OLED像素版圖以及OLED器件的制造方法技術(shù)

本發(fā)明專利技術(shù)提供了一種OLED像素版圖以及OLED器件的制造方法，其中，OLED像素版圖包括：開關(guān)晶體管、驅(qū)動晶體管，存儲電容、有機發(fā)光二極管、掃描線、數(shù)據(jù)線和電源線；開關(guān)晶體管、驅(qū)動晶體管，存儲電容、有機發(fā)光二極管、掃描線、數(shù)據(jù)線和電源線之間電性連接；其中，開關(guān)晶體管的漏極處開設(shè)有第一通孔，驅(qū)動晶體管的柵極通過第一通孔與開關(guān)晶體管的漏極連接。在本發(fā)明專利技術(shù)提供的OLED像素版圖以及OLED器件的制造方法中，采用新型的像素版圖，在制作OLED器件時只需開設(shè)一通孔以暴露出開關(guān)晶體管的漏極，驅(qū)動晶體管的柵極直接通過該通孔與開關(guān)晶體管的漏極連接，從而減少了一個接觸孔和一條金屬走線的面積，因此像素的面積得以縮小，進而提高顯示器的分辨率。

OLED pixel layout and manufacturing method of OLED device

The invention provides a OLED pixel layout and manufacturing method of OLED device in which a OLED pixel layout includes: a switching transistor, a driving transistor, capacitor, organic light-emitting diodes, scanning lines, data lines and power line; a switching transistor, a driving transistor storage capacitor, organic light-emitting diodes, scanning lines, data lines and power line electrically connected between the switching transistor; the drain electrode is provided with a first through hole, the gate of the drive transistor is connected through the first through hole and the switching transistor leakage. OLED pixel layout provided in this invention and a method of manufacturing OLED devices, using the pixel layout model, in the production of OLED devices only when the drain is provided with a through hole to expose the switching transistor, the gate of the drive transistor directly through the through hole and the switching transistor has a drain connected, thereby reducing a the contact hole and a metal wire area, so the pixel area is reduced, thereby improving the display resolution.

