低功率損耗的升壓型功率因子校正裝置制造方法及圖紙

一種低功率損耗的升壓型功率因子校正裝置，包含一晶體管開關(guān)、一二極管、一第一分壓電阻、一第二分壓電阻及一功率因子校正控制單元。該功率因子校正控制單元包含一脈波寬度調(diào)變信號(hào)產(chǎn)生器、一信號(hào)反向子單元及一開關(guān)子單元。該脈波寬度調(diào)變信號(hào)產(chǎn)生器傳送脈波寬度調(diào)變信號(hào)至該信號(hào)反向子單元；依據(jù)脈波寬度調(diào)變信號(hào)，該信號(hào)反向子單元產(chǎn)生反向脈波寬度調(diào)變信號(hào)以控制該開關(guān)子單元的開關(guān)狀態(tài)；當(dāng)該晶體管開關(guān)不導(dǎo)通時(shí)，該開關(guān)子單元導(dǎo)通，使得該功率因子校正控制單元接收到從該第一分壓電阻及該第二分壓電阻之間所產(chǎn)生的電壓回授信號(hào)。

Boost power factor correction device with low power loss

A low power loss boost power factor correction device includes a transistor switch, a diode, a first bleeder resistor, a second point voltage resistor, and a power factor correction control unit. The control unit includes a pulse width modulated signal generator, a signal element and a reverse open on the unit power factor correction. The pulse width modulation signal generator sends a pulse width modulated signal to the signal inverse sub unit; based on the pulse width modulation signal, the signal sub unit generates reverse reverse pulse width modulation signal to control the switching state of the opening on the unit; when the transistor switch is not conductive, the sub unit is turned on that makes the power factor correction control unit receives the voltage feedback signal generated from the first resistor between the resistor and the second.

