一種分層封裝電路結構及一種分層封裝TR模塊制造技術

本發明專利技術涉及電路封裝結構領域，特別涉及一種分層封裝電路結構及一種分層封裝TR模塊。本發明專利技術提供的分層封裝電路結構將電路按照功能劃分為低頻模塊和射頻模塊，其中低頻模塊采用第一材料封裝，射頻模塊采用第二材料封裝，采用第一材料封裝后的低頻模塊與采用第二材料封裝后的射頻模塊通過預留接口連接，本結構是一種新的小體積條件下電路布局結構方案，實現了低頻供電、射頻饋電和邏輯控制功能的有機結合，即降低了現有封裝體系下模塊結構容易受應力影響折斷的，又降低了生產成本；本發明專利技術提供的結構架構尤其適用于一些非必要使用共燒陶瓷體系的電路模塊。

Layered packaging circuit structure and layered packaging TR module

The invention relates to the field of circuit package structure, in particular to a layered packaging circuit structure and a layered packaging TR module. Hierarchical encapsulation circuit structure of the invention provides the circuit according to the function is divided into low frequency module and RF module, frequency module uses the first material package, the RF module adopts the second material package, using low frequency module first material packaged with the RF module second material encapsulated by reservation interface, this structure is a structure layout scheme a new small volume under the condition of the circuit, to achieve the organic combination of low frequency power supply, RF feed and logic control functions, which reduce the existing package system module structure is easily affected by the stress of broken, but also reduce the production cost; structure provided by the invention is especially suitable for some non essential use of CO firing circuit module ceramic system.

