一種基片對(duì)準(zhǔn)裝置，基片對(duì)準(zhǔn)方法和物理氣相沉積方法制造方法及圖紙

本申請(qǐng)?zhí)峁┮环N基片對(duì)準(zhǔn)方法、基片對(duì)準(zhǔn)裝置和物理氣相沉積方法，該基片對(duì)準(zhǔn)方法包括：使基片轉(zhuǎn)動(dòng)，并且在所述基片的轉(zhuǎn)動(dòng)角度滿足預(yù)設(shè)條件時(shí)，使所述基片停止轉(zhuǎn)動(dòng)；拍攝所述基片的圖像；當(dāng)所述基片的圖像和預(yù)設(shè)的標(biāo)準(zhǔn)圖像匹配時(shí)，將所述基片傳送至預(yù)定位置。根據(jù)本申請(qǐng)，能夠?qū)⒒膱D像與標(biāo)準(zhǔn)圖像進(jìn)行比較，來(lái)判斷是否完成基片對(duì)準(zhǔn)，由此，提高基片對(duì)準(zhǔn)的準(zhǔn)確性。

A substrate alignment device, a substrate alignment method, and a physical vapor deposition method

The invention provides a substrate alignment method, substrate alignment apparatus and physical vapor deposition method, including the substrate alignment method: the substrate rotation, and meet in the rotation angle of the substrate of the preset condition, the base plate to stop rotating; images of the substrate; when the image of the substrate and the preset standard image matching, the substrate is transferred to a predetermined position. According to this application, the image of the substrate can be compared with the standard image to determine whether the substrate alignment is finished, thereby improving the accuracy of the substrate alignment.

