本發明專利技術公開了一種顯示面板及顯示裝置,柵線和數據線的延伸方向相同,與同一像素開關晶體管相連的柵線和數據線均位于像素開關晶體管所對應的像素電極的同一側;黑矩陣分別覆蓋柵線、數據線和隔墊物;相鄰兩個隔墊物對應的黑矩陣獨立設置,且柵線對應的黑矩陣的寬度小于隔墊物對應的黑矩陣的寬度。這樣將隔墊物對應的黑矩陣獨立設置,而對于柵線位置處的黑矩陣的寬度只需要以柵線的寬度為準,不需要像現有的顯示面板需要將柵線位置處的黑矩陣的寬度設置為與隔墊物位置處的黑矩陣的寬度相同,由于柵線的寬度相比隔墊物的寬度小很多,因此將柵線位置處黑矩陣的寬度減小可以提高像素開口率。
【技術實現步驟摘要】
一種顯示面板及顯示裝置
本專利技術涉及顯示
,尤其涉及一種顯示面板及顯示裝置。
技術介紹
薄膜晶體管液晶顯示器(ThinFilmTransistorLiquidCrystalDisplay,TFT-LCD)由于具有體積小、功耗低、無輻射等優點而備受業界關注。它的主體結構為對盒設置的陣列基板和對向基板,以及位于陣列基板和對向基板之間的隔墊物和液晶。如圖1所示,陣列基板01上形成有交叉設置的柵線02和數據線03,以及由柵線02和數據線03限定的像素單元,每個像素單元包括像素開關晶體管04和像素電極05。對向基板上形成有用于遮擋柵線02、數據線03和隔墊物06的黑矩陣07。現有的液晶顯示器中,隔墊物一般位于柵線上,由于隔墊物的寬度較寬,因此沿柵線方向的黑矩陣為了做到同時遮擋柵線和隔墊物,寬度較寬,從而嚴重影響液晶顯示器的像素開口率,不利于提高顯示效果。
技術實現思路
本專利技術實施例提供的一種顯示面板及顯示裝置,用以實現增大像素開口率。因此,本專利技術實施例提供了一種顯示面板,包括相對設置的陣列基板和對向基板,位于所述陣列基板與所述對向基板之間的隔墊物和黑矩陣,其中所述陣列基板上設置有呈矩陣排列的多個由像素電極和像素開關晶體管組成的像素結構;分別與各列所述像素結構中的所述像素開關晶體管一一對應連接的數據線,分別與各行所述像素結構中的所述像素開關晶體管一一對應連接的柵線;所述黑矩陣覆蓋所述柵線、所述數據線和所述隔墊物;所述柵線和所述數據線的延伸方向相同;與同一所述像素開關晶體管相連的所述柵線和所述數據線均位于所述像素開關晶體管所對應的所述像素電極的同一側,且所述柵線與所述像素開關晶體管的有源層有至少一個交疊區域;相鄰兩個所述隔墊物對應的黑矩陣獨立設置,且所述柵線對應的黑矩陣的寬度小于所述隔墊物對應的黑矩陣的寬度。較佳地,在本專利技術實施例提供的上述顯示面板中,針對與同一所述像素開關晶體管相連的所述柵線和所述數據線,其中所述柵線與所述像素電極的距離小于所述數據線與所述像素電極之間的距離。較佳地,在本專利技術實施例提供的上述顯示面板中,所述柵線位于所述像素電極與所述數據線之間。較佳地,在本專利技術實施例提供的上述顯示面板中,所述數據線在所述陣列基板的正投影與所述柵線在所述陣列基板的正投影至少部分重疊。較佳地,在本專利技術實施例提供的上述顯示面板中,所述柵線與所述像素開關晶體管的有源層有三個交疊區域。較佳地,在本專利技術實施例提供的上述顯示面板中,所述有源層在所述陣列基板的正投影呈折線形。較佳地,在本專利技術實施例提供的上述顯示面板中,還包括位于所述陣列基板與所述有源層之間且與所述有源層一一對應的遮光部,且所述遮光部覆蓋所述柵線與所述有源層的交疊區域。