【技術實現步驟摘要】
一種分層封裝電路結構及一種分層封裝TR模塊
本專利技術涉及電路封裝結構領域，特別涉及一種分層封裝電路結構及一種分層封裝TR模塊。
技術介紹
目前現有的模塊集成技術方案一般為通過單一的低溫共燒陶瓷體系實現。低溫共燒陶瓷是一種將未燒結的流延陶瓷材料疊層在一起而制成的多層電路，內有印制互連導體、元件和電路，并將該結構燒成一個集成式陶瓷多層材料，然后在表面安裝IC、LSI裸芯片等構成具有一定部件或系統功能的高密度微電子組件技術。實現了諸如射頻饋發、低頻供電及邏輯控制等功能。基于混合微波集成電路(HMIC)工藝的毫米波收發組件在雷達、通信系統中的應用已相當成熟。尤其是微波單片集成電路（MMIC）的發展與廣泛使用極大地減小了系統子電路的體積，提高了性能。采用低溫共燒陶瓷工藝，使用國際通用的材料體系，可以對毫米波系統進行多層結構的高密度封裝設計。為毫米波組件的小型化，高集成度，高可靠性的實現提供了有效的途徑。但是，現有的共燒陶瓷封裝體系由于其應用的材料（多為二氧化硅等合成粉末）本身的特性，導致其容易受到內、外應力后折斷；同時，由于基礎材料成本居高不下，導致共燒陶瓷封裝體系的制造成本也較高。
技術實現思路
本專利技術的目的在于克服現有技術中共燒陶瓷封裝體系成本較高的問題，提供一種可以降低部分成本的分層封裝電路結構。為了實現上述專利技術目的，本專利技術提供了以下技術方案：一種分層封裝電路結構，將電路按照功能劃分為低頻模塊和射頻模塊，其中低頻模塊采用第一材料封裝，射頻模塊采用第二材料封裝，采用第一材料封裝后的低頻模塊與采用第二材料封裝后的射頻模塊通過預留接口連接。進一步的，所述低頻模塊包括邏輯控制模塊和低頻供電模塊。優選的，所述第一材料為低頻封裝材料，低頻封裝材料的成本通常較低，因此可以相對降低電路模塊整體的封裝成本。低頻封裝材料中優選采用纖維布復合板材料，如FR4（環氧玻璃布層壓板、S1141、MTC-97）。優選的，所述第二材料為射頻封裝材料，設頻封裝材料中優選采用纖維布復合板材料。如TSM-DS3、TLY-5、RF-35、FR-27(pp)等，或其他泰康利公司的射頻材料。無論是低頻封裝材料還是射頻封裝材料，采用了纖維布復合板材作為封裝材料的模塊結構相比之前的共燒陶瓷體系，在應力方面有著很大的進步，即相對不同意折斷。一些實施例中，第一材料和第二材料均可以同為射頻封裝材料。本專利技術同時提供一種分層封裝TR模塊，包括TR低頻模塊和TR射頻模塊，TR低頻模塊采用第一材料封裝，TR射頻模塊采用第二材料封裝，采用第一材料封裝后的TR低頻模塊與采用第二材料封裝后的TR射頻模塊通過預留接口連接。進一步的，所述TR低頻模塊包括邏輯控制模塊和低頻供電模塊。進一步的，所述TR射頻模塊包括依次連接的TR驅動芯片、功分器、TR末級芯片以及輸出傳輸線。所述第一材料為低頻封裝材料，如FR4（環氧玻璃布層壓板）。優選的，所述第二材料為射頻封裝材料，如TSM-DS3（泰康利公司的射頻材料）。與現有技術相比，本專利技術的有益效果：本專利技術提供的分層封裝電路結構給出了一種新的毫米波領域電路布局結構方案，實現了低頻供電、射頻饋電和邏輯控制功能的有機結合，即降低了現有封裝體系下模塊結構容易受應力影響折斷的，又降低了生產成本；本專利技術提供的結構架構尤其適用于一些非必要使用共燒陶瓷體系的電路模塊。另外，新的封裝材料本身的成本優勢使得產品保持優良性能的同時大幅低產品的價格，進而帶來帶來額外的產品收益。一些實施例中，對于兩塊獨立板材的連接導通控制方式采用粘接的方式。對于毫米波T/R組件領域，等于增加了一項設計方案，使得應用的場景變得更豐富，更有針對性，粘結相對于焊接的好處是，通常粘結需要更低的工作溫度、更低的成本以及對待粘結界面有更低的平整度需求，從而使得使用粘結的器件生產成本整體降低，同時對工藝環境要求要求更低。附圖說明：圖1為本專利技術提供的分層封裝電路結構剖面示例圖。圖2為本專利技術提供的分層封裝TR模塊具體示例圖。圖中標記：100-低頻模塊；200-射頻模塊；110-分層連接；101-邏輯控制芯片；201-TR驅動芯片；202-功分器；203-TR末級芯片；204-輸出微帶線。具體實施方式下面結合附圖及具體實施例對本專利技術作進一步的詳細描述。但不應將此理解為本專利技術上述主題的范圍僅限于以下的實施例，凡基于本
技術實現思路
所實現的技術均屬于本專利技術的范圍。實施例1：如圖1所示，本實施例提供一種一種分層封裝電路結構，將電路按照功能劃分為低頻模塊和射頻模塊，其中低頻模塊采用第一材料封裝，射頻模塊采用第二材料封裝，采用第一材料封裝后的低頻模塊與采用第二材料封裝后的射頻模塊通過預留接口連接。進一步的，所述低頻模塊包括邏輯控制模塊和低頻供電模塊。優選的，所述第一材料為低頻封裝材料，低頻封裝材料的成本通常較低，因此可以相對降低電路模塊整體的封裝成本。低頻封裝材料中優選采用纖維布復合板材料，如FR4（環氧玻璃布層壓板）。優選的，所述第二材料為射頻封裝材料，設頻封裝材料中優選采用纖維布復合板材料。如TSM-DS3（泰康利公司的射頻材料）。無論是低頻封裝材料還是射頻封裝材料，采用了纖維布復合板材作為封裝材料的模塊結構相比之前的共燒陶瓷體系，在應力方面有著很大的進步，即相對不同意折斷。本技術方案采用了新型材料體系進行了集成一體化的設計與工藝裝配，將結構功能進行分步設計，再通過后期工藝處理進行結合，降低成本的同時依然達到了相同的技術指標。傳統的集成方案往往只使用一種材料體系進行圖紙一次性加工，這當中會帶來較高的成本負擔，與此同時，一些組件由于沒有合適的實現方案，只能選擇高成本的設計，會帶來大材小用的缺點。同時，本申請按照低頻、射頻的分類方式，還方便不同模塊分別進行模塊化量產，并分別進行各自領域(低頻領域、射頻領域）的相關測試，還可以大幅提高整體器件的生產效率。實施例2：如圖2所示，本實施例提供一種分層封裝TR模塊，包括TR低頻模塊和TR射頻模塊，TR低頻模塊采用第一材料封裝，TR射頻模塊采用第二材料封裝，采用第一材料封裝后的TR低頻模塊與采用第二材料封裝后的TR射頻模塊通過預留接口連接。所述TR低頻模塊包括邏輯控制模塊和低頻供電模塊。所述TR射頻模塊包括依次連接的TR驅動芯片、功分器、TR末級芯片以及輸出傳輸線，輸出傳輸線例如可以是微帶線，其與雷達系統的天線單元連接。本實施例中，所述第一材料為FR4，所述第二材料為TSM-DS3。本實施例將T/R模塊內部按照功能進行了分解，利用兩種新型材料對原T/R的功能進行了集成封裝，最后通過在兩個模塊中預連接部位預留接口（如，以預埋線的方式），將兩個模塊進行工藝粘接（如銀漿粘連）；使組裝件達到了原有單一體系實現的相同的電氣水準，同時其生產成本大幅降低，抗應力能力大幅增強。本文檔來自技高網...

【技術保護點】
一種分層封裝電路結構，其特征在于，將電路按照功能劃分為低頻模塊和射頻模塊，其中低頻模塊采用第一材料封裝，射頻模塊采用第二材料封裝，采用第一材料封裝后的低頻模塊與采用第二材料封裝后的射頻模塊通過預留接口連接。

【技術特征摘要】
1.一種分層封裝電路結構，其特征在于，將電路按照功能劃分為低頻模塊和射頻模塊，其中低頻模塊采用第一材料封裝，射頻模塊采用第二材料封裝，采用第一材料封裝后的低頻模塊與采用第二材料封裝后的射頻模塊通過預留接口連接。2.如權利要求1所述的分層封裝電路結構，其特征在于，所述低頻模塊包括邏輯控制模塊和低頻供電模塊。3.如權利要求1所述的分層封裝電路結構，其特征在于，所述第一材料為低頻封裝材料。4.如權利要求1所述的分層封裝電路結構，其特征在于，所述第二材料為射頻封裝材料。5.如權利要求5所述的分層封裝電路結構，其特征在于，所述第一材料同樣為射頻封裝材料。6.一種分層封裝TR模塊，其...

【專利技術屬性】
技術研發人員：劉會奇，符博，丁卓富，孫思成，胡彥勝，
申請(專利權)人：成都雷電微力科技有限公司，
類型：發明
國別省市：四川,51