薄膜晶體管陣列基板的制作方法及薄膜晶體管陣列基板技術

一種薄膜晶體管陣列基板的制作方法及薄膜晶體管陣列基板，其中的制作方法為：在完成硅薄膜晶體管的部分制程及電容制程后，先形成頂柵結構的氧化物薄膜晶體管，再形成硅薄膜晶體管漏極、硅薄膜晶體管源極、氧化物薄膜晶體管漏極和氧化物薄膜晶體管源極，從而在緩沖層上的第一位置、第二位置及第三位置處形成硅薄膜晶體管、電容與氧化物薄膜晶體管，由于制得的薄膜晶體管陣列基板包括頂柵型的氧化物薄膜晶體管，且硅薄膜晶體管的柵極與源漏極之間間隔多層絕緣層而距離增大，從而有效降低了整體的寄生電容，有利于改善顯示器件的高分辨顯示效果。

【技術實現步驟摘要】
薄膜晶體管陣列基板的制作方法及薄膜晶體管陣列基板
本專利技術涉及顯示
，特別是關于一種薄膜晶體管陣列基板的制作方法及薄膜晶體管陣列基板。
技術介紹
隨著顯示技術的發展，基于低溫多晶硅(LowTemperaturePoly-Silicon，LTPS)的顯示器件越來越多地運用到日常顯示中。采用低溫多晶硅有許多優點，如薄膜電路可以做得更薄更小、功耗更低，但采用低溫多晶硅也存在漏電流高、均一性差和顯示屏斑點(mura)等缺陷。隨著顯示分辨率的增高，顯示器件所需的驅動電流越來越小，由于LTPS提供的驅動電流較大，通常需要設計成U型溝道或者S型溝道，而采用氧化物半導體作為驅動薄膜晶體管，可以縮小器件面積，實現高分辨。因此，低溫多晶硅和氧化物半導體相結合的技術越來越受到業內的關注。然而，現有采用低溫多晶硅和氧化物薄膜晶體管混合結構的薄膜晶體管陣列基板仍存在寄生電容較大的問題，在制作高分辨顯示屏體時RC延遲較為嚴重，不能很好的滿足顯示器件的高分辨顯示要求，不利于該項技術的優勢發揮。
技術實現思路
本專利技術的目的在于提供一種薄膜晶體管陣列基板的制作方法，可制得寄生電容較小的薄膜晶體管陣列基板。本專利技術提供一種薄膜晶體管陣列基板的制作方法，包括：提供一基板，在所述基板上依次形成緩沖層、圖案化的多晶硅層、第一柵絕緣層、圖案化的第一金屬層、電容絕緣層、圖案化的第二金屬層及第一層間絕緣層，其中，所述圖案化的多晶硅層包括位于所述緩沖層的第一位置處的硅薄膜晶體管有源層，所述圖案化的第一金屬層包括位于所述硅薄膜晶體管有源層上方的硅薄膜晶體管柵極和位于所述緩沖層的第二位置上方的電容下電極，所述圖案化的第二金屬層包括位于所述電容下電極上方的電容上電極；刻蝕除去所述電容絕緣層和所述第一層間絕緣層的位于所述緩沖層的第三位置上方的部分以暴露出所述第一柵絕緣層的位于所述第三位置上方的部分；依次形成圖案化的氧化物半導體層、第二柵絕緣層、圖案化的第三金屬層、第二層間絕緣層，所述圖案化的氧化物半導體層包括位于所述緩沖層的第三位置上方的氧化物薄膜晶體管有源層，所述圖案化的第三金屬層包括位于所述氧化物薄膜晶體管有源層上方的氧化物薄膜晶體管柵極；形成第一過孔、第二過孔、第三過孔與第四過孔，所述第一過孔與所述第二過孔分別暴露出所述硅薄膜晶體管有源層的兩端，所述第三過孔與所述第四過孔分別暴露出所述氧化物薄膜晶體管有源層的兩端；形成圖案化的第四金屬層，所述第四金屬層包括硅薄膜晶體管漏極、硅薄膜晶體管源極、氧化物薄膜晶體管漏極和氧化物薄膜晶體管源極，其中，所述硅薄膜晶體管漏極和所述硅薄膜晶體管源極分別通過所述第一過孔和所述第二過孔與所述硅薄膜晶體管有源層的兩端接觸，所述氧化物薄膜晶體管漏極和所述氧化物薄膜晶體管源極分別通過所述第三過孔和所述第四過孔與所述氧化物薄膜晶體管有源層的兩端接觸。進一步的，所述第二柵絕緣層為圖案化的第二柵絕緣層，形成所述圖案化的第二柵絕緣層的步驟包括：沉積一柵絕緣層；刻蝕除去所述柵絕緣層的位于所述第一位置與所述第二位置上方的部分以形成圖案化的第二柵絕緣層。進一步的，所述第二位置位于所述第一位置與所述第三位置之間。進一步的，所述多晶硅層為低溫多晶硅層，所述氧化物半導體層為銦鎵鋅氧化物層。進一步的，采用濕刻工藝同時形成所述第一過孔、所述第二過孔、所述第三過孔與所述第四過孔。