【技術(shù)實現(xiàn)步驟摘要】
OLED像素版圖以及OLED器件的制造方法
本專利技術(shù)涉及顯示器
，特別涉及一種OLED像素版圖以及OLED器件的制造方法。
技術(shù)介紹
隨著信息社會的發(fā)展，人們對顯示設(shè)備的需求日益增長。為了滿足這種要求，各種平板顯示裝置如薄膜晶體管液晶顯示器(TFT-LCD)、等離子體顯示器(PDP)、有機發(fā)光顯示器(OLED)都得到了迅猛的發(fā)展。在平板顯示器當中，有機發(fā)光顯示器(OLED)具有主動發(fā)光、對比度高、響應(yīng)速度快、輕薄等諸多優(yōu)點，正在逐步占據(jù)平板顯示的主導(dǎo)地位。目前，有機發(fā)光顯示器(OLED)已經(jīng)廣泛應(yīng)用于手機、電視、電腦以及智能手表等各種高性能顯示領(lǐng)域中。請參考圖1，其為現(xiàn)有技術(shù)的有機發(fā)光顯示器的像素電路圖。如圖1所示，在現(xiàn)有的有機發(fā)光顯示器中，最基本的像素電路10包括開關(guān)晶體管T1、驅(qū)動晶體管T2和存儲電容Cs，所述開關(guān)晶體管T1的柵極與掃描線Sn連接，所述開關(guān)晶體管T1的源極與數(shù)據(jù)線Dm連接，所述驅(qū)動晶體管T2的柵極、開關(guān)晶體管T1的漏極和存儲電容Cs的第一基板均連接于第一節(jié)點N1，所述驅(qū)動晶體管T2的源極和存儲電容Cs的第二基板均與第一電源ELVDD連接，所述驅(qū)動晶體管T2的漏極與所述有機發(fā)光二極管OLED的陽極連接，所述有機發(fā)光二極管OLED的陰極與第二電源ELVSS連接。通過掃描線Sn打開所述開關(guān)晶體管T1時，數(shù)據(jù)線Dm提供的數(shù)據(jù)電壓Vdata經(jīng)由所述開關(guān)晶體管T1存儲到存儲電容Cs，從而控制所述驅(qū)動晶體管T2產(chǎn)生電流，以驅(qū)動所述有機發(fā)光二極管OLED發(fā)光。在有機發(fā)光顯示器的像素版圖(即像素元件如有機發(fā)光二極管OLED、開關(guān)晶體管T1、驅(qū)動晶體管T2及存儲電容Cs的空間結(jié)構(gòu)關(guān)系)中，由于開關(guān)晶體管T1的漏極和驅(qū)動晶體管T2的柵極連接，因此在開關(guān)晶體管T1的漏極和驅(qū)動晶體管T2的柵極的分別設(shè)置了接觸孔，并通過一金屬走線連接。由此可見，現(xiàn)有的像素版圖的面積包括上述2個接觸孔以及金屬走線的面積。基于現(xiàn)有的工藝條件，有機發(fā)光顯示器的分辨率已經(jīng)難以提高。目前，有機發(fā)光顯示器的分辨率一般在250PPI以下，已經(jīng)無法滿足人們對于高分辨率顯示器的追求。其中，PPI表示每英寸所擁有的像素數(shù)目，PPI數(shù)值越高，代表顯示器能夠以越高的像素密度顯示圖像。基此，如何解決現(xiàn)有的有機發(fā)光顯示器的分辨率低的問題，成了本領(lǐng)域技術(shù)人員亟待解決的一個技術(shù)問題。
技術(shù)實現(xiàn)思路
本專利技術(shù)的目的在于提供一種有機發(fā)光顯示器的分辨率低的問題。為解決上述技術(shù)問題，本專利技術(shù)提供一種OLED像素版圖，所述OLED像素版圖包括：開關(guān)晶體管、驅(qū)動晶體管，存儲電容、有機發(fā)光二極管、掃描線、數(shù)據(jù)線和電源線；所述開關(guān)晶體管、驅(qū)動晶體管，存儲電容、有機發(fā)光二極管、掃描線、數(shù)據(jù)線和電源線之間電性連接；其中，所述開關(guān)晶體管的漏極處的柵極絕緣層上開設(shè)有第一通孔，所述驅(qū)動晶體管的柵極通過所述第一通孔與所述開關(guān)晶體管的漏極連接。可選的，在所述的OLED像素版圖中，所述開關(guān)晶體管的柵極和源極分別與所述掃描線和數(shù)據(jù)線連接，所述驅(qū)動晶體管的源極與所述電源線連接，所述驅(qū)動晶體管的漏極與所述發(fā)光二極管的陽極連接，所述發(fā)光二極管的陰極接地，所述存儲電容的第一電極與所述開關(guān)晶體管和驅(qū)動晶體管的公共端連接，所述存儲電容的第二電極與電源線連接。