【技術(shù)實(shí)現(xiàn)步驟摘要】
一種基片對(duì)準(zhǔn)裝置，基片對(duì)準(zhǔn)方法和物理氣相沉積方法
本申請(qǐng)涉及半導(dǎo)體制造
，尤其涉及一種基片對(duì)準(zhǔn)裝置，基片對(duì)準(zhǔn)方法和物理氣相沉積方法。
技術(shù)介紹
晶圓級(jí)物理氣相沉積(PVD)金屬工藝廣泛應(yīng)用于IC，MEMS，以及先進(jìn)封裝結(jié)構(gòu)的制備工藝中。金屬后制程一般是使硅片進(jìn)入黃光區(qū)域進(jìn)行涂膠-曝光-顯影等工藝，由此，將硅片上的金屬層定義出圖形，以便后道開始蝕刻制程。曝光工藝本身是需要與前層對(duì)準(zhǔn)的，否則會(huì)導(dǎo)致上層金屬層與下層結(jié)構(gòu)無(wú)法互聯(lián)，隨著工藝能力的提升，線寬越來(lái)越窄，曝光時(shí)，前后層是否能精確對(duì)準(zhǔn)尤為重要。由于金屬層沉積后，在硅片表面形成不透光的薄膜，因此硅片都會(huì)在某個(gè)位置留出標(biāo)記作為曝光對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記。PVD機(jī)臺(tái)會(huì)在沉積腔體中對(duì)應(yīng)硅片的曝光對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記上方設(shè)置掩蓋零件，使此曝光對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記上不沉積金屬，這樣，后道黃光曝光時(shí)可以以此曝光對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記作為對(duì)準(zhǔn)依據(jù)。為了使硅片的曝光對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記和機(jī)臺(tái)掩蓋零件能對(duì)準(zhǔn)，需要在金屬沉積前將硅片放置在指定位置。通常，硅片外圈都有某個(gè)標(biāo)記區(qū)域，可以是平邊或三角缺口，如圖1(a)和圖1(b)所示，在圖1(a)中，硅片1的標(biāo)記區(qū)域?yàn)槠竭?a，在圖1(b)中，硅片1的標(biāo)記區(qū)域?yàn)槿侨笨?b。PVD機(jī)臺(tái)都會(huì)在金屬沉積前，將硅片先傳送至一個(gè)能夠使硅片轉(zhuǎn)動(dòng)的機(jī)械轉(zhuǎn)動(dòng)腔體，按照機(jī)臺(tái)制定的菜單，將硅片轉(zhuǎn)動(dòng)到某指定角度，以便硅片在進(jìn)入金屬沉積腔體內(nèi)之后，每片硅片的曝光對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記都與相應(yīng)的掩蓋零件對(duì)準(zhǔn)，接下來(lái)，使硅片進(jìn)入金屬沉積腔體完成沉積。在現(xiàn)有技術(shù)中，機(jī)械轉(zhuǎn)動(dòng)腔體通常采用激光對(duì)準(zhǔn)方式來(lái)控制硅片轉(zhuǎn)動(dòng)的角度，例如，在機(jī)械轉(zhuǎn)動(dòng)腔體內(nèi)，可以從上面發(fā)射激光，在下面接收，如果硅片轉(zhuǎn)動(dòng)到平邊或者缺口與接收器對(duì)準(zhǔn)的位置，則下面的接收器可以接收到激光，機(jī)臺(tái)會(huì)判斷為硅片轉(zhuǎn)動(dòng)到指定的角度，而如果硅片轉(zhuǎn)動(dòng)到其他位置時(shí)，會(huì)因?yàn)楣杵钃跫す猓邮掌鳠o(wú)法接收到激光。應(yīng)該注意，上面對(duì)技術(shù)背景的介紹只是為了方便對(duì)本申請(qǐng)的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整的說(shuō)明，并方便本領(lǐng)域技術(shù)人員的理解而闡述的。不能僅僅因?yàn)檫@些方案在本申請(qǐng)的
技術(shù)介紹
部分進(jìn)行了闡述而認(rèn)為上述技術(shù)方案為本領(lǐng)域技術(shù)人員所公知。
技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路
本申請(qǐng)的專利技術(shù)人發(fā)現(xiàn)，在現(xiàn)有的控制硅片轉(zhuǎn)動(dòng)的方式中，接收器在將光信號(hào)轉(zhuǎn)化為電信號(hào)過(guò)程中可能存在一定的延遲，導(dǎo)致機(jī)械轉(zhuǎn)動(dòng)沒(méi)有在指定位置停住，從而使硅片偏離了指定角度，另外，在硅片邊緣存在破損時(shí)，接收器將會(huì)產(chǎn)生多個(gè)接收信號(hào)，從而造成誤判，使硅片無(wú)法轉(zhuǎn)動(dòng)到指定角度。在硅片沒(méi)有轉(zhuǎn)動(dòng)到指定角度就進(jìn)入沉積腔體進(jìn)行金屬沉積的情況下，會(huì)導(dǎo)致硅片的曝光對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記無(wú)法被掩蓋零件掩蓋而沉積到金屬，由此，后道黃光曝光制程無(wú)法進(jìn)行，造成硅片報(bào)廢或者重新返工，嚴(yán)重降低生產(chǎn)效率。本申請(qǐng)實(shí)施例提供一種基片對(duì)準(zhǔn)裝置，基片對(duì)準(zhǔn)方法和物理氣相沉積方法，能夠?qū)⒒膱D像與標(biāo)準(zhǔn)圖像進(jìn)行比較，來(lái)判斷是否完成基片對(duì)準(zhǔn)，由此，提高基片對(duì)準(zhǔn)的準(zhǔn)確性。根據(jù)本申請(qǐng)的一個(gè)實(shí)施例，提供一種基片對(duì)準(zhǔn)方法，該方法包括：使基片轉(zhuǎn)動(dòng)，并且在所述基片的轉(zhuǎn)動(dòng)角度滿足預(yù)設(shè)條件時(shí)，使所述基片停止轉(zhuǎn)動(dòng)；拍攝所述基片的圖像；當(dāng)所述基片的圖像和預(yù)設(shè)的標(biāo)準(zhǔn)圖像匹配時(shí)，將所述基片傳送至預(yù)定位置。根據(jù)本申請(qǐng)的另一個(gè)實(shí)施例，其中，當(dāng)所述基片的圖像和預(yù)設(shè)的標(biāo)準(zhǔn)圖像不匹配時(shí)，使所述基片繼續(xù)轉(zhuǎn)動(dòng)第一角度后停止，再次拍攝所述基片的圖像，并判斷再次拍攝的所述基片的圖像與所述標(biāo)準(zhǔn)圖像是否匹配。