驅(qū)動(dòng)電路制造技術(shù)

提供了一種驅(qū)動(dòng)電路，所述驅(qū)動(dòng)電路包括：第一開(kāi)關(guān)元件，根據(jù)控制電壓在接通狀態(tài)或斷開(kāi)狀態(tài)下操作；第二開(kāi)關(guān)元件，根據(jù)控制電壓與第一開(kāi)關(guān)元件互補(bǔ)地操作；穩(wěn)壓電路單元，根據(jù)第一開(kāi)關(guān)元件的源?柵電壓而接通以保持恒壓；電流調(diào)節(jié)電路，根據(jù)控制電壓在接通狀態(tài)或斷開(kāi)狀態(tài)下操作并在電流調(diào)節(jié)電路的接通狀態(tài)下根據(jù)電流控制信號(hào)調(diào)節(jié)流向地的操作電流；電流控制電路，通過(guò)在穩(wěn)壓電路單元的接通狀態(tài)下向電流調(diào)節(jié)電路提供電流控制信號(hào)來(lái)控制操作電流；信號(hào)傳輸電路，向第二開(kāi)關(guān)元件的柵極提供控制電壓。

drive circuit

A drive circuit is provided, wherein the driving circuit includes a first switching element, according to the control voltage operation in the on state or off state; the second switch element, according to the control voltage and a first switch element complementary operation; voltage regulator circuit unit, according to the source gate voltage of the first switch element is turned on to keep constant pressure; the current regulating circuit, according to the control voltage in the connected state connected or disconnected operation and regulating circuit in current operation according to the current control signal to regulate the flow of current through the control circuit; the voltage stabilizing circuit unit connected to the current regulating circuit provides current control signal to control the operation of current; signal transmission provide a control voltage to the gate circuit, the second switch element.

【技術(shù)實(shí)現(xiàn)步驟摘要】
驅(qū)動(dòng)電路本申請(qǐng)要求于2015年12月24日提交到韓國(guó)知識(shí)產(chǎn)權(quán)局的第10-2015-0186802號(hào)韓國(guó)專利申請(qǐng)的優(yōu)先權(quán)和權(quán)益，所述韓國(guó)專利申請(qǐng)的全部公開(kāi)內(nèi)容出于所有目的通過(guò)引用被包含于此。
以下描述涉及一種使用金屬-氧化物-半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET)和橫向雙擴(kuò)散(LD)MOSFET(以下稱為L(zhǎng)D-MOS)的驅(qū)動(dòng)電路。
技術(shù)介紹
通常，由金屬-氧化物-半導(dǎo)體(MOS)集成電路組成的驅(qū)動(dòng)電路可用于生成驅(qū)動(dòng)信號(hào)的電子裝置中。在這種情況下，驅(qū)動(dòng)電路應(yīng)考慮到所需驅(qū)動(dòng)信號(hào)的電壓電平而進(jìn)行設(shè)計(jì)。在需要使用現(xiàn)有驅(qū)動(dòng)電路中的由定義的特定電壓工藝制造的驅(qū)動(dòng)電路提供其電壓電平比所述定義的特定電壓工藝的特定電壓高的驅(qū)動(dòng)信號(hào)的情況下，可使用具有良好驅(qū)動(dòng)能力的橫向雙擴(kuò)散MOSFET(LD-MOS)。