發光裝置以及其制造方法制造方法及圖紙

本發明專利技術公開一種發光裝置以及其制造方法。該發光裝置包含一發光元件、一波長轉換層以及一可透光元件。發光元件包含一頂面、一底面、多個側面及一第一電性接點。其中，頂面及底面通過多個側面相互連結，第一電性接點形成在底面上。波長轉換層包含一透明粘合劑及多顆波長轉換粒子且至少覆蓋發光元件的頂面。可透光元件包含一出光面且位于波長轉換層之上。波長轉換粒子的D50不大于10微米，其中波長轉換粒子的D50的定義為波長轉換粒子的累積顆粒分布達到50％時所對應的粒徑。此外，波長轉換層的厚度(T)與波長轉換粒子的D50的比值介于6至20。

【技術實現步驟摘要】
發光裝置以及其制造方法
本專利技術涉及一種發光裝置及其制造方法，尤其是涉及一種包含多顆小粒徑的波長轉換粒子的發光裝置及其制造方法。
技術介紹
固態發光元件中的發光二極管元件(Light-EmittingDiode；LED)具有低耗電量、低發熱量、操作壽命長、耐撞擊、體積小以及反應速度快等特性，因此廣泛應用于各種需要使用發光元件的領域，例如，車輛、家電、及照明燈具等。要將LED所發出的純色光，轉換成其他顏色的光有數種方式可采用。舉例來說，可于LED上覆蓋一層波長轉換層，例如熒光粉層來達到此目的。熒光粉是一種光致發光的物質，也可說是波長轉換材料，它可以吸收LED所發出的第一光線后發出不同于第一光的第二光線。若第一光線未被完全消耗，殘留的第一光線與第二光線互相混合，可形成另一種顏色的混合光。不過，在不同的視角下，LED所發出的第一光線與被轉換的第二光線互相混合的比例若是不同，混合光的色彩或色溫分布便會有不均勻的現象產生。
技術實現思路
本專利技術公開一種發光裝置，包含一發光元件、一波長轉換層以及一可透光元件。發光元件包含一頂面、一底面、多個側面及一第一電性接點，其中頂面及底面通過多個側面相互連結。第一電性接點形成在底面上。波長轉換層包含一透明粘合劑及多顆波長轉換粒子且至少覆蓋發光元件的頂面。可透光元件包含一出光面且位于波長轉換層之上。波長轉換粒子的D50不大于10微米，其中D50的定義為波長轉換粒子累積顆粒分布達到50％時所對應的粒徑且波長轉換層的厚度(T)與波長轉換粒子的D50的比值介于6至20。本專利技術公開一種發光裝置的形成方法。先形成多個發光元件于一載板上。接著，形成一波長轉換片于多個發光元件上。形成一可透光層于波長轉換片之上。可透光層包含一可透光接合層及一可透光基板。加熱粘合該可透光接合層及一可透光基板。分離發光元件與暫時性基板。附圖說明圖1A為本專利技術一實施例的一種發光裝置的剖視圖；圖1B為圖1A中波長轉換層的局部放大圖；圖1C為一實施例中視角對色座標標準差的關系圖；圖2A至圖2J為本專利技術一實施例的發光裝置的制造流程圖；圖3A至圖3F為本專利技術另一實施例的發光裝置的制造流程圖；圖4為本專利技術另一實施例的一種發光裝置的剖視圖；圖5為本專利技術再一實施例的一種發光裝置的剖視圖；圖6為本專利技術再一實施例的一種發光裝置的剖視圖。符號說明100、100a、100b、100a’、100b’、400、500、600：發光裝置120、120a、120b、420、520、620：發光元件121：頂面122：成長基板123：底面124：發光疊層125：側面126a、126a1、126a2、126b、126b1、126b2：電性接點140、140a、140b、440、540、640：波長轉換層140’：波長轉換片142：透明粘合劑143：延伸區144：波長轉換粒子150、150a、150a1、150a2、150b、150b1、150b2：延伸墊150a’、150b’：斜面160、460、560、660：可透光元件162、162a、162b：可透光接合層162’：可透光接合膠164、164a、164b、164’：可透光基板180、180a、180b、180’：光反射層220、280、290、320、350：暫時性基板240、270、340：粘膠層260、360：切割工具450a、450b、550a、550b、650a、650b：電極墊480、580、680：光反射圍欄570：可透光包覆層682：側壁684：底部A1：放大區塊d1、d2：波長轉換粒子的粒徑T1：第一厚度T2：第二厚度具體實施方式圖1A為根據本專利技術一實施例所揭露的一發光裝置100的剖視圖。發光裝置100包含發光元件120、一波長轉換層140及一可透光元件160。波長轉換層140覆蓋發光元件120的部分表面，此外，可透光元件160位于波長轉換層140之上。在一實施例中，發光元件120包含一成長基板122、一發光疊層124以及電性接點126a、126b。其中，發光疊層124的一側與成長基板122相連結，另一側與電性接點126a、126b相連結。此外，發光元件120包含一上表面121、一下表面123及多個側面125，頂面121及底面123通過側面125連結。在一實施例中，發光元件120為倒裝式發光二極管管芯(flipchipLEDdie)。在另一實施例中，成長基板122可以是藍寶石(sapphire)基板，作為發光疊層124外延成長時的基板。此外，成長基板122的一外表面，也是發光元件120的上表面121，即為發光元件120的出光面。但成長基板122并非是限制本專利技術的特征，在另一實施例中，成長基板122可在制造發光裝置100的后段制作工藝中移除或置換成其他基板(不同材料、不同結構、或不同形狀的基板)。在本實施例中，發光疊層124包含第一半導體層、活化層以及第二半導體層(未顯示)。在一實施例中，第一半導體層可為n-型半導體層，第二半導體層可為p-型半導體層。在一實施例中，兩電性接點126a及126b位在發光元件120的同一側，作為發光元件120與外界電性連結的界面，且兩電性接點126a及126b的外表面即為底面123的一部分。其中，電性接點126a及126b會分別與第一半導體層及第二半導體層電連接。此外，電性接點126a及126b可以突出于波長轉換層140的底面(如圖所示)、或與底面大約齊平(圖未示)、或僅其中的一突出底面(圖未示)。在另一實施例中，發光元件120為一垂直式發光二極管管芯(verticalLEDdie/chip)，電性接點126a及126b可分別形成在發光元件的兩個相對側，并分別與第一半導體層及第二半導體層電連接。在一實施例中，發光元件120有四個側面125，相對的側面彼此大致上互相平行，亦即，由上視圖觀之，發光元件120為矩形或平行四邊形。頂面121與底面123也大致互相平行。發光元件120可為一發光二極管管芯(LEDdie/chip)，例如但不限為藍光發光二極管管芯或紫外(UV)光發光二極管管芯。在一實施例中，發光元件120為藍光發光二極管管芯，可經由電源提供一電力而發出第一光線，第一光線的主波長(dominantwavelength)或峰值波長(peakwavelength)介于410nm至490nm之間。波長轉換層140可包含一透明粘合劑142以及多個分散于透明粘合劑124中的波長轉換粒子144，其中波長轉換粒子144可吸收發光元件120發出的第一光線，并將其轉換成與第一光線波長或頻譜相異的第二光線。在一實施例中，波長轉換粒子144吸收第一光線(例如，藍光或UV光)后被激發出來的第二光線為黃光，其主波長或峰值波長介于530nm至590nm之間。另一實施例中，波長轉換粒子144吸收第一光線(例如，藍光或UV光)后被激發出來的第二光線為黃綠光，其主波長或峰值波長介于515nm至575nm之間。其他實施例中，波長轉換粒子144吸收第一光線(例如，藍光或UV光)后被激發出來的第二光線為紅光，其主波長或峰值波長介于590nm至660nm之間。波長轉換層140可包含單一種類或多種的波長轉換粒子144。在一實施例中，波長轉換層140包含可發出黃光的波長本文檔來自技高網...