相應(yīng)的，本專利技術(shù)還提供一種OLED器件的制造方法，所述OLED器件的制造方法包括：提供一襯底，并在所述襯底上依次形成緩沖層和硅島；在所述硅島以及未被所述硅島覆蓋的緩沖層上形成柵絕緣層，并在所述柵絕緣層中開設(shè)第一通孔，所述第一通孔的底部暴露出所述開關(guān)晶體管的漏極；在所述柵絕緣層上分別形成開關(guān)晶體管的柵極、驅(qū)動晶體管的柵極、掃描線以及存儲電容的第一電極，所述驅(qū)動晶體管的柵極通過所述第一通孔與所述開關(guān)晶體管的漏極連接；在所述開關(guān)晶體管的柵極、掃描線、存儲電容的第一電極以及驅(qū)動晶體管的柵極上形成第一層間絕緣層，并在所述第一層間絕緣層中開設(shè)第二通孔，所述第二通孔的底部暴露出所述開關(guān)晶體管的源極；在所述第一層間絕緣層上形成所述數(shù)據(jù)線和存儲電容的第二電極，所述數(shù)據(jù)線通過所述第二通孔與所述開關(guān)晶體管的源極導(dǎo)通；在所述數(shù)據(jù)線和存儲電容的第二電極以及未被所述數(shù)據(jù)線和存儲電容的第二電極覆蓋的第一層間絕緣層上形成第二層間絕緣層，并在所述第二層間絕緣層中開設(shè)第三通孔，所述第三通孔的底部暴露出所述驅(qū)動晶體管的源極和存儲電容的第二電極；在所述第二層間絕緣層上形成相鄰像素版圖的數(shù)據(jù)線；在所述數(shù)據(jù)線以及未被數(shù)據(jù)線覆蓋的第二層間絕緣層上形成鈍化絕緣層，并在在所述鈍化絕緣層中開設(shè)第四通孔和第五通孔，所述第四通孔的底部暴漏出所述驅(qū)動晶體管的漏極，所述第五通孔的底部暴漏出所述驅(qū)動晶體管的源極和存儲電容的第二電極；以及在所述鈍化絕緣層上形成發(fā)光二極管的陽極和電源線，所述發(fā)光二極管的陽極通過所述第四通孔與所述驅(qū)動晶體管的漏極導(dǎo)通，所述電源線通過所述第五通孔與驅(qū)動晶體管的源極和存儲電容的第二電極連接。可選的，在所述的OLED器件的制造方法中，所述第一層間絕緣層和第二層間絕緣層采用的材料均為氮化硅。可選的，在所述的OLED器件的制造方法中，所述柵絕緣層和鈍化絕緣層采用的材料均為氮化硅。可選的，在所述的OLED器件的制造方法中，形成硅島的過程包括：采用化學(xué)氣相沉積工藝在所述緩沖層上形成一非晶硅層；將所述非晶硅層轉(zhuǎn)化成多晶硅層；對所述多晶硅層進行光刻工藝以形成硅島；以及對所述硅島進行離子注入。可選的，在所述的OLED器件的制造方法中，將所述非晶硅層轉(zhuǎn)化成多晶硅層的工藝方法為準分子激光退火、固相晶化或金屬誘導(dǎo)結(jié)晶。可選的，在所述的OLED器件的制造方法中，所述緩沖層采用的材料為氮化硅或氧化硅。可選的，在所述的OLED器件的制造方法中，在所述鈍化絕緣層上形成發(fā)光二極管的陽極的過程包括：在所述鈍化絕緣層上形成一透明電極層；對所述透明電極層采用光刻工藝以形成發(fā)光二極管的陽極。可選的，在所述的OLED器件的制造方法中，所述透明電極層采用的材料為氧化銦錫或氧化銦鋅。在本專利技術(shù)實施例提供的OLED像素版圖以及OLED器件的制造方法中，采用新型的像素版圖，在制作OLED器件時只需開設(shè)一通孔以暴露出開關(guān)晶體管的漏極，驅(qū)動晶體管的柵極直接通過該通孔與所述開關(guān)晶體管的漏極連接，從而減少了一個接觸孔和一條金屬走線的面積，因此像素的面積得以縮小，進而提高顯示器的分辨率。附圖說明圖1是現(xiàn)有技術(shù)的有機發(fā)光顯示器的像素電路圖；圖2是本專利技術(shù)實施例的有機發(fā)光顯示器的像素版圖的結(jié)構(gòu)示意圖；圖3a至圖3j是本專利技術(shù)實施例的OLED器件的制造方法的各步驟的器件的結(jié)構(gòu)示意圖。具體實施方式以下結(jié)合附圖和具體實施例對本專利技術(shù)提出的OLED像素版圖以及OLED器件的制造方法作進一步詳細說明。根據(jù)下面說明和權(quán)利要求書，本專利技術(shù)的優(yōu)點和特征將更清楚。需說明的是，附圖均采用非常簡化的形式且均使用非精準的比例，僅用以方便、明晰地輔助說明本專利技術(shù)實施例的目的。請參考圖2，其為本專利技術(shù)實施例的有機發(fā)光顯示器的像素版圖的結(jié)構(gòu)示意圖。如圖2所示，所述OLED像素版圖100包括：開關(guān)晶體管T1、驅(qū)動晶體管T2，存儲電容Cs、有機發(fā)光二極管OLED、掃描線Sn、數(shù)據(jù)線Dm和電源線VDD；所述開關(guān)晶體管T1、驅(qū)動晶體管T2，存儲電容Cs、有機發(fā)光二極管本文檔來自技高網(wǎng)...