較佳地,在本專利技術實施例提供的上述顯示面板中,所述遮光部包括n個子遮光部,一個所述子遮光部對應一個所述交疊區域,其中n為所述交疊區域的個數。較佳地,在本專利技術實施例提供的上述顯示面板中,所述顯示面板為液晶顯示面板。相應地,本專利技術實施例還提供了一種顯示裝置,包括本專利技術實施例提供的上述任一種顯示面板。本專利技術實施例提供的顯示面板及顯示裝置,柵線和數據線的延伸方向相同,與同一像素開關晶體管相連的柵線和數據線均位于像素開關晶體管所對應的像素電極的同一側;黑矩陣分別覆蓋柵線、數據線和隔墊物;相鄰兩個隔墊物對應的黑矩陣獨立設置,且柵線對應的黑矩陣的寬度小于隔墊物對應的黑矩陣的寬度。這樣將隔墊物對應的黑矩陣獨立設置,而對于柵線位置處的黑矩陣的寬度只需要以柵線的寬度為準,不需要像現有的顯示面板需要將柵線位置處的黑矩陣的寬度設置為與隔墊物位置處的黑矩陣的寬度相同,由于柵線的寬度相比隔墊物的寬度小很多,因此將柵線位置處黑矩陣的寬度減小可以提高像素開口率。附圖說明圖1為現有的的液晶顯示器的結構示意圖;圖2為本專利技術實施例提供的顯示面板的結構示意圖之一;圖3為本專利技術實施例提供的顯示面板的結構示意圖之二;圖4為本專利技術實施例提供的顯示面板的結構示意圖之三;圖5為本專利技術實施例提供的顯示面板的結構示意圖之四。具體實施方式為了使本專利技術的目的,技術方案和優點更加清楚,下面結合附圖,對本專利技術實施例提供的顯示面板及顯示裝置的具體實施方式進行詳細地說明。附圖中各層薄膜厚度和形狀不反映顯示面板的真實比例,目的只是示意說明本
技術實現思路
。本專利技術實施例提供的顯示面板,如圖2所示,包括相對設置的陣列基板01和對向基板(圖中未示出),位于陣列基板01與對向基板之間的隔墊物06和黑矩陣07,其中陣列基板01上設置有呈矩陣排列的多個由像素電極05和像素開關晶體管04組成的像素結構;分別與各列像素結構中的像素開關晶體管04一一對應連接的數據線03,分別與各行像素結構中的像素開關晶體管04一一對應連接的柵線02;黑矩陣07覆蓋柵線02、數據線03和隔墊物06;柵線02和數據線03的延伸方向相同;與同一像素開關晶體管04相連的柵線02和數據線03均位于像素開關晶體管04所對應的像素電極05的同一側,且柵線02與像素開關晶體管04的有源層08有至少一個交疊區域;相鄰兩個隔墊物06對應的黑矩陣07獨立設置,且柵線02對應的黑矩陣07的寬度小于隔墊物06對應的黑矩陣07的寬度。本專利技術實施例提供的顯示面板,柵線和數據線的延伸方向相同,與同一像素開關晶體管相連的柵線和數據線均位于像素開關晶體管所對應的像素電極的同一側;黑矩陣分別覆蓋柵線、數據線和隔墊物;相鄰兩個隔墊物對應的黑矩陣獨立設置,且柵線對應的黑矩陣的寬度小于隔墊物對應的黑矩陣的寬度。這樣將隔墊物對應的黑矩陣獨立設置,而對于柵線位置處的黑矩陣的寬度只需要以柵線的寬度為準,不需要像現有的顯示面板需要將柵線位置處的黑矩陣的寬度設置為與隔墊物位置處的黑矩陣的寬度相同,由于柵線的寬度相比隔墊物的寬度小很多,因此將柵線位置處黑矩陣的寬度減小可以提高像素開口率。具體實施時,在本專利技術實施例提供的上述具體實施時,在本專利技術實施例提供的上述顯示面板中,如圖3-圖5所示(圖3-圖5中均以一個像素結構為例進行說明),針對與同一像素開關晶體管04相連的柵線02和數據線03,其中柵線02與像素電極05的距離小于數據線03與像素電極05之間的距離。