一種直流電機驅(qū)動電路制造技術(shù)

本發(fā)明專利技術(shù)提供一種直流電機驅(qū)動電路，包括：輸出端連接第一電機和第二電機的H橋電路，用于控制第一電機和第二電機正轉(zhuǎn)、反轉(zhuǎn)和制動；用于控制H橋電路中H橋的導(dǎo)通或關(guān)閉的與非邏輯電路；隔離單片機控制電路和驅(qū)動電路的光耦隔離電路，保證單片機控制電路的穩(wěn)定；以及用于將高壓轉(zhuǎn)換成低壓供給光耦隔離電路、與非邏輯電路和H橋電路的電源電路。本發(fā)明專利技術(shù)的驅(qū)動電路使用灌電流驅(qū)動方式，支持絕大多數(shù)單片機直接驅(qū)動，采用大功率管H橋原理控制電機的正轉(zhuǎn)、反轉(zhuǎn)以及制動，而且還可以調(diào)節(jié)兩個直流電機的轉(zhuǎn)速，采用光電隔離，保證單片機控制電路的穩(wěn)定，解決了大功率直流電機的驅(qū)動問題，使直流電機能在各種場合安全穩(wěn)定高效的工作。

DC motor drive circuit

The invention provides a DC motor drive circuit, including: the output end is connected with the first motor and the second motor H bridge circuit is used to control the first and second motors are turning, braking and reverse; used to control the H bridge H bridge in the circuit on or off by a NAND logic circuit; isolation optocoupler circuit chip the control circuit and the drive circuit, the MCU control circuit to ensure the stability; and for high voltage into low-voltage supply optocopler isolation circuit, and logic circuit and H bridge circuit power supply circuit. The driving circuit of the invention by current driving mode, support the vast majority of SCM directly driven by high power H tube bridge principle control motor forward, reverse and braking, but also can adjust the two DC motor speed control circuit with photoelectric isolation, ensure the stability of monolithic machine, solving the problem of high power DC motor, the DC motor can be in a variety of occasions, safe and stable and efficient work.