根據(jù)本申請(qǐng)的另一個(gè)實(shí)施例，其中，當(dāng)所述基片的圖像和預(yù)設(shè)的標(biāo)準(zhǔn)圖像不匹配時(shí)，計(jì)算所述基片的圖像與所述預(yù)設(shè)的標(biāo)準(zhǔn)圖像的偏差，并根據(jù)所述偏差控制所述基片繼續(xù)轉(zhuǎn)動(dòng)所述第一角度。根據(jù)本申請(qǐng)的另一個(gè)實(shí)施例，其中，當(dāng)所述基片的圖像和預(yù)設(shè)的標(biāo)準(zhǔn)圖像不匹配時(shí)，發(fā)出報(bào)警信息。根據(jù)本申請(qǐng)的另一個(gè)實(shí)施例，其中，所述預(yù)設(shè)條件包括，與所述基片表面垂直的光透過(guò)所述基片的標(biāo)記區(qū)域。根據(jù)本申請(qǐng)的另一個(gè)實(shí)施例，提供一種物理氣相沉積方法，該方法包括：將基片傳送至物理氣相沉積機(jī)臺(tái)的機(jī)械轉(zhuǎn)動(dòng)腔體；使所述機(jī)械轉(zhuǎn)動(dòng)腔體內(nèi)的所述基片轉(zhuǎn)動(dòng)，并且在所述基片的轉(zhuǎn)動(dòng)角度滿足預(yù)設(shè)條件時(shí)，使所述基片停止轉(zhuǎn)動(dòng)；拍攝所述基片的圖像；當(dāng)所述基片的圖像和預(yù)設(shè)的標(biāo)準(zhǔn)圖像匹配時(shí)，將所述基片傳送至所述物理氣相沉積機(jī)臺(tái)的沉積腔體；在所述沉積腔體內(nèi)的所述基片的表面沉積薄膜材料。根據(jù)本申請(qǐng)的另一個(gè)實(shí)施例，其中，在沉積所述薄膜材料的過(guò)程中，遮蓋所述基片表面的曝光對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記，以使所述薄膜材料不沉積在所述曝光對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記上。根據(jù)本申請(qǐng)的另一個(gè)實(shí)施例，提供一種基片對(duì)準(zhǔn)裝置，其中，該基片對(duì)準(zhǔn)裝置包括：機(jī)械轉(zhuǎn)動(dòng)腔體，其能使位于其中的所述基片轉(zhuǎn)動(dòng)；傳送單元，其用于將所述基片傳入或傳出所述機(jī)械轉(zhuǎn)動(dòng)腔體；光發(fā)射單元，其用于發(fā)射光；光接收單元，用于接收所述光發(fā)射單元所發(fā)射的光，其中，當(dāng)所述基片在所述機(jī)械轉(zhuǎn)動(dòng)腔體內(nèi)轉(zhuǎn)動(dòng)時(shí)，所述光發(fā)射單元和所述光接收單元分別位于所述基片的上下兩側(cè)；圖像獲取單元，其用于獲取位于所述機(jī)械轉(zhuǎn)動(dòng)腔體內(nèi)的所述基片在停止轉(zhuǎn)動(dòng)時(shí)的圖像；圖像處理單元，其用于將所述圖像獲取單元所獲取的所述基片的圖像與預(yù)設(shè)的標(biāo)準(zhǔn)圖像進(jìn)行比較；以及控制單元，其在所述光接收單元接收到所述光發(fā)射單元所發(fā)射的光時(shí)，使所述基片停止轉(zhuǎn)動(dòng)，并使所述圖像獲取單元獲取所述基片的圖像，在所述圖像處理單元判斷為所述基片的圖像與所述標(biāo)準(zhǔn)圖像匹配時(shí)，使所述傳送單元將所述基片傳送出所述機(jī)械轉(zhuǎn)動(dòng)腔體。根據(jù)本申請(qǐng)的另一個(gè)實(shí)施例，其中，所述機(jī)械轉(zhuǎn)動(dòng)腔體具有透明的上蓋，所述圖像獲取單元設(shè)置于所述機(jī)械轉(zhuǎn)動(dòng)腔體的外部，并透過(guò)所述上蓋對(duì)所述基片進(jìn)行拍攝。本申請(qǐng)的有益效果在于：將基片的圖像與標(biāo)準(zhǔn)圖像進(jìn)行比較，來(lái)判斷是否完成基片對(duì)準(zhǔn)，由此，提高基片對(duì)準(zhǔn)的準(zhǔn)確性。。參照后文的說(shuō)明和附圖，詳細(xì)公開了本申請(qǐng)的特定實(shí)施方式，指明了本申請(qǐng)的原理可以被采用的方式。應(yīng)該理解，本申請(qǐng)的實(shí)施方式在范圍上并不因而受到限制。在所附權(quán)利要求的精神和條款的范圍內(nèi)，本申請(qǐng)的實(shí)施方式包括許多改變、修改和等同。針對(duì)一種實(shí)施方式描述和/或示出的特征可以以相同或類似的方式在一個(gè)或更多個(gè)其它實(shí)施方式中使用，與其它實(shí)施方式中的特征相組合，或替代其它實(shí)施方式中的特征。應(yīng)該強(qiáng)調(diào)，術(shù)語(yǔ)“包括/包含”在本文使用時(shí)指特征、整件、步驟或組件的存在，但并不排除一個(gè)或更多個(gè)其它特征、整件、步驟或組件的存在或附加。附圖說(shuō)明所包括的附圖用來(lái)提供對(duì)本申請(qǐng)實(shí)施例的進(jìn)一步的理解，其構(gòu)成了說(shuō)明書的一部分，用于例示本申請(qǐng)的實(shí)施方式，并與文字描述一起來(lái)闡釋本申請(qǐng)的原理。顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本申請(qǐng)的一些實(shí)施例，對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來(lái)講，在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)性的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。在附圖中：圖1(a)、圖1(b)是具有標(biāo)記區(qū)域的基片的示意圖；圖2是本申請(qǐng)實(shí)施例1的基片對(duì)準(zhǔn)方法的一個(gè)流程示意圖；圖3是本申請(qǐng)實(shí)施例2的物理氣相沉積方法的一個(gè)流程示意圖；圖4是本申請(qǐng)實(shí)施例3的基片對(duì)準(zhǔn)裝置的一個(gè)組成示意圖。具體實(shí)施方式參照附圖，通過(guò)下面的說(shuō)明書，本申請(qǐng)的前述以及其它特征將變得明顯。在說(shuō)明書和附圖中，具體公開了本申請(qǐng)的特定實(shí)施方式，其表明了其中可以采用本申請(qǐng)的原則的部分實(shí)施方式，應(yīng)了解的是，本申請(qǐng)不限于所描述的實(shí)施方式，相反，本申請(qǐng)包括落入所附權(quán)利要求的范圍內(nèi)的全部修改、變型以及等同物。在本申請(qǐng)中，基片的可以是半導(dǎo)體制造領(lǐng)域中常用的晶圓，例如硅晶圓、本文檔來(lái)自技高網(wǎng)...