然而，在使用LD-MOS的驅(qū)動(dòng)電路中，使用了高的操作電壓(VPP)，這會(huì)導(dǎo)致開(kāi)關(guān)元件被擊穿。如上所述使用LD-MOS的現(xiàn)有驅(qū)動(dòng)電路包括使用P溝道LD-MOS和N溝道LD-MOS的逆變型驅(qū)動(dòng)電路。這種驅(qū)動(dòng)電路包括穩(wěn)壓二極管和單脈沖電路，其中，所述穩(wěn)壓二極管連接在操作電壓端子和P溝道LD-MOS的柵極之間以防止P溝道LD-MOS被擊穿，所述單脈沖電路用于在預(yù)定的短時(shí)間段內(nèi)控制連接在P溝道LD-MOS的柵極和地之間的開(kāi)關(guān)元件切換成接通狀態(tài)以改善電流消耗。然而，當(dāng)由單脈沖電路生成的單脈沖信號(hào)的寬度過(guò)窄時(shí)，P溝道LD-MOS不會(huì)切換成接通狀態(tài)。相反地，當(dāng)單脈沖信號(hào)的寬度過(guò)寬時(shí)，預(yù)定時(shí)間段內(nèi)流動(dòng)高的電流并且即使在P溝道LD-MOS已經(jīng)切換成接通狀態(tài)之后仍繼續(xù)流動(dòng)高的電流，從而增大功耗。然而，應(yīng)考慮諸如LD-MOS的操作溫度、LD-MOS的制造等的許多復(fù)雜的工藝的變化來(lái)適當(dāng)?shù)卦O(shè)計(jì)單脈沖信號(hào)的脈沖寬度。結(jié)果，設(shè)計(jì)的脈沖寬度不可能窄，并且設(shè)計(jì)應(yīng)被考慮為使得脈沖寬度具有一定程度的邊沿。因此，會(huì)產(chǎn)生不必要的功耗。
技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路
提供本
技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路
用于以簡(jiǎn)化形式介紹在下面的具體實(shí)施方式中進(jìn)一步描述選擇的構(gòu)思。本
技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路
并不意在確定所要求保護(hù)的主題的關(guān)鍵特征或必要技術(shù)特征，也不意在用于幫助決定所要求保護(hù)的主題的范圍。在一個(gè)總的方面中，一種驅(qū)動(dòng)電路包括：第一開(kāi)關(guān)元件，連接在操作電壓端子和輸出端子之間并被構(gòu)造成根據(jù)控制電壓在接通狀態(tài)或斷開(kāi)狀態(tài)下操作；第二開(kāi)關(guān)元件，連接在輸出端子和地之間并被構(gòu)造成根據(jù)控制電壓在與第一開(kāi)關(guān)元件互補(bǔ)的接通狀態(tài)或斷開(kāi)狀態(tài)下操作；穩(wěn)壓電路單元，連接在操作電壓端子和第一開(kāi)關(guān)元件的柵極之間并被構(gòu)造成根據(jù)第一開(kāi)關(guān)元件的源-柵電壓而接通以在操作電壓端子和第一開(kāi)關(guān)元件的柵極之間保持恒定電壓；電流調(diào)節(jié)電路，連接在第一開(kāi)關(guān)元件的柵極和地之間并被構(gòu)造成根據(jù)控制電壓在接通狀態(tài)或斷開(kāi)狀態(tài)下操作，并在電流調(diào)節(jié)電路的接通狀態(tài)下基于第一開(kāi)關(guān)元件的源-柵電壓的電平根據(jù)電流控制信號(hào)來(lái)調(diào)節(jié)流向地的操作電流；電流控制電路，被構(gòu)造成通過(guò)在穩(wěn)壓電路單元的接通狀態(tài)下向電流調(diào)節(jié)電路提供電流控制信號(hào)來(lái)控制操作電流；信號(hào)傳輸電路，被構(gòu)造成向第二開(kāi)關(guān)元件的柵極提供控制電壓。操作電流可包括：第一電流，在穩(wěn)壓電路單元的斷開(kāi)狀態(tài)下通過(guò)第一開(kāi)關(guān)元件的柵極和源極之間的寄生電容器以及電流調(diào)節(jié)電路流向地；第二電流，在穩(wěn)壓電路單元的接通狀態(tài)下經(jīng)過(guò)穩(wěn)壓電路單元和電流調(diào)節(jié)電路流向地，第二電流的電流值可小于第一電流的電流值。穩(wěn)壓電路單元可包括：電阻器電路，所述電阻電路的一端連接到操作電壓端子；穩(wěn)壓電路，連接在所述電阻電路的另一端和第一開(kāi)關(guān)元件的柵極之間，并被構(gòu)造成根據(jù)第一開(kāi)關(guān)元件的源-柵電壓而接通，以在操作電壓端子和第一開(kāi)關(guān)元件的柵極之間保持恒定電壓。電阻器電路可包括第一電阻器；穩(wěn)壓電路可包括穩(wěn)壓二極管；穩(wěn)壓二極管的擊穿電壓和第一電阻器兩端的電壓的總和可小于第一開(kāi)關(guān)元件的源-柵擊穿電壓。