【技術(shù)實現(xiàn)步驟摘要】
一種直流電機驅(qū)動電路
本專利技術(shù)涉及電機驅(qū)動
，特別是涉及一種直流電機驅(qū)動電路。
技術(shù)介紹
隨著國家科學(xué)技術(shù)的進步和社會機電自動化的逐步實現(xiàn)，越來越多的場合需要直流電機來帶動各個工業(yè)化流程，因為直流電機有著寬廣的調(diào)速范圍、較強的過載能力和較大的啟動轉(zhuǎn)矩等優(yōu)點，所以被廣泛用于電力機車、工礦機車、城市電車、電梯、機器人等，直流電機的大范圍使用就要求有功能強大、性能穩(wěn)定的驅(qū)動電路來支撐，現(xiàn)在的一些驅(qū)動電路存在著功率低下、功能不全、性能不穩(wěn)等不足，給直流電機的正常高效使用帶來很多不便，阻礙了機電一體化的快速發(fā)展。
技術(shù)實現(xiàn)思路
鑒于以上所述現(xiàn)有技術(shù)的缺點，本專利技術(shù)的目的在于提供一種直流電機驅(qū)動電路，用于解決現(xiàn)有技術(shù)中驅(qū)動電路功率低下、功能不全、性能不穩(wěn)等問題。為解決上述問題，本專利技術(shù)采用以下技術(shù)手段：一種直流電機驅(qū)動電路，連接一單片機控制電路，所述單片機控制電路輸出PWM控制信號控制第一電機和第二電機的運轉(zhuǎn)速度，所述直流電機驅(qū)動電路包括：H橋電路，輸出端連接所述第一電機和所述第二電機，用于控制所述第一電機和所述第二電機正轉(zhuǎn)、反轉(zhuǎn)和制動；與非邏輯電路，連接所述H橋電路，用于控制所述H橋電路中H橋的導(dǎo)通或關(guān)閉；光耦隔離電路，輸入端連接所述單片機控制電路，輸出端連接所述與非邏輯電路，用于隔離所述單片機控制電路和所述直流電機驅(qū)動電路，保證所述單片機控制電路的穩(wěn)定；電源電路，由蓄電池供電，分別與所述光耦隔離電路、所述與非邏輯電路和所述H橋電路連接，用于將高壓轉(zhuǎn)換成低壓供給所述光耦隔離電路、所述與非邏輯電路和所述H橋電路。于本專利技術(shù)的一實施方式中，所述光耦隔離電路主要包括：由發(fā)光二極管和光敏三極管耦接組成的光耦合器U4、U5、U6、U7、U9和U10；用于單向?qū)ǖ亩O管D11、D12、D7、D8、D9和D10；用作開關(guān)的三極管Q1、Q2、Q3、Q4、Q5和Q6；所述光耦合器U4、U5、U6、U7、U9和U10中的發(fā)光二極管的輸入端均串聯(lián)電阻后連接主控板電源，輸出端均接單片機信號輸出端；所述光耦合器U4、U5、U6、U7、U9和U10中的光敏三極管的集電極均接所述電源電路，發(fā)射極分別接電阻后接地，發(fā)射極還分別正向連接所述二極管D11、D12、D7、D8、D9和D10；所述二極管D11、D12、D7、D8、D9和D10的輸出端均串聯(lián)電阻后再分別連接所述三極管Q5、Q6、Q1、Q3、Q2和Q4的柵極，所述三極管Q5、Q6、Q1、Q3、Q2和Q4的發(fā)射極均接地，集電極均串聯(lián)電阻后接電源，集電極同時還串聯(lián)電阻后接所述與非邏輯電路和所述H橋電路；所述二極管D7的輸出端與所述二極管D9的輸出端連接；所述二極管D8的輸出端與所述二極管D10的輸出端連接。于本專利技術(shù)的一實施方式中，所述單片機信號輸出端接IDC10封裝接口，所述光耦合器U4中發(fā)光二極管的輸出端接所述IDC10封裝接口的引腳ENA；所述光耦合器U5中發(fā)光二極管的輸出端接所述IDC10封裝接口的引腳ENB；所述光耦合器U6中發(fā)光二極管的輸出端接所述IDC10封裝接口的引腳IN1；所述光耦合器U7中發(fā)光二極管的輸出端接所述IDC10封裝接口的引腳IN3；所述光耦合器U9中發(fā)光二極管的輸出端接所述IDC10封裝接口的引腳IN2；所述光耦合器U10中發(fā)光二極管的輸出端接所述IDC10封裝接口的引腳IN4；所述IDC10封裝接口的引腳GND接地。