一種限流型壓敏電阻制造技術

本發明專利技術公開一種限流型壓敏電阻，包括第一部分電路、第二部分電路和第三部分電路，所述第一部分電路包括二極管D1、二極管D2、MOS管G1、MOS管G2、MOS管G3、MOS管G4、電阻R1、電阻R2和電阻R3，二極管D1的陽極連接MOS管G2的漏極，二極管D1的陰極連接MOS管G1的漏極和二極管D2的陰極，二極管D2的陽極連接MOS管G4的漏極，本發明專利技術產品能夠替代背景技術3中TBU，從而打破國外的技術壟斷，實現我國電子科技的自主創新，具有較為寬廣的應用前景。

A limiting flow type varistor

The invention discloses a current limiting thermistors, including second parts, the first part of the circuit and the third circuit part of the circuit, the first part of the circuit comprises a diode D1, diode D2, MOS, G2, MOS pipe G1 pipe MOS pipe, MOS pipe, G3 G4 resistor R1, a resistor R2 and a resistor R3, a diode D1 anode the connection of the drain of the MOS tube G2, the cathode of the diode D1 is connected with the MOS tube drain of the G1 and D2 diode cathode, the anode of the diode D2 is connected with the drain of the MOS tube G4, the product of the invention can replace the background 3 TBU, thus breaking the monopoly of foreign technology, independent innovation of China's electronic technology that has relatively broad application prospect.