電流控制電路可包括：第二PMOS，具有連接到操作電壓端子的源極、連接到穩(wěn)壓電路和電阻器電路之間的連接節(jié)點(diǎn)的柵極以及漏極；第三電阻器，連接在第二PMOS的漏極和地之間并被構(gòu)造成向電流調(diào)節(jié)電路提供電流控制信號(hào)。電流調(diào)節(jié)電路可包括在第一開(kāi)關(guān)元件的柵極和地之間彼此串聯(lián)連接的第一N溝道金屬-氧化物-半導(dǎo)體(NMOS)、第二電阻器和第一P溝道金屬-氧化物-半導(dǎo)體(PMOS)；第一NMOS可被構(gòu)造成根據(jù)控制電壓在接通狀態(tài)或斷開(kāi)狀態(tài)下操作；第一PMOS可被構(gòu)造成與第一NMOS的操作同步進(jìn)行操作并根據(jù)電流控制信號(hào)的電壓電平來(lái)減小流向地的操作電流。在另一總的方面中，一種驅(qū)動(dòng)電路包括：P溝道橫向雙擴(kuò)散金屬-氧化物-半導(dǎo)體(LD-MOS)，連接在操作電壓端子和輸出端子之間并被構(gòu)造成根據(jù)控制電壓在接通狀態(tài)或斷開(kāi)狀態(tài)下操作；N溝道LD-MOS，連接在輸出端子和地之間并被構(gòu)造成根據(jù)控制電壓與P溝道LD-MOS互補(bǔ)地操作；穩(wěn)壓電路單元，連接在操作電壓端子和P溝道LD-MOS的柵極之間并被構(gòu)造成根據(jù)P溝道LD-MOS的源-柵電壓而接通，以在操作電壓端子和P溝道LD-MOS的柵極之間保持恒定電壓；電流調(diào)節(jié)電路，連接在P溝道LD-MOS的柵極和地之間并被構(gòu)造成根據(jù)控制電壓在接通狀態(tài)或斷開(kāi)狀態(tài)下操作，并在電流調(diào)節(jié)單元的接通狀態(tài)下基于P溝道LD-MOS的源-柵電壓的電平根據(jù)電流控制信號(hào)調(diào)節(jié)流向地面的操作電流；電流控制電路，被構(gòu)造成在穩(wěn)壓電路單元的接通狀態(tài)下通過(guò)向電流調(diào)節(jié)電路提供電流控制信號(hào)來(lái)控制操作電流；信號(hào)傳輸電路，被構(gòu)造成向N溝道LD-MOS的柵極提供控制電壓。操作電流可包括：第一電流，在穩(wěn)壓電路單元的斷開(kāi)狀態(tài)下經(jīng)過(guò)在P溝道LD-MOS的源極和柵極之間的寄生電容器以及電流調(diào)節(jié)電路流向地；第二電流，在穩(wěn)壓電路單元的接通狀態(tài)下經(jīng)過(guò)穩(wěn)壓電路單元和電流調(diào)節(jié)電路流向地，第二電流的電流值可小于第一電流的電流值。穩(wěn)壓電路單元可包括：電阻器電路，所述電阻器電路的一端連接到操作電壓端子；穩(wěn)壓電路，連接在電阻器電路的另一端和P溝道LD-MOS的柵極之間并被構(gòu)造成根據(jù)P溝道LD-MOS的源-柵電壓而接通，以在操作電壓端子和P溝道LD-MOS的柵極之間保持恒定電壓。電阻器電路可包括第一電阻器；穩(wěn)壓電路可包括穩(wěn)壓二極管；穩(wěn)壓二極管的擊穿電壓和第一電阻兩端的電壓的總和可小于P溝道LD-MOS的源-柵擊穿電壓。電流控制電路可包括：第二PMOS，具有連接到操作電壓端子的源極、連接到穩(wěn)壓電路和電阻器電路之間的連接節(jié)點(diǎn)的柵極以及漏極；第三電阻器，連接在第二PMOS的漏極和地之間并被構(gòu)造成向電流調(diào)節(jié)電路提供電流控制信號(hào)。電流調(diào)節(jié)電路可包括在P溝道LD-MOS的柵極和地之間彼此串聯(lián)連接的第一NMOS、第二電阻器和第一PMOS；第一NMOS可被構(gòu)造成根據(jù)控制電壓在接通狀態(tài)或斷開(kāi)狀態(tài)下操作；并且第一PMOS可被構(gòu)造成與第一NMOS的操作同步進(jìn)行操作并根據(jù)電流控制信號(hào)的電壓電平來(lái)減小流向地的操作電流。在另一總的方面中，一種驅(qū)動(dòng)電路包括：第一開(kāi)關(guān)元件，包括連接到操作電壓端子的第一端子、連接到輸出電壓端子的第二端子和被構(gòu)造成接收第一控制電壓并根據(jù)第一控制電壓來(lái)接通或斷開(kāi)第一端子和第二端子之間的連接的控制端子；控制電路，被構(gòu)造成向控制端子提供第一控制電壓并根據(jù)第一端子和控制端子之間的電壓來(lái)調(diào)節(jié)控制電路的操作電流。控制電路還可被構(gòu)造成：響應(yīng)于第一端子和控制端子之間的電壓小于預(yù)定電壓而使第一操作電流從操作本文檔來(lái)自技高網(wǎng)...