【技術(shù)實(shí)現(xiàn)步驟摘要】
低功率損耗的升壓型功率因子校正裝置
本專利技術(shù)系有關(guān)于一種升壓型功率因子校正裝置，特別是一種低功率損耗的升壓型功率因子校正裝置。
技術(shù)介紹
一相關(guān)技術(shù)的升壓型功率因子校正裝置具有包含兩電阻的分壓電阻電路，分壓電阻電路連接至輸出端，將輸出高電壓進(jìn)行分壓以得到一電壓回授信號(hào)，分壓電阻電路將電壓回授信號(hào)傳送至功率因子校正控制器以調(diào)整脈波寬度調(diào)變信號(hào)以進(jìn)行功率因子校正。上述的分壓電阻電路結(jié)構(gòu)雖然簡單，但在空載時(shí)分壓電阻電路仍會(huì)損耗功率(因?yàn)榉謮弘娮桦娐愤B接至輸出端，而輸出端隨時(shí)都有高電壓)。換句話說，上述的分壓電阻電路隨時(shí)都在損耗功率以產(chǎn)生電壓回授信號(hào)；但實(shí)際上，功率因子校正控制器卻不是隨時(shí)都需要電壓回授信號(hào)。
技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路
為改善上述習(xí)知技術(shù)的缺點(diǎn)，本專利技術(shù)的目的在于提供一種低功率損耗的升壓型功率因子校正裝置。為達(dá)成本專利技術(shù)的上述目的，本專利技術(shù)的低功率損耗的升壓型功率因子校正裝置包含：一晶體管開關(guān)；一二極管，該二極管的陽極電性連接至該晶體管開關(guān)；一第一分壓電阻，該第一分壓電阻的一端電性連接至該晶體管開關(guān)及該二極管的陽極；一第二分壓電阻，該第二分壓電阻的一端電性連接至該第一分壓電阻的另一端；及一功率因子校正控制單元，該功率因子校正控制單元電性連接至該晶體管開關(guān)，以及該第一分壓電阻及該第二分壓電阻的間。其中該功率因子校正控制單元包含：一脈波寬度調(diào)變信號(hào)產(chǎn)生器，該脈波寬度調(diào)變信號(hào)產(chǎn)生器電性連接至該晶體管開關(guān)；一信號(hào)反向子單元，該信號(hào)反向子單元電性連接至該晶體管開關(guān)及該脈波寬度調(diào)變信號(hào)產(chǎn)生器的間；及一開關(guān)子單元，該開關(guān)子單元電性連接至該第一分壓電阻及該第二分壓電阻的間，以及該信號(hào)反向子單元。其中該脈波寬度調(diào)變信號(hào)產(chǎn)生器傳送一脈波寬度調(diào)變信號(hào)至該晶體管開關(guān)以控制該晶體管開關(guān)的開關(guān)狀態(tài)；該脈波寬度調(diào)變信號(hào)產(chǎn)生器傳送該脈波寬度調(diào)變信號(hào)至該信號(hào)反向子單元；依據(jù)該脈波寬度調(diào)變信號(hào)，該信號(hào)反向子單元產(chǎn)生一反向脈波寬度調(diào)變信號(hào)以控制該開關(guān)子單元的開關(guān)狀態(tài)；當(dāng)該晶體管開關(guān)導(dǎo)通時(shí)，該開關(guān)子單元不導(dǎo)通，使該第一分壓電阻無功率消耗；當(dāng)該晶體管開關(guān)不導(dǎo)通時(shí)，該開關(guān)子單元導(dǎo)通，使得該功率因子校正控制單元接收到從該第一分壓電阻及該第二分壓電阻的間所產(chǎn)生的一電壓回授信號(hào)。再者，如上所述的低功率損耗的升壓型功率因子校正裝置，其中該功率因子校正控制單元更包含：一取樣保持電路，該取樣保持電路電性連接至該開關(guān)子單元。再者，如上所述的低功率損耗的升壓型功率因子校正裝置，其中該功率因子校正控制單元更包含：一回授補(bǔ)償器，該回授補(bǔ)償器電性連接至該取樣保持電路及該脈波寬度調(diào)變信號(hào)產(chǎn)生器。再者，如上所述的低功率損耗的升壓型功率因子校正裝置，更包含：一電感，該電感電性連接至該晶體管開關(guān)、該二極管的陽極及該第一分壓電阻。再者，如上所述的低功率損耗的升壓型功率因子校正裝置，更包含：一輸入端電容，該輸入端電容電性連接至該電感；及一輸出端電容，該輸出端電容電性連接至該二極管的陰極。為達(dá)成本專利技術(shù)的目的，本專利技術(shù)的低功率損耗的升壓型功率因子校正裝置的另一實(shí)施例包含：一晶體管開關(guān)；一二極管，該二極管的陽極電性連接至該晶體管開關(guān)；一第一分壓電阻，該第一分壓電阻的一端電性連接至該二極管的陰極；及一功率因子校正控制單元，該功率因子校正控制單元電性連接至該晶體管開關(guān)及該第一分壓電阻的另一端。其中該功率因子校正控制單元包含：一脈波寬度調(diào)變信號(hào)產(chǎn)生器，該脈波寬度調(diào)變信號(hào)產(chǎn)生器電性連接至該晶體管開關(guān)；一開關(guān)子單元，該開關(guān)子單元電性連接至該第一分壓電阻的另一端；一取樣頻率產(chǎn)生器，該取樣頻率產(chǎn)生器電性連接至該開關(guān)子單元；及一第二分壓電阻，該第二分壓電阻的一端電性連接至該開關(guān)子單元。其中該取樣頻率產(chǎn)生器控制該開關(guān)子單元的開關(guān)狀態(tài)；當(dāng)該開關(guān)子單元導(dǎo)通時(shí)，該功率因子校正控制單元接收到從該第一分壓電阻及該第二分壓電阻的間所產(chǎn)生的一電壓回授信號(hào)。再者，如上所述的低功率損耗的升壓型功率因子校正裝置，其中該功率因子校正控制單元更包含：一取樣保持電路，該取樣保持電路電性連接至該開關(guān)子單元及該第二分壓電阻的該端。再者，如上所述的低功率損耗的升壓型功率因子校正裝置，其中該功率因子校正控制單元更包含：一回授補(bǔ)償器，該回授補(bǔ)償器電性連接至該取樣保持電路及該脈波寬度調(diào)變信號(hào)產(chǎn)生器。再者，如上所述的低功率損耗的升壓型功率因子校正裝置，更包含：一電感，該電感電性連接至該晶體管開關(guān)及該二極管的陽極。再者，如上所述的低功率損耗的升壓型功率因子校正裝置，更包含：一輸入端電容，該輸入端電容電性連接至該電感；及一輸出端電容，該輸出端電容電性連接至該二極管的陰極及該第一分壓電阻的一端。本專利技術(shù)的功效在于降低用以產(chǎn)生電壓回授信號(hào)以傳送至功率因子校正控制器的分壓電阻的功率損耗。為讓本專利技術(shù)的上述和其它目的、特征和優(yōu)點(diǎn)能更明顯易懂，下文特舉較佳實(shí)施例并配合所附圖式做詳細(xì)說明如下。附圖說明圖1為本專利技術(shù)的低功率損耗的升壓型功率因子校正裝置的第一實(shí)施例方塊圖。圖2為本專利技術(shù)的低功率損耗的升壓型功率因子校正裝置的第二實(shí)施例方塊圖。具體實(shí)施方式請(qǐng)參考圖1，其系為本專利技術(shù)的低功率損耗的升壓型功率因子校正裝置的第一實(shí)施例方塊圖。本專利技術(shù)的低功率損耗的升壓型功率因子校正裝置10系應(yīng)用于一交流電壓供應(yīng)裝置20、一橋式整流器30及一負(fù)載裝置40。該低功率損耗的升壓型功率因子校正裝置10包含一晶體管開關(guān)Q1、一二極管D1、一第一分壓電阻R1、一第二分壓電阻R2、一功率因子校正控制單元102、一電感L1、一輸入端電容C1及一輸出端電容C2。該低功率損耗的升壓型功率因子校正裝置10系輸出例如400伏特電壓至該負(fù)載裝置40。該二極管D1的陽極電性連接至該晶體管開關(guān)Q1；該第一分壓電阻R1的一端電性連接至該晶體管開關(guān)Q1及該二極管D1的陽極；該第二分壓電阻R2的一端電性連接至該第一分壓電阻R1的另一端；該功率因子校正控制單元102電性連接至該晶體管開關(guān)Q1，以及該第一分壓電阻R1及該第二分壓電阻R2之間；該電感L1電性連接至該晶體管開關(guān)Q1、該二極管D1的陽極及該第一分壓電阻R1；該輸入端電容C1電性連接至該電感L1；該輸出端電容C2電性連接至該二極管D1的陰極。其中，該第一分壓電阻R1的一端系連接至該晶體管開關(guān)Q1的汲極(drain)及該二極管D1的陽極。該功率因子校正控制單元102包含一脈波寬度調(diào)變信號(hào)產(chǎn)生器10202、一信號(hào)反向子單元10204、一開關(guān)子單元10206、一取樣保持電路10208及一回授補(bǔ)償器10210。該脈波寬度調(diào)變信號(hào)產(chǎn)生器10202電性連接至該晶體管開關(guān)Q1；該信號(hào)反向子單元10204電性連接至該晶體管開關(guān)Q1及該脈波寬度調(diào)變信號(hào)產(chǎn)生器10202之間；該開關(guān)子單元10206電性連接至該第一分壓電阻R1及該第二分壓電阻R2之間，以及該信號(hào)反向子單元10204；該取樣保持電路10208電性連接至該開關(guān)子單元10206；該回授補(bǔ)償器10210電性連接至該取樣保持電路10208及該脈波寬度調(diào)變信號(hào)產(chǎn)生器10202。該脈波寬度調(diào)變信號(hào)產(chǎn)生器10202傳送一脈波寬度調(diào)變信號(hào)10212至該晶體管開關(guān)Q1以控制該晶體管開關(guān)Q1的開關(guān)狀態(tài)；該脈波寬度調(diào)變信號(hào)產(chǎn)生器10202傳送該脈波寬度調(diào)變信號(hào)10212至該信號(hào)反向子單元10204；依據(jù)該脈波寬度調(diào)變信號(hào)102本文檔來自技高網(wǎng)...