進一步的，采用等離子干刻工藝同時形成所述第一過孔、所述第二過孔、所述第三過孔與所述第四過孔。進一步的，所述形成第一過孔、第二過孔、第三過孔與第四過孔的步驟之后，還包括：對所述第三過孔與所述第四過孔分別暴露出的所述氧化物薄膜晶體管有源層兩端的表面進行等離子體處理。進一步的，所述電容絕緣層、所述第一層間絕緣層和所述第二層間絕緣層為氮化硅層。進一步的，所述形成圖案化的第四金屬層的步驟之后，還包括：依次形成鈍化層和平坦化層；形成第五過孔，所述第五過孔暴露出所述氧化物薄膜晶體管源極；形成銦錫氧化物半導體透明導電層，所述銦錫氧化物半導體透明導電層通過所述第五過孔與所述氧化物薄膜晶體管源極接觸。本專利技術還提供一種薄膜晶體管陣列基板，所述薄膜晶體管陣列基板采用如上所述的薄膜晶體管陣列基板的制作方法的制成。本專利技術實施例的薄膜晶體管陣列基板的制作方法中，在完成硅薄膜晶體管的部分制程及電容制程后，先形成頂柵結構的氧化物薄膜晶體管，再形成硅薄膜晶體管漏極、硅薄膜晶體管源極、氧化物薄膜晶體管漏極和氧化物薄膜晶體管源極，從而在緩沖層上的第一位置、第二位置及第三位置處形成硅薄膜晶體管、電容與氧化物薄膜晶體管，由于制得的薄膜晶體管陣列基板包括頂柵型的氧化物薄膜晶體管，且硅薄膜晶體管的柵極與源漏極之間間隔多層絕緣層而距離增大，從而有效降低了整體的寄生電容，有利于改善顯示器件的高分辨顯示效果。附圖說明圖1為本專利技術一個實施例中薄膜晶體管陣列基板的制作方法的流程圖。圖2為采用本專利技術實施例的制作方法制成的薄膜晶體管陣列基板的結構示意圖。圖3為采用本專利技術實施例的制作方法制成的薄膜晶體管陣列基板的另一結構示意圖。具體實施方式為更進一步闡述本專利技術為達成預定專利技術目的所采取的技術手段及功效，以下結合附圖及較佳實施例，對本專利技術的具體實施方式、結構、特征及其功效，詳細說明如后。圖1為本專利技術一個實施例中薄膜晶體管陣列基板的制作方法的流程圖。如圖1所示，本專利技術實施例的薄膜晶體管陣列基板的制作方法可包括以下步驟：步驟11，提供一基板，在基板上依次形成緩沖層、圖案化的多晶硅層、第一柵絕緣層、圖案化的第一金屬層、電容絕緣層、圖案化的第二金屬層及第一層間絕緣層。請結合圖2，本專利技術實施例的薄膜晶體管陣列基板的制作方法用于制備同時具有硅薄膜晶體管210、電容220及氧化物薄膜晶體管230的薄膜晶體管陣列基板，步驟11可具體包括：步驟111，提供一基板24。本實施例中，基板24為透明基板，優選為玻璃基板。步驟112，在基板24上形成緩沖層25。本實施例中，緩沖層25為氧化硅(SiOX)。步驟113，在緩沖層25上形成一多晶硅層(LTPS)，圖案化所述多晶硅層，形成位于緩沖層25的第一位置處(即用于形成硅薄膜晶體管210的位置處)的硅薄膜晶體管有源層211。步驟114，在圖案化的多晶硅層上形成第一柵絕緣層212。本實施例中，第一柵絕緣層212采用氧化硅(SiOX)。步驟115，在第一柵絕緣層212上形成第一金屬層(M1層)，圖案化所述第一金屬層，形成位于硅薄膜晶體管有源層211上方的硅薄膜晶體管柵極213和位于緩沖層25的第二位置(即用于形成電容220的位置)上方的電容下電極221。步驟116，在圖案化的第一金屬層上形成電容絕緣層214。本實施例中，電容絕緣層214采用氮化硅(SiNX)。步驟117，在電容絕緣層214上形成第二金屬層(M2)，圖案化所述第二金屬層，形成位于電容下電極221上方的電容上電極222。步驟118，在圖案化的第二金屬層上形成第一層間絕緣層215。本實施例中，第一層間絕緣層215采用氮化硅(SiNX)。步驟11中，在緩沖層25(或基板24)的第一位置處形成了硅薄膜晶體管210的部分結構，尤其是形成了硅薄膜晶體管有源層211，以及在緩沖層25(或基板24)的第二位置處形成了電容220，包括電容下電極221與電容上電極222本文檔來自技高網...