【技術保護點】
一種發光裝置，包含：發光元件，包含可出光的頂面，底面以及連結該頂面及該底面的側面；波長轉換層，包含一透明黏合劑及多顆波長轉換粒子且覆蓋該發光元件的頂面形成一第一厚度；以及可透光元件，包含出光面且位于該波長轉換層之上，其中，該波長轉換粒子的D50不大于10微米，D50的定義為該波長轉換粒子累積顆粒分布達到50％時所對應的粒徑，且其中，該波長轉換層的厚度與該波長轉換粒子的D50的比值介于6至20。

【技術特征摘要】
1.一種發光裝置，包含：發光元件，包含可出光的頂面，底面以及連結該頂面及該底面的側面；波長轉換層，包含一透明黏合劑及多顆波長轉換粒子且覆蓋該發光元件的頂面形成一第一厚度；以及可透光元件，包含出光面且位于該波長轉換層之上，其中，該波長轉換粒子的D50不大于10微米，D50的定義為該波長轉換粒子累積顆粒分布達到50％時所對應的粒徑，且其中，該波長轉換層的厚度與該波長轉換粒子的D50的比值介于6至20。2.如權利要求1所述的發光裝置，其中，該發光裝置的色彩分布的均勻度于0°至70°的視角下，△u’v’值相差小于0.0040。3.如權利要求1所述的發光裝置，其中，該波長轉換粒子于該波長轉換層中的重量百分比在70％以下。4.如權利要求1所述的發光裝置，其中，該波長轉換粒子的D50介于1微米至8微米之間。5.如權利要求1所述的發光裝置，其中，該波長轉換層覆蓋該發光元件的側面且形成一第二厚度，且該第二厚度與該第一厚度的差值不大于該第二厚度與該第一厚度平均值的10％。6.如權利要求1所述的發光裝置，其中，該波長轉換層由該發光元件往該可透光元件之間可分成一上區塊及...

【專利技術屬性】
技術研發人員：鄭景太，石俊華，任益華，
申請(專利權)人：晶元光電股份有限公司，
類型：發明
國別省市：中國臺灣,71