摻鎵多晶硅電池制造技術

本實用新型專利技術提供了一種摻鎵多晶硅電池。它解決了現有多晶硅太陽能電池片的結構過于簡單，其光致衰減的現象嚴重，產品質量差等技術問題。本摻鎵多晶硅電池，包括硅片，硅片為摻鎵多晶硅硅片，硅片的正面鍍有雙層減反射膜，雙層減反射膜上印刷有正電極，正電極包括3條主柵線和98條細柵線，主柵線與細柵線相互垂直并導通，主柵線上開設有若干個鏤空孔，且鏤空孔交錯分布，主柵線的四周還具有呈鋸齒狀的輔助部；硅片的背面印刷有3條背電極，背電極為分段不連續(xù)結構，背電極分為4段，每段長度為15?16mm，每段寬度為1.7?1.9mm，每段上還具有若干個連接腳，連接腳長度為0.23?0.27mm。本實用新型專利技術具有產品質量好的優(yōu)點。

【技術實現步驟摘要】
摻鎵多晶硅電池
本技術屬于電池片
，涉及一種多晶硅電池，特別是一種摻鎵多晶硅電池。
技術介紹
電池片一般分為單晶硅、多晶硅和非晶硅。其中，單晶：構成整個晶體的各種離子或原子全都是按照一定的方向和順序排列；多晶：由多個單晶體混亂地結合在一起，晶體之間有明顯的界限；非晶：組成原子的排列為長程無序，短程有序，原子間的鍵合類似晶體硅，形成一種共價無規(guī)網狀結構。目前太陽電池使用的多晶硅材料，多半是含有大量單晶顆粒的集合體，或用廢次單晶硅料和冶金級硅材料熔化澆鑄而成硅錠。多晶硅太陽電池的制作工藝與單晶硅太陽電池差不多，其光電轉換效率稍低于單晶硅太陽電池，但是材料制造簡便，節(jié)約電耗，總的生產成本較低，因此，得到大量發(fā)展。經檢索，如中國專利文獻公開了一種改進型多晶硅太陽能電池片【申請?zhí)枺?01520091159.9；公開號：CN204375765U】。這種改進型多晶硅太陽能電池片，包括硅片，硅片的表面設有反折射膜，反折射膜的上面印有主柵線和次柵線，硅片的背面印有背電極，其特征是，所述反折射膜是由二氧化硅空心球薄膜和氮氧化硅薄膜組成的復合層，所述二氧化硅空心球薄膜的厚度為18—20nm，所述氮氧化硅薄膜的厚度為36—40nm，所述主柵線和次柵線呈相互垂直狀，所述主柵線具有三根，其中一根設置在所述硅片的對稱線上，另外二根分置在所述對稱線上的主柵線兩側，且各相距52mm，所述次柵線為等距離分布，所述主柵線包括細實線和間隔設置在細實線上的多個寬度大于細實線的粗實線段，所述細實線的寬度為0.3mm，所述粗實線段的寬度為0.8mm，每根次柵線的線寬為40um，每根次柵線的兩端距離硅片邊緣均為1.5mm，所述背電極為一種由若干銀珠均勻分布構成設定長度和寬度的銀帶，所述銀珠為圓柱形，相鄰銀珠之間保持設定的間距，所述背電極長度為12.5mm，寬度為2.8mm，構成背電極的銀珠直徑為0.25mm，橫向和縱向的任何相鄰的兩個銀珠的間距為0.35mm。該專利中公開的多晶硅太陽能電池片雖然制造成本低，但是，該多晶硅太陽能電池片的結構過于簡單，其光致衰減的現象嚴重，產品質量差，因此，設計出一種摻鎵多晶硅電池是很有必要的。
技術實現思路
本技術的目的是針對現有的技術存在上述問題，提出了一種摻鎵多晶硅電池，該電池具有產品質量好的特點。本技術的目的可通過下列技術方案來實現：摻鎵多晶硅電池，包括硅片，其特征在于，所述硅片為摻鎵多晶硅硅片，硅片的正面鍍有雙層減反射膜，雙層減反射膜上印刷有正電極，正電極包括3條主柵線和98條細柵線，主柵線與細柵線相互垂直并導通，主柵線上開設有若干個鏤空孔，且鏤空孔交錯分布，主柵線的四周還具有呈鋸齒狀的輔助部；硅片的背面印刷有3條背電極，背電極為分段不連續(xù)結構，背電極分為4段，每段長度為15-16mm，每段寬度為1.7-1.9mm，每段上還具有若干個連接腳，連接腳長度為0.23-0.27mm。采用以上結構，硅片為摻鎵多晶硅硅片，可大大降低光致衰減的現象，同時，主柵線上開設有鏤空孔，主柵線的四周具有輔助部，大大增加了主柵線內部和邊緣的拉力，可使主柵線不容易脫落，從而可確保產品能夠長時間正常使用，產品質量好。所述雙層減反射膜包括由下至上分布的第一層膜和第二層膜，第二層膜的厚度大于第一層膜的厚度，第一層膜的厚度為18-22nm，第二層膜的厚度為58-62nm。采用以上結構，通過第一層膜和第二層膜的雙重作用，可減少入射光的反射率，提高了電池的光電轉換效率。所述第一層膜為氮化硅膜，第二層膜為二氧化鈦膜。作為另一種方案，所述第一層膜和第二層膜均為氮化硅膜。所述硅片的四角為圓角，圓角的半徑為3-5mm。采用以上結構，可以減少電池的應力集中，增加電池的強度和表面積，提高了發(fā)電效率。所述硅片的厚度為168-178μm。采用以上結構，可使硅片具有足夠的使用強度。所述硅片的四周噴涂有絕緣膜層，絕緣膜層上還設置有若干凸出的防滑部。采用以上結構，通過絕緣膜層可避免電池在后續(xù)組裝過程中出現碰傷或者掉落，防護作用好。