【技術(shù)保護(hù)點(diǎn)】
一種低功率損耗的升壓型功率因子校正裝置，其特征在于包括：一晶體管開關(guān)；一二極管，該二極管的陽極電性連接至該晶體管開關(guān)；一第一分壓電阻，該第一分壓電阻的一端電性連接至該晶體管開關(guān)及該二極管的陽極；一第二分壓電阻，該第二分壓電阻的一端電性連接至該第一分壓電阻的另一端；及一功率因子校正控制單元，該功率因子校正控制單元電性連接至該晶體管開關(guān)，以及該第一分壓電阻及該第二分壓電阻之間，其中該功率因子校正控制單元包含：一脈波寬度調(diào)變信號(hào)產(chǎn)生器，該脈波寬度調(diào)變信號(hào)產(chǎn)生器電性連接至該晶體管開關(guān)；一信號(hào)反向子單元，該信號(hào)反向子單元電性連接至該晶體管開關(guān)及該脈波寬度調(diào)變信號(hào)產(chǎn)生器之間；及一開關(guān)子單元，該開關(guān)子單元電性連接至該第一分壓電阻及該第二分壓電阻之間，以及該信號(hào)反向子單元，其中該脈波寬度調(diào)變信號(hào)產(chǎn)生器傳送一脈波寬度調(diào)變信號(hào)至該晶體管開關(guān)以控制該晶體管開關(guān)的開關(guān)狀態(tài)；該脈波寬度調(diào)變信號(hào)產(chǎn)生器傳送該脈波寬度調(diào)變信號(hào)至該信號(hào)反向子單元；依據(jù)該脈波寬度調(diào)變信號(hào)，該信號(hào)反向子單元產(chǎn)生一反向脈波寬度調(diào)變信號(hào)以控制該開關(guān)子單元的開關(guān)狀態(tài)；當(dāng)該晶體管開關(guān)導(dǎo)通時(shí)，該開關(guān)子單元不導(dǎo)通，使該第一分壓電阻無功率消耗；當(dāng)該晶體管開關(guān)不導(dǎo)通時(shí)，該開關(guān)子單元導(dǎo)通，使得該功率因子校正控制單元接收到從該第一分壓電阻及該第二分壓電阻之間所產(chǎn)生的一電壓回授信號(hào)。...