于本專利技術(shù)的一實施方式中，所述H橋電路包括：由P-MOS管Q8、P-MOS管Q9、N-MOS管Q13和N-MOS管Q14組成的第一H橋電路；由P-MOS管Q10、P-MOS管Q11、N-MOS管Q15和N-MOS管Q16組成的第二H橋電路；所述P-MOS管Q8和所述P-MOS管Q9的源極均接所述電源電路；所述P-MOS管Q8的漏極連接所述N-MOS管Q13的漏極，所述P-MOS管Q9的漏極連接所述N-MOS管Q14的漏極；所述N-MOS管Q13和所述N-MOS管Q14的源極均接地；所述P-MOS管Q8、所述P-MOS管Q9、所述N-MOS管Q13和所述N-MOS管Q14的柵極均連接所述與非邏輯電路；所述P-MOS管Q10和所述P-MOS管Q11的源極均接所述電源電路；所述P-MOS管Q10的漏極連接所述N-MOS管Q15的漏極，所述P-MOS管Q11的漏極連接所述N-MOS管Q16的漏極；所述N-MOS管Q15和所述N-MOS管Q16的源極均接地；所述P-MOS管Q10、所述P-MOS管Q11、所述N-MOS管Q15和所述N-MOS管Q16的柵極均連接所述與非邏輯電路。于本專利技術(shù)的一實施方式中，所述P-MOS管Q8的漏極與所述N-MOS管Q13的漏極之間連接所述第一電機的一端，所述P-MOS管Q9的漏極與所述N-MOS管Q14的漏極之間連接所述第一電機的另一端；所述P-MOS管Q10的漏極與所述N-MOS管Q15的漏極之間連接所述第二電機的一端，所述P-MOS管Q11的漏極與所述N-MOS管Q16的漏極之間連接所述第二電機的另一端。于本專利技術(shù)的一實施方式中，所述與非邏輯電路包括：邏輯芯片U1、邏輯芯片U2和邏輯芯片U3；所述邏輯芯片U1的引腳3接所述P-MOS管Q8的柵極，引腳6接所述P-MOS管Q9的柵極，引腳8接所述P-MOS管Q10的柵極，引腳11接所述P-MOS管Q11的柵極；所述邏輯芯片U1的引腳1與所述三極管Q1的集電極電阻相連，引腳2與所述三極管Q5的集電極電阻相連，引腳4與所述三極管Q2的集電極電阻相連，引腳13與所述三極管Q6的集電極電阻相連，引腳12與所述三極管Q4的集電極電阻相連，引腳9與所述三極管Q3的集電極電阻相連，引腳7接所述電源電路，引腳14外接電源；所述邏輯芯片U2的引腳3接所述N-MOS管Q13的柵極，引腳6接所述N-MOS管Q14的柵極，引腳8接所述N-MOS管Q15的柵極，引腳11接所述N-MOS管Q16的柵極；所述邏輯芯片U2的引腳2和引腳5相連后與所述邏輯芯片U3連接；所述邏輯芯片U2的引腳10、引腳13相連后接所述邏輯芯片U3，同時依次串聯(lián)兩個電阻后接地，且所述兩電阻之間連接所述二極管D8和所述二極管D10的輸出端；所述邏輯芯片U2的引腳4連接所述耦合器U6中光敏三極管的發(fā)射極，引腳9連接所述耦合器U7中光敏三極管的發(fā)射極，引腳4連接所述耦合器U9中光敏三極管的發(fā)射極，引腳12連接所述耦合器U10中光敏三極管的發(fā)射極；所述邏輯芯片U2的引腳14接所述電源電路，引腳7接地；所述邏輯芯片U3的引腳1和引腳2與所述邏輯芯片U2的引腳2、引腳5相連接，且所述邏輯芯片U3的引腳1和引腳2相連后依次串聯(lián)兩個電阻后接地，所述兩電阻之間連接所述二極管D7和所述二極管D9的輸出端；所述邏輯芯片U3的引腳4、引腳5與所述邏輯芯片U2的引腳10、引腳13相連；所述邏輯芯片U3的引腳3串聯(lián)電阻后連接所述二極管D11的輸出端，引腳6串聯(lián)電阻后連接所述二極管D12的輸出端，引腳14接所述電源電路，引腳7接地。于本專利技術(shù)的一實施方式中，所述邏輯芯片U1和所述邏輯芯片U3的型號均為74VHC00，所述邏輯芯片U2的型號為74VHC08。于本專利技術(shù)的一實施方式中，所述電源電路通過開關(guān)穩(wěn)壓集成電路轉(zhuǎn)換后連接所述邏輯芯片U2的本文檔來自技高網(wǎng)...