與現有技術相比，本摻鎵多晶硅電池具有以下優(yōu)點：1、本技術中硅片為摻鎵多晶硅硅片，可大大降低光致衰減的現象，同時，主柵線上開設有鏤空孔，主柵線的四周具有輔助部，大大增加了主柵線內部和邊緣的拉力，可使主柵線不容易脫落，從而可確保產品能夠長時間正常使用，產品質量好。2、通過絕緣膜層可避免電池在后續(xù)組裝過程中出現碰傷或者掉落，防護作用好。附圖說明圖1是本技術正面的平面結構示意圖。圖2是圖1中A處的局部放大示意圖。圖3是本技術背面的平面結構示意圖。圖4是本技術的剖視圖。圖中，1、硅片；2、主柵線；2a、輔助部；2b、鏤空孔；3、細柵線；4、背電極；6、絕緣膜層；7、雙層減反射膜。具體實施方式以下是本技術的具體實施例并結合附圖，對本技術的技術方案作進一步的描述，但本技術并不限于這些實施例。如圖1-圖4所示，本摻鎵多晶硅電池，包括硅片1，硅片1為摻鎵多晶硅硅片，在本實施例中，摻鎵多晶硅硅片采用市場上可以買到的現有產品；硅片1的正面鍍有雙層減反射膜7，雙層減反射膜7上印刷有正電極，正電極包括3條主柵線2和98條細柵線3，主柵線2與細柵線3相互垂直并導通，主柵線2上開設有若干個鏤空孔2b，在本實施例中，鏤空孔2b的數量為一百個；且鏤空孔2b交錯分布，主柵線2的四周還具有呈鋸齒狀的輔助部2a；硅片1的背面印刷有3條背電極4，背電極4為分段不連續(xù)結構，背電極4分為4段，每段長度為15-16mm，在本實施例中，每段長度為15mm；每段寬度為1.7-1.9mm，在本實施例中，每段寬度為1.8mm；每段上還具有若干個連接腳，在本實施例中，連接腳的數量為二十個；連接腳長度為0.23-0.27mm，在本實施例中，連接腳長度為0.25mm。采用該結構，硅片1為摻鎵多晶硅硅片，可大大降低光致衰減的現象，同時，主柵線2上開設有鏤空孔2b，主柵線2的四周具有輔助部2a，大大增加了主柵線2內部和邊緣的拉力，可使主柵線2不容易脫落，從而可確保產品能夠長時間正常使用，產品質量好。雙層減反射膜7包括由下至上分布的第一層膜和第二層膜，第二層膜的厚度大于第一層膜的厚度，第一層膜的厚度為18-22nm，在本實施例中，第一層膜的厚度為20nm；第二層膜的厚度為58-62nm，在本實施例中，第二層膜的厚度為60nm。采用該結構，通過第一層膜和第二層膜的雙重作用，可減少入射光的反射率，提高了電池的光電轉換效率。第一層膜為氮化硅膜，第二層膜為二氧化鈦膜。當然，根據實施情況，也可以采用實施方案，第一層膜和第二層膜均為氮化硅膜。硅片1的四角為圓角，圓角的半徑為3-5mm，在本實施例中，圓角的半徑為4mm。采用該結構，可以減少電池的應力集中，增加電池的強度和表面積，提高了發(fā)電效率。硅片1的厚度為168-178μm，在本實施例中，硅片1的厚度為172μm。采用該結構，可使硅片1具有足夠的使用強度。硅片1的四周噴涂有絕緣膜層6，絕緣膜層6上還設置有若干凸出的防滑部，在本實施例中，防滑部的數量為六個。采用該結構，通過絕緣膜層6可避免電池在后續(xù)組裝過程中出現碰傷或者掉落，防護作用好。本文中所描述的具體實施例僅僅是對本技術精神作舉例說明。本技術所屬
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【技術保護點】
摻鎵多晶硅電池，包括硅片，其特征在于，所述硅片為摻鎵多晶硅硅片，硅片的正面鍍有雙層減反射膜，雙層減反射膜上印刷有正電極，正電極包括3條主柵線和98條細柵線，主柵線與細柵線相互垂直并導通，主柵線上開設有若干個鏤空孔，且鏤空孔交錯分布，主柵線的四周還具有呈鋸齒狀的輔助部；硅片的背面印刷有3條背電極，背電極為分段不連續(xù)結構，背電極分為4段，每段長度為15?16mm，每段寬度為1.7?1.9mm，每段上還具有若干個連接腳，連接腳長度為0.23?0.27mm。

【技術特征摘要】
1.摻鎵多晶硅電池，包括硅片，其特征在于，所述硅片為摻鎵多晶硅硅片，硅片的正面鍍有雙層減反射膜，雙層減反射膜上印刷有正電極，正電極包括3條主柵線和98條細柵線，主柵線與細柵線相互垂直并導通，主柵線上開設有若干個鏤空孔，且鏤空孔交錯分布，主柵線的四周還具有呈鋸齒狀的輔助部；硅片的背面印刷有3條背電極，背電極為分段不連續(xù)結構，背電極分為4段，每段長度為15-16mm，每段寬度為1.7-1.9mm，每段上還具有若干個連接腳，連接腳長度為0.23-0.27mm。2.根據權利要求1所述的摻鎵多晶硅電池，其特征在于，所述雙層減反射膜包括由下至上分布的第一層膜和第二層膜，第二層膜的厚...

【專利技術屬性】
技術研發(fā)人員：范啟超，徐兆遠，
申請(專利權)人：浙江晶能光電有限公司，
類型：新型
國別省市：浙江,33