一種物理化學氣相沉積裝置制造方法及圖紙

本實用新型專利技術公開了一種物理化學氣相沉積裝置，包括真空沉積室、通氣裝置和加熱裝置，所述加熱裝置由上加熱器和下加熱器構成，所述上加熱器位于所述真空沉積室頂部，所述下加熱器位于所述上加熱器正下方，所述下加熱器與所述真空沉積室底表面之間設有一調節升降裝置，所述上加熱器下表面上設有一襯底基片夾，所述上加熱器由上加熱元件和上溫控器構成，所述下加熱器由下加熱元件和下溫控器構成，所述下加熱元件上表面中部設有一向下凹陷的加料槽。本實用新型專利技術通過優化設計，具有加熱控制性能好、使用方便、調整精度高的特點。

A physical chemical vapor deposition device

The utility model discloses a chemical vapor deposition device comprises a vacuum deposition chamber, ventilation device and a heating device, the heating device is composed of a heater and heater, the heater is positioned in the vacuum deposition chamber at the top, the heater is positioned on the upper heater just below the lower. The heater and the vacuum deposition chamber between the bottom surface is provided with an adjusting lifting device, wherein the heater is provided with a lower surface of the substrate holder, the heater from the heating element and temperature controller, the heater by heating element and temperature controller, the central heating surface element is provided with a concave trough. The utility model has the advantages of good heating control performance, convenient operation and high adjustment precision through the optimized design.

【技術實現步驟摘要】
一種物理化學氣相沉積裝置
本技術涉及應用儀器設備
，特別涉及一種物理化學氣相沉積裝置，適合于制備高質量、高性能鎂B2超導膜。
技術介紹
目前，制備超導薄膜的方法很多，如激光沉積、濺射、分子束外延等，但大多數方法都只能制備單層超導薄膜，單層超導薄膜一般只能用來制備超導導線，其用途比較單一，而多層超導薄膜可以用來制作超導器件或集成電路等，用途十分廣泛。中國專利號CN200610201503.0公開了一種“雙加熱裝置及其化學氣相沉積法制備多層超導薄膜工藝”，具有裝置結構簡單，容易操作，成本低廉的特點，同時便于制備大面積多層超導薄膜，利于實際應用，然而其在制造生產過程中，將鎂錠放置在鎂錠加熱器上，鎂錠通常為塊狀結構，導致其加熱蒸發效果較差，采用平面置放影響了整體的加熱效果，且底部采用螺桿調節，存在調整精度不足，影響整體生產質量的把控。
技術實現思路
本技術解決上述不足，提供了一種物理化學氣相沉積裝置，具有加熱控制性能好、使用方便、調整精度高的特點。本技術所解決的技術問題可以采用以下技術方案來實現：一種物理化學氣相沉積裝置，包括真空沉積室、通氣裝置和加熱裝置，所述加熱裝置由上加熱器和下加熱器構成，所述上加熱器位于所述真空沉積室頂部，所述下加熱器位于所述上加熱器正下方，所述下加熱器與所述真空沉積室底表面之間設有一調節升降裝置，所述上加熱器下表面上設有一襯底基片夾，所述上加熱器由上加熱元件和上溫控器構成，所述下加熱器由下加熱元件和下溫控器構成，所述上加熱元件采用鉬金屬材料制成，所述上加熱元件下表面為拋光平面結構，所述下加熱元件采用石墨材料制成，所述下加熱元件上表面中部設有一向下凹陷的加料槽，所述加料槽底部采用圓形平底結構，所述加料槽槽壁采用圓錐壁結構。所述調節升降裝置包括一基座法蘭，所述基座法蘭與所述下加熱器下部固定安裝，所述基座法蘭下部連接設有一升降絲杠，所述升降絲桿底部貫穿所述真空沉積室并連接一驅動渦輪，所述驅動渦輪連接一轉動手柄，所述驅動渦輪外表面上刻有標尺。所述升降絲杠與所述真空沉積室之間設有一密封殼。所述襯底基片夾采用鉬片夾。本技術通過與現有技術相比具有如下有益效果：本技術通過優化設計，具有加熱控制性能好、使用方便、調整精度高的特點。本技術的特點可參閱本案圖式及以下較好實施方式的詳細說明而獲得清楚地了解。附圖說明圖1為本技術的整體結構示意圖；圖2為本技術的下加熱元件俯視結構示意圖。具體實施方式為了使本技術實現的技術手段、創作特征、達成目的與功效易于明白了解，下面結合具體圖示，進一步闡述本技術。如圖1至圖2所示，本技術提供的一種物理化學氣相沉積裝置，包括真空沉積室1、通氣裝置和加熱裝置，通氣裝置包括氣源8、通氣管路4、氣體混合器9及液氮冷阱5，氣源8包括若干用于供反應用氣氛的高純氣罐83，若干高純氣罐83包括Ar高純氣罐、H2高純氣罐和B2H6高純氣罐，高純氣罐83通過通氣管路4與氣體混合器9貫通連接，其之間設有控制閥門82和流量計81，方便工藝調整設定，氣體混合器9與液氮冷阱5之間連接通氣管路4，液氮冷阱5與真空沉積室1之間通設有通氣管路4，方便完成氣氛供應，真空沉積室1還連接一真空抽氣泵6，加熱裝置由上加熱器2和下加熱器3構成，采用雙加熱模式，提高對襯底基片和鎂蒸氣壓的獨立控制，降低工藝生產難度，提高工藝可控性，上加熱器2位于真空沉積室1頂部，下加熱器3位于上加熱器2正下方，下加熱器3與真空沉積室1底表面之間設有一調節升降裝置7，有利于下加熱器3位置的調整，提高調控精度，上加熱器2下表面上設有一襯底基片夾211，方便襯底基片固定安裝，上加熱器2由上加熱元件21和上溫控器22構成，下加熱器3由下加熱元件31和下溫控器32構成，上加熱元件21采用鉬金屬材料制成，上加熱元件21下表面為拋光平面結構，下加熱元件31采用石墨材料制成，鉬金屬材料和石墨材料在高溫下具有良好的穩定性，不易揮發，不會對超導薄膜沉積生長產生不利影響，上溫控器22和下溫控器32分別采用SR-93型溫度控制器進行控溫，提高整體控溫效果，下加熱元件31上表面中部設有一向下凹陷的加料槽311，加料槽311底部采用圓形平底結構，加料槽311槽壁采用圓錐壁結構，優化該結構設計，方便鎂顆粒的放置，同時有利于對鎂顆粒進行加熱，提高鎂顆粒的蒸發效果。進一步，本技術調節升降裝置7包括一基座法蘭71，基座法蘭71與下加熱器3下部固定安裝，基座法蘭71下部連接設有一升降絲杠72，升降絲桿72底部貫穿真空沉積室1并連接一驅動渦輪74，驅動渦輪74連接一轉動手柄75，驅動渦輪74外表面上刻有標尺，通過轉動手柄75完成對驅動渦輪74的驅動，通過驅動渦輪74與升降絲杠72的配合完成對升降絲杠72上升或下降的調節，提高了調整的便捷性，有利于對下加熱器3完成位置的調整。進一步，本技術升降絲杠72與真空沉積室1之間設有一密封殼73，提高密封效果，方便升降絲杠72的安裝。進一步，本技術襯底基片夾211采用鉬片夾，有利于熱傳導，同時方便襯底基片的安裝固定。本技術優化了上加熱元件21和下加熱元件31，提高整體的加熱性能，同時方便襯底基片固定，設置加料槽311方便放置鎂顆粒，采用鎂顆粒，可以提高整體的蒸發效果，提高反應效率，增強沉積效果，增設調節升降裝置7，方便下加熱器3的位置調整，有利于襯底基片沉積利用混合物理化學氣相沉法生成超導薄膜，具有結構設計合理、使用性能好的特點。由技術常識可知，本技術可以通過其它的不脫離其精神實質或必要特征的實施方案來實現。因此，上述公開的實施方案，就各方面而言，都只是舉例說明，并不是僅有的。所有在本技術范圍內或在等同于本技術的范圍內的改變均被本技術包含。本文檔來自技高網...