【技術(shù)保護點】
一種直流電機驅(qū)動電路，連接一單片機控制電路，所述單片機控制電路輸出PWM控制信號控制第一電機和第二電機的運轉(zhuǎn)速度，其特征在于，所述直流電機驅(qū)動電路包括：H橋電路，輸出端連接所述第一電機和所述第二電機，用于控制所述第一電機和所述第二電機正轉(zhuǎn)、反轉(zhuǎn)和制動；與非邏輯電路，連接所述H橋電路，用于控制所述H橋電路中H橋的導(dǎo)通或關(guān)閉；光耦隔離電路，輸入端連接所述單片機控制電路，輸出端連接所述與非邏輯電路，用于隔離所述單片機控制電路和所述直流電機驅(qū)動電路，保證所述單片機控制電路的穩(wěn)定；電源電路，分別與所述光耦隔離電路、所述與非邏輯電路和所述H橋電路連接，用于將高壓轉(zhuǎn)換成低壓供給所述光耦隔離電路、所述與非邏輯電路和所述H橋電路。

【技術(shù)特征摘要】
1.一種直流電機驅(qū)動電路，連接一單片機控制電路，所述單片機控制電路輸出PWM控制信號控制第一電機和第二電機的運轉(zhuǎn)速度，其特征在于，所述直流電機驅(qū)動電路包括：H橋電路，輸出端連接所述第一電機和所述第二電機，用于控制所述第一電機和所述第二電機正轉(zhuǎn)、反轉(zhuǎn)和制動；與非邏輯電路，連接所述H橋電路，用于控制所述H橋電路中H橋的導(dǎo)通或關(guān)閉；光耦隔離電路，輸入端連接所述單片機控制電路，輸出端連接所述與非邏輯電路，用于隔離所述單片機控制電路和所述直流電機驅(qū)動電路，保證所述單片機控制電路的穩(wěn)定；電源電路，分別與所述光耦隔離電路、所述與非邏輯電路和所述H橋電路連接，用于將高壓轉(zhuǎn)換成低壓供給所述光耦隔離電路、所述與非邏輯電路和所述H橋電路。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種直流電機驅(qū)動電路，其特征在于，所述光耦隔離電路主要包括：由發(fā)光二極管和光敏三極管耦接組成的光耦合器U4、U5、U6、U7、U9和U10；用于單向?qū)ǖ亩O管D11、D12、D7、D8、D9和D10；用作開關(guān)的三極管Q1、Q2、Q3、Q4、Q5和Q6；所述光耦合器U4、U5、U6、U7、U9和U10中的發(fā)光二極管的輸入端均串聯(lián)電阻后連接主控板電源，輸出端均接單片機信號輸出端；所述光耦合器U4、U5、U6、U7、U9和U10中的光敏三極管的集電極均接所述電源電路，發(fā)射極分別接電阻后接地，發(fā)射極還分別正向連接所述二極管D11、D12、D7、D8、D9和D10；所述二極管D11、D12、D7、D8、D9和D10的輸出端均串聯(lián)電阻后再分別連接所述三極管Q5、Q6、Q1、Q3、Q2和Q4的柵極，所述三極管Q5、Q6、Q1、Q3、Q2和Q4的發(fā)射極均接地，集電極均串聯(lián)電阻后外接電源，集電極同時還串聯(lián)電阻后接所述與非邏輯電路和所述H橋電路；所述二極管D7的輸出端與所述二極管D9的輸出端連接；所述二極管D8的輸出端與所述二極管D10的輸出端連接。3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種直流電機驅(qū)動電路，其特征在于，所述單片機信號輸出端接IDC10封裝接口，所述光耦合器U4中發(fā)光二極管的輸出端接所述IDC10封裝接口的引腳ENA；所述光耦合器U5中發(fā)光二極管的輸出端接所述IDC10封裝接口的引腳ENB；所述光耦合器U6中發(fā)光二極管的輸出端接所述IDC10封裝接口的引腳IN1；所述光耦合器U7中發(fā)光二極管的輸出端接所述IDC10封裝接口的引腳IN3；所述光耦合器U9中發(fā)光二極管的輸出端接所述IDC10封裝接口的引腳IN2；所述光耦合器U10中發(fā)光二極管的輸出端接所述IDC10封裝接口的引腳IN4；所述IDC10封裝接口的引腳GND接地。4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種直流電機驅(qū)動電路，其特征在于，所述H橋電路包括：由P-MOS管Q8、P-MOS管Q9、N-MOS管Q13和N-MOS管Q14組成的第一H橋電路；由P-MOS管Q10、P-MOS管Q11、N-MOS管Q15和N-MOS管Q16組成的第二H橋電路；所述P-MOS管Q8和所述P-MOS管Q9的源極均接所述電源電路；所述P-MOS管Q8的漏極接所述N-MOS管Q13的漏極，所述P-MOS管Q9的漏極接所述N-MOS管Q14的漏極；所述N-MOS管Q13和所述N-MOS管Q14的源極均接地；所述P-MOS管Q8、所述P-MOS管Q9、所述N-MOS管Q13和所述N-MOS管Q14的柵極均接所述與非邏輯電路；所述P-MOS管Q10和所述P-MOS管Q11的源極均接所述電源電路；所述P-MOS管Q10的漏極接所述N-MOS管Q15的漏極，所述P-MOS管Q11的漏極接所述N-MOS管Q1...

【專利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員：金會慶，宋揚，嚴維平，沈武，高鵬飛，孫靜松，
申請(專利權(quán))人：安徽三聯(lián)機器人科技有限公司，
類型：發(fā)明
國別省市：安徽,34