【技術(shù)保護(hù)點(diǎn)】
一種基片對(duì)準(zhǔn)方法，其特征在于，該方法包括：使基片轉(zhuǎn)動(dòng)，并且在所述基片的轉(zhuǎn)動(dòng)角度滿足預(yù)設(shè)條件時(shí)，使所述基片停止轉(zhuǎn)動(dòng)；拍攝所述基片的圖像；當(dāng)所述基片的圖像和預(yù)設(shè)的標(biāo)準(zhǔn)圖像匹配時(shí)，將所述基片傳送至預(yù)定位置。

【技術(shù)特征摘要】
1.一種基片對(duì)準(zhǔn)方法，其特征在于，該方法包括：使基片轉(zhuǎn)動(dòng)，并且在所述基片的轉(zhuǎn)動(dòng)角度滿足預(yù)設(shè)條件時(shí)，使所述基片停止轉(zhuǎn)動(dòng)；拍攝所述基片的圖像；當(dāng)所述基片的圖像和預(yù)設(shè)的標(biāo)準(zhǔn)圖像匹配時(shí)，將所述基片傳送至預(yù)定位置。2.如權(quán)利要求1所述的基片對(duì)準(zhǔn)方法，其特征在于，當(dāng)所述基片的圖像和預(yù)設(shè)的標(biāo)準(zhǔn)圖像不匹配時(shí)，使所述基片繼續(xù)轉(zhuǎn)動(dòng)第一角度后停止，再次拍攝所述基片的圖像，并判斷再次拍攝的所述基片的圖像與所述標(biāo)準(zhǔn)圖像是否匹配。3.如權(quán)利要求2所述的基片對(duì)準(zhǔn)方法，其特征在于，當(dāng)所述基片的圖像和預(yù)設(shè)的標(biāo)準(zhǔn)圖像不匹配時(shí)，計(jì)算所述基片的圖像與所述預(yù)設(shè)的標(biāo)準(zhǔn)圖像的偏差，并根據(jù)所述偏差控制所述基片繼續(xù)轉(zhuǎn)動(dòng)所述第一角度。4.如權(quán)利要求1所述的基片對(duì)準(zhǔn)方法，其特征在于，當(dāng)所述基片的圖像和預(yù)設(shè)的標(biāo)準(zhǔn)圖像不匹配時(shí)，發(fā)出報(bào)警信息。5.如權(quán)利要求1所述的基片對(duì)準(zhǔn)方法，其特征在于，所述預(yù)設(shè)條件包括，與所述基片表面垂直的光透過(guò)所述基片的標(biāo)記區(qū)域。6.一種物理氣相沉積方法，其特征在于，該方法包括：將基片傳送至物理氣相沉積機(jī)臺(tái)的機(jī)械轉(zhuǎn)動(dòng)腔體；使所述機(jī)械轉(zhuǎn)動(dòng)腔體內(nèi)的所述基片轉(zhuǎn)動(dòng)，并且在所述基片的轉(zhuǎn)動(dòng)角度滿足預(yù)設(shè)條件時(shí)，使所述基片停止轉(zhuǎn)動(dòng)；拍攝所述基片的圖像；當(dāng)所述基片的圖像和預(yù)設(shè)的標(biāo)準(zhǔn)圖像匹配時(shí)，將所述基片傳送至所述物理氣相沉積機(jī)臺(tái)...

【專利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員：王曉龍，袁素珺，沈時(shí)強(qiáng)，
申請(qǐng)(專利權(quán))人：上海新微技術(shù)研發(fā)中心有限公司，
類型：發(fā)明
國(guó)別省市：上海,31