【技術(shù)特征摘要】
1.一種低功率損耗的升壓型功率因子校正裝置，其特征在于包括：一晶體管開關(guān)；一二極管，該二極管的陽極電性連接至該晶體管開關(guān)；一第一分壓電阻，該第一分壓電阻的一端電性連接至該晶體管開關(guān)及該二極管的陽極；一第二分壓電阻，該第二分壓電阻的一端電性連接至該第一分壓電阻的另一端；及一功率因子校正控制單元，該功率因子校正控制單元電性連接至該晶體管開關(guān)，以及該第一分壓電阻及該第二分壓電阻之間，其中該功率因子校正控制單元包含：一脈波寬度調(diào)變信號(hào)產(chǎn)生器，該脈波寬度調(diào)變信號(hào)產(chǎn)生器電性連接至該晶體管開關(guān)；一信號(hào)反向子單元，該信號(hào)反向子單元電性連接至該晶體管開關(guān)及該脈波寬度調(diào)變信號(hào)產(chǎn)生器之間；及一開關(guān)子單元，該開關(guān)子單元電性連接至該第一分壓電阻及該第二分壓電阻之間，以及該信號(hào)反向子單元，其中該脈波寬度調(diào)變信號(hào)產(chǎn)生器傳送一脈波寬度調(diào)變信號(hào)至該晶體管開關(guān)以控制該晶體管開關(guān)的開關(guān)狀態(tài)；該脈波寬度調(diào)變信號(hào)產(chǎn)生器傳送該脈波寬度調(diào)變信號(hào)至該信號(hào)反向子單元；依據(jù)該脈波寬度調(diào)變信號(hào)，該信號(hào)反向子單元產(chǎn)生一反向脈波寬度調(diào)變信號(hào)以控制該開關(guān)子單元的開關(guān)狀態(tài)；當(dāng)該晶體管開關(guān)導(dǎo)通時(shí)，該開關(guān)子單元不導(dǎo)通，使該第一分壓電阻無功率消耗；當(dāng)該晶體管開關(guān)不導(dǎo)通時(shí)，該開關(guān)子單元導(dǎo)通，使得該功率因子校正控制單元接收到從該第一分壓電阻及該第二分壓電阻之間所產(chǎn)生的一電壓回授信號(hào)。2.如權(quán)利要求1所述的低功率損耗的升壓型功率因子校正裝置，其特征在于該功率因子校正控制單元更包含：一取樣保持電路，該取樣保持電路電性連接至該開關(guān)子單元。3.如權(quán)利要求2所述的低功率損耗的升壓型功率因子校正裝置，其特征在于該功率因子校正控制單元更包含：一回授補(bǔ)償器，該回授補(bǔ)償器電性連接至該取樣保持電路及該脈波寬度調(diào)變信號(hào)產(chǎn)生器。4.如權(quán)利要求3所述的低功率損耗的升壓型功率因子校正裝置，其特征在于更包含：一電感，該電感電性連接至該晶體管開關(guān)、該二極管的陽極及該...

【專利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員：姚宇桐，楊志隆，洪宗良，
申請(qǐng)(專利權(quán))人：亞榮源科技深圳有限公司，
類型：發(fā)明
國別省市：廣東,44