這樣設計是因為像素開關晶體管的有源層在連接像素電極與數據線時,有源層能夠越過柵線從而使柵線與有源層有交疊區域。較佳地,具體實施時,在本專利技術實施例提供的上述顯示面板中,為了進一步減少黑矩陣的占用面積,數據線在陣列基板的正投影與柵線在陣列基板的正投影至少部分重疊。由于使數據線在陣列基板的正投影與柵線在陣列基板的正投影有重疊的制作工藝有難度,因此具體實施時,在本專利技術實施例提供的上述顯示面板中,如圖3-圖5所示,柵線02位于像素電極05與數據線03之間。具體實施時,由于多柵結構的像素開關晶體管有利于減小漏電流,因此在本專利技術實施例提供的上述顯示面板中,柵線與像素開關晶體管的有源層的交疊區域越多,越有利于減小漏電流。具體實施時,柵線與像素開關晶體管的有源層的交疊區域越多,有源層占用的空間面積就越大,不利于提升像素開口率。較佳地,在本專利技術實施例提供的上述顯示面板中,如圖3-圖5所示,柵線02與像素開關晶體管04的有源層08有三個交疊區域,即形成三柵結構。具體實施時,在本專利技術實施例提供的上述顯示面板中,有源層在陣列本文檔來自技高網...

【技術保護點】
一種顯示面板,包括相對設置的陣列基板和對向基板,位于所述陣列基板與所述對向基板之間的隔墊物和黑矩陣,其中所述陣列基板上設置有呈矩陣排列的多個由像素電極和像素開關晶體管組成的像素結構;分別與各列所述像素結構中的所述像素開關晶體管一一對應連接的數據線,分別與各行所述像素結構中的所述像素開關晶體管一一對應連接的柵線;所述黑矩陣覆蓋所述柵線、所述數據線和所述隔墊物;其特征在于:所述柵線和所述數據線的延伸方向相同;與同一所述像素開關晶體管相連的所述柵線和所述數據線均位于所述像素開關晶體管所對應的所述像素電極的同一側,且所述柵線與所述像素開關晶體管的有源層有至少一個交疊區域;相鄰兩個所述隔墊物對應的黑矩陣獨立設置,且所述柵線對應的黑矩陣的寬度小于所述隔墊物對應的黑矩陣的寬度。
【技術特征摘要】
1.一種顯示面板,包括相對設置的陣列基板和對向基板,位于所述陣列基板與所述對向基板之間的隔墊物和黑矩陣,其中所述陣列基板上設置有呈矩陣排列的多個由像素電極和像素開關晶體管組成的像素結構;分別與各列所述像素結構中的所述像素開關晶體管一一對應連接的數據線,分別與各行所述像素結構中的所述像素開關晶體管一一對應連接的柵線;所述黑矩陣覆蓋所述柵線、所述數據線和所述隔墊物;其特征在于:所述柵線和所述數據線的延伸方向相同;與同一所述像素開關晶體管相連的所述柵線和所述數據線均位于所述像素開關晶體管所對應的所述像素電極的同一側,且所述柵線與所述像素開關晶體管的有源層有至少一個交疊區域;相鄰兩個所述隔墊物對應的黑矩陣獨立設置,且所述柵線對應的黑矩陣的寬度小于所述隔墊物對應的黑矩陣的寬度。2.如權利要求1所述的顯示面板,其特征在于,針對與同一所述像素開關晶體管相連的所述柵線和所述數據線,其中所述柵線與所述像素電極的距離小于所述數據線與所述像素電極之間的距離。3.如權...
【專利技術屬性】
技術研發人員:郭志軒,王鳳國,史大為,武新國,劉弘,李峰,王子峰,楊璐,徐海峰,王文濤,姚磊,閆雷,李元博,高敏,
申請(專利權)人:京東方科技集團股份有限公司,鄂爾多斯市源盛光電有限責任公司,
類型:發明
國別省市:北京,11
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