The invention discloses an improved stripline type high power microwave switch and its manufacturing method, wherein, the switch comprises a first high-frequency socket, second high-frequency socket, third high frequency microwave switch socket, a box body, a center conductor wire, an upper cover plate, the first type PIN coaxial diode, second coaxial diode, third PIN coaxial type PIN fourth coaxial type diode, the PIN diode, the first microwave structure capacitor, capacitor, second microwave structure third microwave structure capacitor, capacitor, the first fourth microwave structure of copper foil, copper foil, copper foil, second third fourth copper foil, the first capacitor and second capacitor and third capacitor and fourth capacitor, the first line, second line winding inductor around third line inductance, winding inductor, fourth winding inductance, PCB drive control board, the first and second insulating glass glass insulator Sub, third glass insulator, fourth glass insulator and lower cover plate. The invention reduces the insertion loss of the switch and improves the power carrying capacity of the switch.
【技術(shù)實現(xiàn)步驟摘要】
一種改進型帶狀線型大功率微波開關(guān)及其制作方法
本專利技術(shù)涉及大功率微波器件
,尤其涉及一種改進型帶狀線型大功率微波開關(guān)及其制作方法。
技術(shù)介紹
微波開關(guān)通常采用微帶線作為傳輸載體,二極管也多采用裸芯芯片,傳輸主線上一般都設(shè)有隔直電容,以隔斷驅(qū)動電路驅(qū)動電流,因此器件承載的功率就非常有限,插入損耗也比較大,同時裝配工藝要求也比較苛刻,而大功率的波導(dǎo)微波開關(guān),雖然能承受比較大的功率,但是在頻段比較低(C波段以下)時,體積、重量就比較大,轉(zhuǎn)換時間一般較長,焊接工藝要求高,可靠性難以保障。
技術(shù)實現(xiàn)思路
本專利技術(shù)解決的技術(shù)問題是:相比于現(xiàn)有技術(shù),提供了一種改進型帶狀線型大功率微波開關(guān)的制作方法,減小了開關(guān)的插入損耗、提高了開關(guān)的承載大功率。本專利技術(shù)目的通過以下技術(shù)方案予以實現(xiàn):一種改進型帶狀線型大功率微波開關(guān)的制作方法,所述方法包括以下步驟:步驟一:將第一高頻插座、第二高頻插座、第三高頻插座與微波開關(guān)盒體相連接;步驟二:將中心導(dǎo)體芯線與安裝在盒體上的第一高頻插座的芯線、第二高頻插座的芯線、第三高頻插座的芯線焊接,并將中心導(dǎo)體芯線位于盒體內(nèi)腔,把上蓋板和盒體相連接;步驟三:將第一同軸型PIN二極管、第二同軸型PIN二極管、第三同軸型PIN二極管、第四同軸型PIN二極管與盒體相連接,并位于盒體的內(nèi)腔內(nèi);步驟四:將第一微波結(jié)構(gòu)電容設(shè)置于中心導(dǎo)體芯線的A位置,第二微波結(jié)構(gòu)電容設(shè)置于中心導(dǎo)體芯線的B位置、第三微波結(jié)構(gòu)電容設(shè)置于中心導(dǎo)體芯線的C位置、第四微波結(jié)構(gòu)電容設(shè)置于中心導(dǎo)體芯線的D位置;步驟五:將第一銅箔的一端與第一微波結(jié)構(gòu)電容相連接,將第一銅箔的另一端與第一同軸 ...
【技術(shù)保護點】
一種改進型帶狀線型大功率微波開關(guān)的制作方法,其特征在于,所述方法包括以下步驟:步驟一:將第一高頻插座(21)、第二高頻插座(22)、第三高頻插座(23)與微波開關(guān)盒體(1)相連接;步驟二:將中心導(dǎo)體芯線(2)與安裝在盒體(1)上的第一高頻插座(21)的芯線、第二高頻插座(22)的芯線、第三高頻插座(23)的芯線焊接,并將中心導(dǎo)體芯線(2)位于盒體(1)內(nèi)腔,把上蓋板(11)和盒體(1)相連接;步驟三:將第一同軸型PIN二極管(31)、第二同軸型PIN二極管(32)、第三同軸型PIN二極管(33)、第四同軸型PIN二極管(34)與盒體(1)相連接,并位于盒體(1)的內(nèi)腔內(nèi);步驟四:將第一微波結(jié)構(gòu)電容(41)設(shè)置于中心導(dǎo)體芯線(2)的A位置,第二微波結(jié)構(gòu)電容(42)設(shè)置于中心導(dǎo)體芯線(2)的B位置、第三微波結(jié)構(gòu)電容(43)設(shè)置于中心導(dǎo)體芯線(2)的C位置、第四微波結(jié)構(gòu)電容(44)設(shè)置于中心導(dǎo)體芯線(2)的D位置;步驟五:將第一銅箔(71)的一端與第一微波結(jié)構(gòu)電容(41)相連接,將第一銅箔(71)的另一端與第一同軸型PIN二極管(31)相連接;將第二銅箔(72)的一端與第二微波結(jié)構(gòu)電容(42 ...