【技術(shù)保護(hù)點(diǎn)】
一種驅(qū)動(dòng)電路，包括：第一開(kāi)關(guān)元件，連接在操作電壓端子和輸出端子之間并被構(gòu)造成根據(jù)控制電壓在接通狀態(tài)或斷開(kāi)狀態(tài)下操作；第二開(kāi)關(guān)元件，連接在輸出端子和地之間并被構(gòu)造成根據(jù)控制電壓在與第一開(kāi)關(guān)元件互補(bǔ)的接通狀態(tài)或斷開(kāi)狀態(tài)下操作；穩(wěn)壓電路單元，連接在操作電壓端子和第一開(kāi)關(guān)元件的柵極之間并被構(gòu)造成根據(jù)第一開(kāi)關(guān)元件的源?柵電壓而接通以在操作電壓端子和第一開(kāi)關(guān)元件的柵極之間保持恒定電壓；電流調(diào)節(jié)電路，連接在第一開(kāi)關(guān)元件的柵極和地之間并被構(gòu)造成根據(jù)所述控制電壓在接通狀態(tài)或斷開(kāi)狀態(tài)下操作，并在所述電流調(diào)節(jié)電路的接通狀態(tài)下基于第一開(kāi)關(guān)元件的源?柵電壓的電平根據(jù)電流控制信號(hào)來(lái)調(diào)節(jié)流向地的操作電流；電流控制電路，被構(gòu)造成在穩(wěn)壓電路單元的接通狀態(tài)下通過(guò)向所述電流調(diào)節(jié)電路提供電流控制信號(hào)來(lái)控制操作電流；信號(hào)傳輸電路，被構(gòu)造成向第二開(kāi)關(guān)元件的柵極提供控制電壓。

【技術(shù)特征摘要】
2015.12.24 KR 10-2015-01868021.一種驅(qū)動(dòng)電路，包括：第一開(kāi)關(guān)元件，連接在操作電壓端子和輸出端子之間并被構(gòu)造成根據(jù)控制電壓在接通狀態(tài)或斷開(kāi)狀態(tài)下操作；第二開(kāi)關(guān)元件，連接在輸出端子和地之間并被構(gòu)造成根據(jù)控制電壓在與第一開(kāi)關(guān)元件互補(bǔ)的接通狀態(tài)或斷開(kāi)狀態(tài)下操作；穩(wěn)壓電路單元，連接在操作電壓端子和第一開(kāi)關(guān)元件的柵極之間并被構(gòu)造成根據(jù)第一開(kāi)關(guān)元件的源-柵電壓而接通以在操作電壓端子和第一開(kāi)關(guān)元件的柵極之間保持恒定電壓；電流調(diào)節(jié)電路，連接在第一開(kāi)關(guān)元件的柵極和地之間并被構(gòu)造成根據(jù)所述控制電壓在接通狀態(tài)或斷開(kāi)狀態(tài)下操作，并在所述電流調(diào)節(jié)電路的接通狀態(tài)下基于第一開(kāi)關(guān)元件的源-柵電壓的電平根據(jù)電流控制信號(hào)來(lái)調(diào)節(jié)流向地的操作電流；電流控制電路，被構(gòu)造成在穩(wěn)壓電路單元的接通狀態(tài)下通過(guò)向所述電流調(diào)節(jié)電路提供電流控制信號(hào)來(lái)控制操作電流；信號(hào)傳輸電路，被構(gòu)造成向第二開(kāi)關(guān)元件的柵極提供控制電壓。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的驅(qū)動(dòng)電路，其中，所述操作電流包括：第一電流，在所述穩(wěn)壓電路單元的斷開(kāi)狀態(tài)下經(jīng)過(guò)第一開(kāi)關(guān)元件的源極和柵極之間的寄生電容器以及電流調(diào)節(jié)電路流向地；第二電流，在所述穩(wěn)壓電路單元的接通狀態(tài)下經(jīng)過(guò)穩(wěn)壓電路單元和電流調(diào)節(jié)電路流向地，第二電流的電流值小于第一電流的電流值。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的驅(qū)動(dòng)電路，其中，所述穩(wěn)壓電路單元包括：電阻器電路，所述電阻器電路的一端連接到操作電壓端子；穩(wěn)壓電路，連接在電阻器電路的另一端和第一開(kāi)關(guān)元件的柵極之間，并被構(gòu)造成根據(jù)第一開(kāi)關(guān)元件的源-柵電壓而接通，以在操作電壓端子和第一開(kāi)關(guān)元件的柵極之間保持恒定電壓。