【技術實現步驟摘要】
一種限流型壓敏電阻
本專利技術涉及一種智能電阻，具體是一種限流型壓敏電阻。
技術介紹
現有技術存在以下幾種：1、壓敏電阻+熱敏電阻，如圖4所示：當T、R線出現異常電圧（如雷擊、電力線搭接等）時，壓敏電阻的鉗位特性能保護SLIC免遭損壞。其缺點是，一，當異常信號功率過大或者時間過長時，熱敏電阻阻值增大甚至斷開，容易造成永久損壞；二是，反應速度慢。2、PTC+半導體放電管，如圖5所示，與第一種保護相比，基本原理相同，只是將壓敏電阻換成了體積更小、反應更快、閾值參考電位范圍可設置的半導體放電器件（最經典的器件是TISP61089），將熱敏電阻換成可靠性更高的PTC（陶瓷）。當T、R線出現異常電圧（如雷擊、電力線搭接等）時，該電壓一旦超出地到VBAT的范圍，TISP61089會快速短路形成大電流，該電流流經PTC時，其阻值迅速增大，直至斷開，從而保護SLIC免遭損壞。與第一種保護相比，一是反應速度大大加快，二是TISP61089一旦動作，會將端電壓降到接近0，所以其可靠性、穩定性大大提高。其缺點是，一，PTC體積大，二，在T、R線端口存在高壓（即未經鉗位的異常信號電壓，可能高達6KV甚至以上）。3、半導體放電管+瞬態阻斷單元，如圖6所示，BS3500是一種大功率的半導體放電管，基本特性是：當其端電壓小于350V時等效開路，當其端電壓大于350V時等效短路，短路時能通過大于100A的電流。TBU(PL085)是一種高速瞬態阻斷單元，基本特性是：當其中電流大于0.2A時等效開路；當其任意一個端口電位高于地時等效開路；當其任意一個端口電位低于VBAT（負值）時等效開路。換句話說，只有當所有端口電位都處于（0-VBAT）之間，并且其中電流小于0.2A時，TBU才處于導通狀態，SLIC才能正常工作。否則，一律開路，SLIC處于被保護狀態。TBU開路時能承受850V高電壓。當T、R線出現異常電圧（如雷擊、電力線搭接等）時，該電壓一旦超過350V，半導體器件（BS3500）會快速短路，形成第一道保護（高壓保護）；該電壓在350V以內但超出（0-VBAT）范圍或者其中電流超過0.2A，則TBU會斷開。即TBU形成第二道保護（低壓保護）。該方案因為全部采用半導體器件，所以反應速度快、體積小、重量輕；因為采用兩道保護方式，所以TR線端口不存在高壓（被鉗位在350V）。它是目前市面上較為完善的保護方案。其缺點是：一是TBU(PL085)目前僅美國BOURNS公司獨家生產；二是它不能適用于電話線電位高于地的場景（因為當其端口電位高于地時等效開路）。而在國內，該場景還是較多的。
技術實現思路
本專利技術的目的在于提供一種結構簡單、使用方便的限流型壓敏電阻，以解決上述
技術介紹
中提出的問題。為實現上述目的，本專利技術提供如下技術方案：一種限流型壓敏電阻，包括第一部分電路、第二部分電路和第三部分電路，所述第一部分電路包括二極管D1、二極管D2、MOS管G1、MOS管G2、MOS管G3、MOS管G4、電阻R1、電阻R2和電阻R3，二極管D1的陽極連接MOS管G2的漏極，二極管D1的陰極連接MOS管G1的漏極和二極管D2的陰極，二極管D2的陽極連接MOS管G4的漏極，MOS管G1的柵極連接二極管D3的陰極、電阻R1和MOS管G3的柵極，MOS管G2的源極連接電阻R2和MOS管G3的源極，MOS管G3的漏極連接電阻R3的另一端和MOS管G4的源極，第一部分電路包括二極管D11、二極管D21、MOS管G11、MOS管G21、MOS管G31、MOS管G41、電阻R11、電阻R21和電阻R31，第一部分電路和第二部分電路結構相同，第三部分電路包括二極管D4、二極管D5、二極管D6、二極管D7、MOS管G5、MOS管G6、電阻R4、電阻R5、電阻R6和電阻R7，二極管D4的陽極連接二極管D5的陰極和二極管D2的陽極，二極管D4的陰極連接電阻R4、二極管D6的陰極和三極管G5的發射極，電阻R4的另一端連接三極管G5的基極，三極管G5的集電極連接電阻R6，電阻R6的另一端連接電阻R7的另一端，二極管D6的陽極連接二極管D7的陰極和二極管D21的陽極，二極管D5的陰極連接電阻R5、二極管D7的陰極和三極管G6的發射極，電阻R5的另一端連接三極管G6的基極。作為本專利技術的優選方案：所述MOS管G1為N溝道-耗盡型場效應高壓MOS管，MOS管G2和MOS管G4為N溝道-耗盡型場效應高壓MOS管，MOS管G3為P溝道-結型場效應低壓MOS管。作為本專利技術的優選方案：所述二極管D3為穩壓二極管。作為本專利技術的優選方案：所述二極管D1和二極管D2為高壓二極管。與現有技術相比，本專利技術的有益效果是：本專利技術產品能夠替代
技術介紹
3中TBU，從而打破國外的技術壟斷，實現我國電子科技的自主創新，具有較為寬廣的市場應用前景。附圖說明圖1為本專利技術的整體電路圖；圖2為第一部分電路的電路圖；圖3為第三部分電路的電路圖；圖4為現有技術1的電路圖；圖5為現有技術2的電路圖；圖6為現有技術3的電路圖；圖7為本專利技術的應用原理圖。具體實施方式下面將結合本專利技術實施例中的附圖，對本專利技術實施例中的技術方案進行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實施例僅僅是本專利技術一部分實施例，而不是全部的實施例。基于本專利技術中的實施例，本領域普通技術人員在沒有做出創造性勞動前提下所獲得的所有其他實施例，都屬于本專利技術保護的范圍。請參閱圖1-7，一種限流型壓敏電阻，包括第一部分電路、第二部分電路和第三部分電路，所述第一部分電路包括二極管D1、二極管D2、MOS管G1、MOS管G2、MOS管G3、MOS管G4、電阻R1、電阻R2和電阻R3，二極管D1的陽極連接MOS管G2的漏極，二極管D1的陰極連接MOS管G1的漏極和二極管D2的陰極，二極管D2的陽極連接MOS管G4的漏極，MOS管G1的柵極連接二極管D33的陰極、電阻R1和MOS管G3的柵極，MOS管G2的源極連接電阻R2和MOS管G3的源極，MOS管G3的漏極連接電阻R3的另一端和MOS管G4的源極，第一部分電路包括二極管D11、二極管D21、MOS管G11、MOS管G21、MOS管G31、MOS管G41、電阻R11、電阻R21和電阻R31，第一部分電路和第二部分電路結構相同，第三部分電路包括二極管D4、二極管D5、二極管D6、二極管D7、MOS管G5、MOS管G6、電阻R4、電阻R5、電阻R6和電阻R7，二極管D4的陽極連接二極管D5的陰極和二極管D2的陽極，二極管D4的陰極連接電阻R4、二極管D6的陰極和三極管G5的發射極，電阻R4的另一端連接三極管G5的基極，三極管G5的集電極連接電阻R6，電阻R6的另一端連接電阻R7的另一端，二極管D6的陽極連接二極管D7的陰極和二極管D21的陽極，二極管D5的陰極連接電阻R5、二極管D7的陰極和三極管G6的發射極，電阻R5的另一端連接三極管G6的基極。MOS管G1為N溝道-耗盡型場效應高壓MOS管，MOS管G2和MOS管G4為N溝道-耗盡型場效應高壓MOS管，MOS管G3為P溝道-結型場效應低壓MOS管。二極管D3為穩壓二極管。二極管D1和二極管D2為高壓二極管。本專利技術的工作原理是：BS3500是一種大功率的半導體放電管，基本特性是：當其端電壓本文檔來自技高網...