【技術(shù)保護點】
一種OLED像素版圖，其特征在于，包括：開關(guān)晶體管、驅(qū)動晶體管，存儲電容、有機發(fā)光二極管、掃描線、數(shù)據(jù)線和電源線；所述開關(guān)晶體管、驅(qū)動晶體管，存儲電容、有機發(fā)光二極管、掃描線、數(shù)據(jù)線和電源線之間電性連接；其中，所述開關(guān)晶體管的漏極處的柵極絕緣層上開設(shè)有第一通孔，所述驅(qū)動晶體管的柵極通過所述第一通孔與所述開關(guān)晶體管的漏極連接。

【技術(shù)特征摘要】
1.一種OLED像素版圖，其特征在于，包括：開關(guān)晶體管、驅(qū)動晶體管，存儲電容、有機發(fā)光二極管、掃描線、數(shù)據(jù)線和電源線；所述開關(guān)晶體管、驅(qū)動晶體管，存儲電容、有機發(fā)光二極管、掃描線、數(shù)據(jù)線和電源線之間電性連接；其中，所述開關(guān)晶體管的漏極處的柵極絕緣層上開設(shè)有第一通孔，所述驅(qū)動晶體管的柵極通過所述第一通孔與所述開關(guān)晶體管的漏極連接。2.如權(quán)利要求1所述的OLED像素版圖，其特征在于，所述開關(guān)晶體管的柵極和源極分別與所述掃描線和數(shù)據(jù)線連接，所述驅(qū)動晶體管的源極與所述電源線連接，所述驅(qū)動晶體管的漏極與所述發(fā)光二極管的陽極連接，所述發(fā)光二極管的陰極接地，所述存儲電容的第一電極與所述開關(guān)晶體管和驅(qū)動晶體管的公共端連接，所述存儲電容的第二電極與電源線連接。3.一種OLED器件的制造方法，其特征在于，包括：提供一襯底，并在所述襯底上依次形成緩沖層和硅島；在所述硅島以及未被所述硅島覆蓋的緩沖層上形成柵絕緣層，并在所述柵絕緣層中開設(shè)第一通孔，所述第一通孔的底部暴露出所述開關(guān)晶體管的漏極；在所述柵絕緣層上分別形成開關(guān)晶體管的柵極、驅(qū)動晶體管的柵極、掃描線以及存儲電容的第一電極，所述驅(qū)動晶體管的柵極通過所述第一通孔與所述開關(guān)晶體管的漏極連接；在所述開關(guān)晶體管的柵極、掃描線、存儲電容的第一電極以及驅(qū)動晶體管的柵極上形成第一層間絕緣層，并在所述第一層間絕緣層中開設(shè)第二通孔，所述第二通孔的底部暴露出所述開關(guān)晶體管的源極；在所述第一層間絕緣層上形成所述數(shù)據(jù)線和存儲電容的第二電極，所述數(shù)據(jù)線通過所述第二通孔與所述開關(guān)晶體管的源極導(dǎo)通；在所述數(shù)據(jù)線和存儲電容的第二電極以及未被所述數(shù)據(jù)線和存儲電容的第二電極覆蓋的第一層間絕緣層上形成第二層間絕緣層，并在所述第二層間絕緣層中開設(shè)第三通孔，所述第三通孔的底部...

【專利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員：朱暉，張婷婷，胡思明，朱濤，黃秀頎，
申請(專利權(quán))人：昆山工研院新型平板顯示技術(shù)中心有限公司，
類型：發(fā)明
國別省市：江蘇,32