一種用于化學(xué)氣相沉積工藝的舉升托棒制造技術(shù)

本實(shí)用新型專利技術(shù)提供一種用于化學(xué)氣相沉積工藝的舉升托棒，包括固定柱和支撐頭；支撐頭位于固定柱的上方；支撐頭的上表面設(shè)有凸點(diǎn)陣列；凸點(diǎn)陣列由球形凸起組成。本實(shí)用新型專利技術(shù)提供的用于化學(xué)氣相沉積工藝的舉升拖棒，通過在支撐頭的上表面設(shè)置凸點(diǎn)陣列，減少舉升托棒與芯片或者玻璃基板的接觸面積，使得化學(xué)氣相沉積時(shí)，芯片或者玻璃基板溫度分布均勻。使用本實(shí)用新型專利技術(shù)提供的用于化學(xué)氣相沉積工藝的舉升拖棒，芯片或者玻璃基板的薄膜沉積層的膜厚均勻，不存在環(huán)狀沉積膜圈的異常情況。

Lifting support rod for chemical vapor deposition process

The utility model provides a lift for chemical vapor deposition process supporting rods, including fixed columns and support head; head support is located above the fixed column; the support head is arranged on the upper surface of the bump array; bump array composed of spherical convex form. The utility model provides a chemical vapor deposition process used to lift drag rod, through bump array formed on the surface of the supporting head, reduces the contact area of the supporting bars and lifting the chip or glass substrate, the chemical vapor deposition, chip or glass substrate temperature distribution. The film thickness of the film deposition layer of the chip or glass substrate provided by the utility model is uniform for the chemical vapor deposition process, and the abnormal condition of the annular deposition film ring is not existed.