4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的驅(qū)動(dòng)電路，其中，所述電阻器電路包括第一電阻器；穩(wěn)壓電路包括穩(wěn)壓二極管；穩(wěn)壓二極管的擊穿電壓和第一電阻器兩端的電壓的總和小于第一開(kāi)關(guān)元件的源-柵擊穿電壓。5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的驅(qū)動(dòng)電路，其中，所述電流控制電路包括：第二P溝道金屬-氧化物-半導(dǎo)體，具有連接到操作電壓端子的源極、連接到穩(wěn)壓電路和電阻器電路之間的連接節(jié)點(diǎn)的柵極以及漏極；第三電阻器，連接在第二P溝道金屬-氧化物-半導(dǎo)體的漏極和地之間并被構(gòu)造成向電流調(diào)節(jié)電路提供電流控制信號(hào)。6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的驅(qū)動(dòng)電路，其中，所述電流調(diào)節(jié)電路包括在第一開(kāi)關(guān)元件的柵極和地之間彼此串聯(lián)連接的第一N溝道金屬-氧化物-半導(dǎo)體、第二電阻器和第一P溝道金屬-氧化物-半導(dǎo)體；第一N溝道金屬-氧化物-半導(dǎo)體被構(gòu)造成根據(jù)所述控制電壓在接通狀態(tài)或斷開(kāi)狀態(tài)下操作；第一P溝道金屬-氧化物-半導(dǎo)體被構(gòu)造成與第一N溝道金屬-氧化物-半導(dǎo)體的操作同步進(jìn)行操作并根據(jù)所述電流控制信號(hào)的電壓電平來(lái)減小流向地的操作電流。7.一種驅(qū)動(dòng)電路，包括：P溝道橫向雙擴(kuò)散金屬-氧化物-半導(dǎo)體，連接在操作電壓端子和輸出端子之間并被構(gòu)造成根據(jù)控制電壓在接通狀態(tài)或接通狀態(tài)下操作；N溝道橫向雙擴(kuò)散金屬-氧化物-半導(dǎo)體，連接在輸出端子和地之間并被構(gòu)造成根據(jù)控制電壓與P溝道橫向雙擴(kuò)散金屬-氧化物-半導(dǎo)體互補(bǔ)地操作；穩(wěn)壓電路單元，連接在操作電壓端子和P溝道橫向雙擴(kuò)散金屬-氧化物-半導(dǎo)體的柵極之間并被構(gòu)造成根據(jù)P溝道橫向雙擴(kuò)散金屬-氧化物-半導(dǎo)體的源-柵電壓而接通，以在操作電壓端子和P溝道橫向雙擴(kuò)散金屬-氧化物-半導(dǎo)體的柵極之間保持恒定電壓；電流調(diào)節(jié)電路，連接在P溝道橫向雙擴(kuò)散金屬-氧化物-半導(dǎo)體的柵極和地之間并被構(gòu)造成根據(jù)所述控制電壓在接通狀態(tài)或斷開(kāi)狀態(tài)下操作，并在所述電流調(diào)節(jié)電路的接通狀態(tài)下基于所述P溝道橫向雙擴(kuò)散金屬-氧化物-半導(dǎo)體的源-柵電壓的電平根據(jù)電流控制信號(hào)來(lái)調(diào)節(jié)流向地的操作電流；電流控制電路，被構(gòu)造成在穩(wěn)壓電路單元的接通狀態(tài)下通過(guò)向電流調(diào)節(jié)電路提供所述電流控制信號(hào)來(lái)控制所述操作電流；信號(hào)傳輸電路，被構(gòu)造成向N溝道橫向雙擴(kuò)散金屬-氧化物-半導(dǎo)體的柵極提供所述控制電壓。8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的驅(qū)動(dòng)電路，其中，所述操作電流包括：第一電流，在穩(wěn)壓電路單元的斷開(kāi)狀態(tài)下經(jīng)過(guò)在P溝道橫向雙擴(kuò)散金屬-氧化物-半導(dǎo)體的源極和柵極之間的寄生電容器以及電流調(diào)節(jié)電路流向地；第二電流，在穩(wěn)壓電路單元的接通狀態(tài)下經(jīng)過(guò)穩(wěn)壓電路單元和電流調(diào)節(jié)電路流向地，第二電流的電流值小于第一電流的電流值。9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的驅(qū)動(dòng)電...

【專利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員：許暢宰，方誠(chéng)晩，
申請(qǐng)(專利權(quán))人：三星電機(jī)株式會(huì)社，
類型：發(fā)明
國(guó)別省市：韓國(guó),KR