【技術(shù)特征摘要】
1.一種改進型帶狀線型大功率微波開關(guān)的制作方法,其特征在于,所述方法包括以下步驟:步驟一:將第一高頻插座(21)、第二高頻插座(22)、第三高頻插座(23)與微波開關(guān)盒體(1)相連接;步驟二:將中心導(dǎo)體芯線(2)與安裝在盒體(1)上的第一高頻插座(21)的芯線、第二高頻插座(22)的芯線、第三高頻插座(23)的芯線焊接,并將中心導(dǎo)體芯線(2)位于盒體(1)內(nèi)腔,把上蓋板(11)和盒體(1)相連接;步驟三:將第一同軸型PIN二極管(31)、第二同軸型PIN二極管(32)、第三同軸型PIN二極管(33)、第四同軸型PIN二極管(34)與盒體(1)相連接,并位于盒體(1)的內(nèi)腔內(nèi);步驟四:將第一微波結(jié)構(gòu)電容(41)設(shè)置于中心導(dǎo)體芯線(2)的A位置,第二微波結(jié)構(gòu)電容(42)設(shè)置于中心導(dǎo)體芯線(2)的B位置、第三微波結(jié)構(gòu)電容(43)設(shè)置于中心導(dǎo)體芯線(2)的C位置、第四微波結(jié)構(gòu)電容(44)設(shè)置于中心導(dǎo)體芯線(2)的D位置;步驟五:將第一銅箔(71)的一端與第一微波結(jié)構(gòu)電容(41)相連接,將第一銅箔(71)的另一端與第一同軸型PIN二極管(31)相連接;將第二銅箔(72)的一端與第二微波結(jié)構(gòu)電容(42)相連接,將第二銅箔(72)的另一端與第二同軸型PIN二極管(32)相連接;將第三銅箔(73)的一端與第三微波結(jié)構(gòu)電容(43)相連接,將第三銅箔(73)的另一端與第三同軸型PIN二極管(33)相連接;將第四銅箔(74)的一端與第四微波結(jié)構(gòu)電容(44)相連接,將第四銅箔(74)的另一端與第四同軸型PIN二極管(34)相連接;步驟六:將第一穿心電容(51)、第二穿心電容(52)、第三穿心電容(53)和第四穿心電容(54)設(shè)置于盒體(1)的內(nèi)腔,第一線繞電感(61)的一端與第一同軸型PIN二極管(31)相連接,第一線繞電感(61)的另一端與第一穿心電容(51)相連接;第二線繞電感(62)的一端與第二同軸型PIN二極管(32)相連接,第二線繞電感(62)的另一端與第二穿心電容(52)相連接;第三線繞電感(63)的一端與第三同軸型PIN二極管(33)相連接,第三線繞電感(63)的另一端與第三穿心電容(53)相連接;第四線繞電感(64)的一端與第四同軸型PIN二極管(34)相連接,第四線繞電感(64)的另一端與第四穿心電容(54)相連接;步驟七:將驅(qū)動控制PCB板(3)與盒體(1)相連接并位于盒體(1)的內(nèi)腔,將第一穿心電容(51)、第二穿心電容(52)、第三穿心電容(53)和第四穿心電容(54)與驅(qū)動控制PCB板(3)的電壓輸出端口電連接;步驟八:將第一玻璃絕緣子(81)、第三玻璃絕緣子(83)設(shè)置于盒體(1)上并與驅(qū)動控制PCB板(3)的電壓輸入端口相連接,將第二玻璃絕緣子(82)、第四玻璃絕緣子(84)設(shè)置于盒體(1)上并與驅(qū)動控制PCB板(3)的TTL控制輸入端口相連接。步驟九:將下蓋板(12)與盒體(1)相連接。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的改進型帶狀線型大功率微波開關(guān)的制作方法,其特征在于:在步驟二中,中心導(dǎo)體芯線(2)包括豎部(210)、橫部(220)、第三部(230)和第四部(240),其中,豎部(210)的一端與橫部(220)的中間位置相連接,橫部(220)的一端與第三部(230)相連接,橫部(220)的另一端與第四部(240)相連接,第三部(230)與第四部(240)關(guān)于豎部(210)的軸線對稱。3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的改進型帶狀線型大功率微波開關(guān)的制作方法,其特征在于:所述豎部(210)的一端與第一高頻插座(21)的芯線焊接,所述第三部(230)的一端與第二高頻插座(22)的芯線焊接,所述第四部(240)的一端與第三高頻插座(23)的芯線焊接。4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的改進型帶狀線型大功率微波開關(guān)的制作方法,其特征在于:在步驟三中,第一同軸型PIN二極管(31)設(shè)置于第三部(230)的右端,第二同軸型PIN二極管(32)設(shè)置于第四部(240)的左端,第一同軸型PIN二極管(31)與第二同軸型PIN二極管(32)關(guān)于豎部(210)的軸線對稱。5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的改進型帶狀線型大功率微波開關(guān)的制作方法,其特征在于:在步驟三中,第三同軸型PIN二極管(33)、第四同軸型PIN二極管(34)關(guān)于豎部(210)的軸線對稱。6.根據(jù)權(quán)利要求2所述的改進型帶狀線型大功率微波開關(guān)的制作方法,其特征在于:在步驟六中,第一穿心電容(51)設(shè)置于第三部(230)的右端,第二穿心電容(52)設(shè)置于第四部(240)的左端,第一穿心電容(51)與第二穿心電容(52)關(guān)于豎部(21...
【專利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員:丁四如,
申請(專利權(quán))人:北京遙測技術(shù)研究所,航天長征火箭技術(shù)有限公司,
類型:發(fā)明
國別省市:北京,11
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