【技術保護點】
一種薄膜晶體管陣列基板的制作方法，其特征在于，包括：提供一基板，在所述基板上依次形成緩沖層、圖案化的多晶硅層、第一柵絕緣層、圖案化的第一金屬層、電容絕緣層、圖案化的第二金屬層及第一層間絕緣層，其中，所述圖案化的多晶硅層包括位于所述緩沖層的第一位置處的硅薄膜晶體管有源層，所述圖案化的第一金屬層包括位于所述硅薄膜晶體管有源層上方的硅薄膜晶體管柵極和位于所述緩沖層的第二位置上方的電容下電極，所述圖案化的第二金屬層包括位于所述電容下電極上方的電容上電極；刻蝕除去所述電容絕緣層和所述第一層間絕緣層的位于所述緩沖層的第三位置上方的部分以暴露出所述第一柵絕緣層的位于所述第三位置上方的部分；依次形成圖案化的氧化物半導體層、第二柵絕緣層、圖案化的第三金屬層、第二層間絕緣層，所述圖案化的氧化物半導體層包括位于所述緩沖層的第三位置上方的氧化物薄膜晶體管有源層，所述圖案化的第三金屬層包括位于所述氧化物薄源膜晶體管有源層上方的氧化物薄膜晶體管柵極；形成第一過孔、第二過孔、第三過孔與第四過孔，所述第一過孔與所述第二過孔分別暴露出所述硅薄膜晶體管有源層的兩端，所述第三過孔與所述第四過孔分別暴露出所述氧化物薄膜晶體管有源層的兩端；形成圖案化的第四金屬層，所述第四金屬層包括硅薄膜晶體管漏極、硅薄膜晶體管源極、氧化物薄膜晶體管漏極和氧化物薄膜晶體管源極，其中，所述硅薄膜晶體管漏極和所述硅薄膜晶體管源極分別通過所述第一過孔和所述第二過孔與所述硅薄膜晶體管有源層的兩端接觸，所述氧化物薄膜晶體管漏極和所述氧化物薄膜晶體管源極分別通過所述第三過孔和所述第四過孔與所述氧化物薄膜晶體管有源層的兩端接觸。...

【技術特征摘要】
1.一種薄膜晶體管陣列基板的制作方法，其特征在于，包括：提供一基板，在所述基板上依次形成緩沖層、圖案化的多晶硅層、第一柵絕緣層、圖案化的第一金屬層、電容絕緣層、圖案化的第二金屬層及第一層間絕緣層，其中，所述圖案化的多晶硅層包括位于所述緩沖層的第一位置處的硅薄膜晶體管有源層，所述圖案化的第一金屬層包括位于所述硅薄膜晶體管有源層上方的硅薄膜晶體管柵極和位于所述緩沖層的第二位置上方的電容下電極，所述圖案化的第二金屬層包括位于所述電容下電極上方的電容上電極；刻蝕除去所述電容絕緣層和所述第一層間絕緣層的位于所述緩沖層的第三位置上方的部分以暴露出所述第一柵絕緣層的位于所述第三位置上方的部分；依次形成圖案化的氧化物半導體層、第二柵絕緣層、圖案化的第三金屬層、第二層間絕緣層，所述圖案化的氧化物半導體層包括位于所述緩沖層的第三位置上方的氧化物薄膜晶體管有源層，所述圖案化的第三金屬層包括位于所述氧化物薄源膜晶體管有源層上方的氧化物薄膜晶體管柵極；形成第一過孔、第二過孔、第三過孔與第四過孔，所述第一過孔與所述第二過孔分別暴露出所述硅薄膜晶體管有源層的兩端，所述第三過孔與所述第四過孔分別暴露出所述氧化物薄膜晶體管有源層的兩端；形成圖案化的第四金屬層，所述第四金屬層包括硅薄膜晶體管漏極、硅薄膜晶體管源極、氧化物薄膜晶體管漏極和氧化物薄膜晶體管源極，其中，所述硅薄膜晶體管漏極和所述硅薄膜晶體管源極分別通過所述第一過孔和所述第二過孔與所述硅薄膜晶體管有源層的兩端接觸，所述氧化物薄膜晶體管漏極和所述氧化物薄膜晶體管源極分別通過所述第三過孔和所述第四過孔與所述氧化物薄膜晶體管有源層的兩端接觸。2.如權利要求1所述的薄膜晶體管陣列基板的制作方法，其特征在于，所述第二柵絕緣層為圖案化的第...

【專利技術屬性】
技術研發人員：袁波，劉玉成，徐琳，胡坤，
申請(專利權)人：昆山工研院新型平板顯示技術中心有限公司，昆山國顯光電有限公司，
類型：發明
國別省市：江蘇,32