【技術保護點】
一種限流型壓敏電阻，包括第一部分電路、第二部分電路和第三部分電路，其特征在于，所述第一部分電路包括二極管D1、二極管D2、MOS管G1、MOS管G2、MOS管G3、MOS管G4、電阻R1、電阻R2和電阻R3，二極管D1的陽極連接MOS管G2的漏極，二極管D1的陰極連接MOS管G1的漏極和二極管D2的陰極，二極管D2的陽極連接MOS管G4的漏極，MOS管G1的柵極連接二極管D33的陰極、電阻R1和MOS管G3的柵極，MOS管G2的源極連接電阻R2和MOS管G3的源極，MOS管G3的漏極連接電阻R3的另一端和MOS管G4的源極，第一部分電路包括二極管D11、二極管D21、MOS管G11、MOS管G21、MOS管G31、MOS管G41、電阻R11、電阻R21和電阻R31，第一部分電路和第二部分電路結構相同，第三部分電路包括二極管D4、二極管D5、二極管D6、二極管D7、MOS管G5、MOS管G6、電阻R4、電阻R5、電阻R6和電阻R7，二極管D4的陽極連接二極管D5的陰極和二極管D2的陽極，二極管D4的陰極連接電阻R4、二極管D6的陰極和三極管G5的發射極，電阻R4的另一端連接三極管G5的基極，三極管G5的集電極連接電阻R6，電阻R6的另一端連接電阻R7的另一端，二極管D6的陽極連接二極管D7的陰極和二極管D21的陽極，二極管D5的陰極連接電阻R5、二極管D7的陰極和三極管G6的發射極，電阻R5的另一端連接三極管G6的基極。...

【技術特征摘要】
1.一種限流型壓敏電阻，包括第一部分電路、第二部分電路和第三部分電路，其特征在于，所述第一部分電路包括二極管D1、二極管D2、MOS管G1、MOS管G2、MOS管G3、MOS管G4、電阻R1、電阻R2和電阻R3，二極管D1的陽極連接MOS管G2的漏極，二極管D1的陰極連接MOS管G1的漏極和二極管D2的陰極，二極管D2的陽極連接MOS管G4的漏極，MOS管G1的柵極連接二極管D33的陰極、電阻R1和MOS管G3的柵極，MOS管G2的源極連接電阻R2和MOS管G3的源極，MOS管G3的漏極連接電阻R3的另一端和MOS管G4的源極，第一部分電路包括二極管D11、二極管D21、MOS管G11、MOS管G21、MOS管G31、MOS管G41、電阻R11、電阻R21和電阻R31，第一部分電路和第二部分電路結構相同，第三部分電路包括二極管D4、二極管D5、二極管D6、二極管D7、MOS管G5、MOS管G6、電阻R4、電...

【專利技術屬性】
技術研發人員：徐哲，
申請(專利權)人：深圳市千行電子有限公司，
類型：發明
國別省市：廣東,44