【技術保護點】
一種物理化學氣相沉積裝置，包括真空沉積室、通氣裝置和加熱裝置，其特征在于：所述加熱裝置由上加熱器和下加熱器構成，所述上加熱器位于所述真空沉積室頂部，所述下加熱器位于所述上加熱器正下方，所述下加熱器與所述真空沉積室底表面之間設有一調節升降裝置，所述上加熱器下表面上設有一襯底基片夾，所述上加熱器由上加熱元件和上溫控器構成，所述下加熱器由下加熱元件和下溫控器構成，所述上加熱元件采用鉬金屬材料制成，所述上加熱元件下表面為拋光平面結構，所述下加熱元件采用石墨材料制成，所述下加熱元件上表面中部設有一向下凹陷的加料槽，所述加料槽底部采用圓形平底結構，所述加料槽槽壁采用圓錐壁結構。

【技術特征摘要】
1.一種物理化學氣相沉積裝置，包括真空沉積室、通氣裝置和加熱裝置，其特征在于：所述加熱裝置由上加熱器和下加熱器構成，所述上加熱器位于所述真空沉積室頂部，所述下加熱器位于所述上加熱器正下方，所述下加熱器與所述真空沉積室底表面之間設有一調節升降裝置，所述上加熱器下表面上設有一襯底基片夾，所述上加熱器由上加熱元件和上溫控器構成，所述下加熱器由下加熱元件和下溫控器構成，所述上加熱元件采用鉬金屬材料制成，所述上加熱元件下表面為拋光平面結構，所述下加熱元件采用石墨材料制成，所述下加熱元件上表面中部設有一向下凹陷的加料槽，所述加料槽底...

【專利技術屬性】
技術研發人員：劉金，任列香，薛金輝，武國興，
申請(專利權)人：呂梁學院，
類型：新型
國別省市：山西,14