠可靠地防止從容器向晶圓搬運室流入清潔度低的氣體，并且，在容器內的清潔度高的情況下，能夠縮短第一清潔化工序中的清潔化氣體的導入時間。另外，例如，也可以是，本專利技術的EFEM的控制方法還具有經由開放的所述主開口從所述晶圓搬運室向所述容器的內部導入氣體的第二清潔化工序。通過從晶圓搬運室向容器的內部導入氣體，在容器內形成從主開口朝向底孔的氣流，因此，這種EFEM的控制方法能夠從容器迅速地排出從剛剛處理之后的晶圓放出的放氣，能夠有效地防止容器內的晶圓被放氣污染及氧化的問題。另外，例如，也可以是，在所述第二清潔化工序中，利用將所述晶圓搬運室內的下降氣流的一部分導向所述主開口的整流板從所述晶圓搬運室向所述容器的內部導入氣體。這種EFEM的控制方法通過整流板這一簡單的構造實現氣體從晶圓搬運室向容器的導入，控制變得容易。另外，根據將搬運室內的下降氣流的一部分導入容器的方法，為了將容器清潔化而能夠挪用對晶圓搬運室內進行清潔化的系統，因此，能夠以簡單的裝置實現容器的清潔化。另外，例如，也可以是，在所述第二清潔化工序中，經由在所述第一清潔化工序中與所述底孔連接的所述底部嘴中的、與在所述容器的底面中相較于底面中央距所述主開口更遠的位置形成的底孔連通的至少一個嘴，排出所述容器內的氣體。通過將排出容器內的氣體的底孔配置在遠離主開口的位置，從而從主開口朝向底孔的氣流在容器內的寬范圍內形成，因此，根據這種EFEM的控制方法，能夠將從剛剛處理之后的晶圓放出的放氣高效地從容器排出。附圖說明圖1是本專利技術一實施方式的EFEM的概略圖；圖2是表示圖1所示的EFEM中的載置臺附近的主要部分立體圖；圖3是表示關閉了容器的主開口的狀態下的門附近的EFEM的狀態的概念圖；圖4是表示開放了容器的主開口的狀態下的門附近的EFEM的狀態的概念圖；圖5是表示圖1所示的EFEM的控制方法的流程圖；圖6是本專利技術第二實施方式的EFEM的概略圖；圖7是本專利技術第三實施方式的EFEM的概略圖；圖8是本專利技術第四實施方式的EFEM的概略圖。符號說明1…晶圓2…前端開口片盒2f…底面4…蓋5…第一底孔6…第二底孔10…裝載端口部11…壁部件14…載置臺17…前部氣體導入部17a…放出嘴18…開閉部18a…門20…氣體排出部21…第一底部嘴22…第一配管部24…強制排出單元30…底部氣體導入部31…第二底部嘴32…第二配管部55…整流板50、150…EFEM51、151…晶圓搬運部52…晶圓搬運室57…循環流路59…搬運室風扇80…下降氣流C…底面中央具體實施方式以下，基于附圖所示的實施方式說明本專利技術。如圖1所示，用于本專利技術一實施方式的控制方法的EFEM50是半導體處理裝置的前端模塊，具有裝載端口部10和晶圓搬運部51。EFEM50的晶圓搬運室52是將搬運晶圓1的作為容器的前端開口片盒(FOUP)2和處理室(未圖示)連結的空間，配置于晶圓搬運室52內的搬運機器人54將前端開口片盒2內的晶圓1搬運到處理室。因此，在處理室內進行規定的處理的晶圓1從前端開口片盒2內通過晶圓搬運室52搬運到處理室。晶圓搬運部51除晶圓1通過的晶圓搬運室52之外，還具有在晶圓搬運室形成下降氣流80的作為下降氣流形成單元的搬運室風扇59、和用于使晶圓搬運室52內的氣體在晶圓搬運室52迂回而上升并再次形成下降氣流80的循環流路57。另外，晶圓搬運部51具有后述的搬運室過濾器58和整流板55。搬運室風扇59設于晶圓搬運室52的上方，在晶圓搬運室52及循環流路57形成氣流。搬運室風扇59例如具有相對于旋轉方向傾斜的葉片、和用于使葉片旋轉的電動機。此外，作為下降氣流形成單元，不限于具有旋轉的葉片的搬運室風扇59，也可以采用空氣壓縮機之類的氣流形成單元作為晶圓搬運部51的下降氣流形成單元。循環流路57通過晶圓搬運部51的上部和下部與晶圓搬運室52相連，上部至下部之間通過中間壁相對于晶圓搬運室52隔開。在晶圓搬運室52和循環流路57之間設有將在晶圓搬運室52和循環流路57循環的氣體清潔化的作為循環氣體清潔化單元的搬運室過濾器58。搬運室過濾器58被設于晶圓搬運室52的上方且搬運室風扇59的下方。搬運室過本文檔來自技高網...

【技術保護點】
一種控制方法，其特征在于，是EFEM中的晶圓搬運部及裝載端口部的控制方法，所述EFEM具有：晶圓搬運部，其具有向處理室搬運的晶圓所通過的晶圓搬運室；裝載端口部，其將形成于收納所述晶圓的容器的主開口與所述晶圓搬運室氣密地連接，所述控制方法具有：將所述容器固定于所述裝載端口部的載置臺的工序；在關閉了所述主開口的狀態下，在載置于所述載置臺上的所述容器的底面上所形成的多個底孔連接所述裝載端口部的底部嘴，并經由所述底部嘴向所述容器的內部進行清潔化氣體的導入及氣體從所述容器的排出的第一清潔化工序；停止清潔化氣體從所述底部嘴的導入，開放所述主開口，并將所述容器和所述晶圓搬運室氣密地連接的連接工序；從所述容器通過開放的所述主開口及所述晶圓搬運室將所述晶圓搬運至所述處理室，并從所述處理室通過所述晶圓搬運室及開放的所述主開口將所述晶圓搬運至所述容器的晶圓搬運工序。

【技術特征摘要】
2015.12.11 JP 2015-2420401.一種控制方法，其特征在于，是EFEM中的晶圓搬運部及裝載端口部的控制方法，所述EFEM具有：晶圓搬運部，其具有向處理室搬運的晶圓所通過的晶圓搬運室；裝載端口部，其將形成于收納所述晶圓的容器的主開口與所述晶圓搬運室氣密地連接，所述控制方法具有：將所述容器固定于所述裝載端口部的載置臺的工序；在關閉了所述主開口的狀態下，在載置于所述載置臺上的所述容器的底面上所形成的多個底孔連接所述裝載端口部的底部嘴，并經由所述底部嘴向所述容器的內部進行清潔化氣體的導入及氣體從所述容器的排出的第一清潔化工序；停止清潔化氣體從所述底部嘴的導入，開放所述主開口，并將所述容器和所述晶圓搬運室氣密地連接的連接工序；從所述容器通過開放的所述主開口及所述晶圓搬運室將所述晶圓搬運至所述處理室，并從所述處理室通過所述晶圓搬運室及開放的所述主開口將所述晶圓搬運至所述容器的晶圓搬運工序。2.根據權利要求1所述的控制方法，其特征在...

【專利技術屬性】
技術研發人員：岡部勉，堀部秀敏，
申請(專利權)人：TDK株式會社，
類型：發明
國別省市：日本,JP