【技術(shù)實(shí)現(xiàn)步驟摘要】
一種用于化學(xué)氣相沉積工藝的舉升托棒
本技術(shù)實(shí)施例涉及化學(xué)沉積生產(chǎn)工藝設(shè)備技術(shù)，特別涉及一種用于化學(xué)氣相沉積工藝的舉升托棒。
技術(shù)介紹
化學(xué)氣相沉積是一種制備材料的氣相生長方法，它是把一種或幾種含有構(gòu)成薄膜元素的化合物、單質(zhì)氣體通入放置有基材的反應(yīng)室，借助空間氣相化學(xué)反應(yīng)在基體表面上沉積固態(tài)薄膜的工藝技術(shù)。現(xiàn)有技術(shù)中，用于集成電路與薄膜電晶體液晶顯示器薄膜沉積工藝中的舉升托棒主要分為兩種，其中一種是整支由陶瓷(如：氧化鋁或氧化鋯)加工制作而得，利用舉升托棒支撐頭的平面來支撐芯片或玻璃基板；另一種則是在陶瓷主體上鑲?cè)胍粋€(gè)經(jīng)過陽極絕緣處理過的鋁金屬支撐頭，并用鉚釘將兩者組合固定而組成，也是利用托棒支撐頭的平面來支撐芯片或玻璃基板。上述兩種現(xiàn)有技術(shù)都會(huì)因?yàn)樵诟邷氐入x子環(huán)境下因?yàn)橥袚晤^的聚熱與散熱不良，造成支撐頭與芯片或玻璃基板接觸面四周的玻璃基板上的溫度不一致，進(jìn)一步造成薄膜沉積速度與沒有托住的位置不一致，并產(chǎn)生環(huán)狀沉積膜圈的異常狀況。另一方便，使用第二種經(jīng)過陽極絕緣處理過的金屬鋁頭配上陶瓷棒組合后使用，雖然金屬鋁的導(dǎo)熱較好，可以改善環(huán)狀的沉積膜異常狀況，但是鋁材質(zhì)在高溫環(huán)境中容易變形，因此使用壽命短。
技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路
為解決上述問題，本技術(shù)提供一種用于化學(xué)氣相沉積工藝的舉升托棒，包括固定柱和支撐頭；所述支撐頭位于所述固定柱的上方；所述支撐頭的上表面設(shè)有凸點(diǎn)陣列；所述凸點(diǎn)陣列由球形凸點(diǎn)起組成。進(jìn)一步地，所述固定柱和所述支撐頭均由碳化硅，氮化鋁或者氮化硅中的其中一種材料制成。本技術(shù)提供的用于化學(xué)氣相沉積工藝的舉升拖棒，通過在支撐頭的上表面設(shè)置凸點(diǎn)陣列，減少舉升托棒與芯片或者玻璃基板的接觸面積，使得化學(xué)氣相沉積時(shí)，芯片或者玻璃基板溫度分布均勻。使用本技術(shù)提供的用于化學(xué)氣相沉積工藝的舉升拖棒，芯片或者玻璃基板的薄膜沉積層的膜厚均勻，不存在環(huán)狀沉積膜圈的異常情況。附圖說明為了更清楚地說明本技術(shù)實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對(duì)實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作一簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖是本技術(shù)的一些實(shí)施例，對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)性的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。圖1為本技術(shù)提供的用于化學(xué)氣相沉積工藝的舉升托棒結(jié)構(gòu)示意圖。附圖標(biāo)記：10固定柱20支撐頭30球形凸起具體實(shí)施方式為使本技術(shù)實(shí)施例的目的、技術(shù)方案和優(yōu)點(diǎn)更加清楚，下面將結(jié)合本技術(shù)實(shí)施例中的附圖，對(duì)本技術(shù)實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實(shí)施例是本技術(shù)一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例。基于本技術(shù)中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有作出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所獲得的所有其他實(shí)施例，都屬于本技術(shù)保護(hù)的范圍。圖1為本技術(shù)提供的用于化學(xué)氣相沉積工藝的舉升托棒結(jié)構(gòu)示意圖，如圖1所示：用于化學(xué)氣相沉積工藝的舉升托棒，包括固定柱10和支撐頭20；所述支撐頭20位于所述固定柱10的上方；所述支撐頭20的上表面設(shè)有凸點(diǎn)陣列；所述凸點(diǎn)陣列由球形凸起30組成。具體實(shí)施時(shí)，在舉升拖棒上設(shè)置固定柱10，用于將支撐頭20固定于升降機(jī)構(gòu)上；在支撐頭20的上表面設(shè)置由球形凸起30組成的凸點(diǎn)陣列，多個(gè)球形凸起30的頂點(diǎn)形成平面，支撐頭20支撐芯片或者玻璃基板時(shí)，支撐頭20與芯片或者玻璃基板的接觸面積較小，使得化學(xué)氣相沉積時(shí)，芯片或者玻璃基板溫度分布均勻；另一方面，支撐頭20能穩(wěn)定地支撐住芯片或者玻璃基板。本技術(shù)提供的用于化學(xué)氣相沉積工藝的舉升拖棒，通過在支撐頭的上表面設(shè)置凸點(diǎn)陣列，多個(gè)球形凸起的頂點(diǎn)形成平面，支撐頭支撐芯片或者玻璃基板時(shí)，舉升托棒與芯片或者玻璃基板的接觸面積較小，使得化學(xué)氣相沉積時(shí)，芯片或者玻璃基板溫度分布均勻。使用本技術(shù)提供的用于化學(xué)氣相沉積工藝的舉升拖棒，芯片或者玻璃基板的薄膜沉積層的膜厚均勻，不存在環(huán)狀沉積膜圈的異常情況。優(yōu)選地，所述固定柱10和所述支撐頭20均由碳化硅，氮化鋁或者氮化硅中的其中一種材料一體加工制成。具體實(shí)施時(shí)，氮化鋁的導(dǎo)熱系數(shù)為180W/m·k～260W/m·k，碳化硅與氮化硅的導(dǎo)熱系數(shù)為230W/m·k，這三種陶瓷材料的導(dǎo)熱性能較好，且陶瓷材料可作鏡面拋光處理，耐磨性好，長期使用，支撐頭20表面的球形凸起30不會(huì)產(chǎn)生變形及毛刺，不會(huì)刮傷芯片或者玻璃基板。盡管本文中較多的使用了諸如固定柱，支撐頭，球形凸起等術(shù)語，但是并不排除使用其它術(shù)語的可能性。使用這些術(shù)語僅僅是為了更方便地描述和解釋本技術(shù)的本質(zhì)；把它們解釋成任何一種附加的限制都是與本技術(shù)精神相違背的。最后應(yīng)說明的是：以上各實(shí)施例僅用以說明本技術(shù)的技術(shù)方案，而非對(duì)其限制；盡管參照前述各實(shí)施例對(duì)本技術(shù)進(jìn)行了詳細(xì)的說明，本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)理解：其依然可以對(duì)前述各實(shí)施例所記載的技術(shù)方案進(jìn)行修改，或者對(duì)其中部分或者全部技術(shù)特征進(jìn)行等同替換；而這些修改或者替換，并不使相應(yīng)技術(shù)方案的本質(zhì)脫離本技術(shù)各實(shí)施例技術(shù)方案的范圍。本文檔來自技高網(wǎng)...

【技術(shù)保護(hù)點(diǎn)】
一種用于化學(xué)氣相沉積工藝的舉升托棒，其特征在于：包括固定柱(10)和支撐頭(20)；所述支撐頭(20)位于所述固定柱(10)的上方；所述支撐頭(20)的上表面設(shè)有凸點(diǎn)陣列；所述凸點(diǎn)陣列由球形凸起(30)組成。

【技術(shù)特征摘要】
1.一種用于化學(xué)氣相沉積工藝的舉升托棒，其特征在于：包括固定柱(10)和支撐頭(20)；所述支撐頭(20)位于所述固定柱(10)的上方；所述支撐頭(20)的上表面設(shè)有凸點(diǎn)陣列；所述凸點(diǎn)陣...

【專利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員：賀照綱，
申請(qǐng)(專利權(quán))人：鋐源光電科技廈門有限公司，
類型：新型
國別省市：福建,35