一種半導(dǎo)體材料的電阻率的測試方法技術(shù)

本發(fā)明專利技術(shù)涉及一種半導(dǎo)體材料的電阻率的測試方法，包括步驟S1：對半導(dǎo)體材料樣品進(jìn)行研磨處理，以得到樣品表面和研磨斜面的交界線；步驟S2：進(jìn)行測試，測試時(shí)在所述交界線的左側(cè)的所述樣品表面中預(yù)設(shè)起始位置預(yù)留N個(gè)測試點(diǎn)，以確保第N+1個(gè)點(diǎn)在所述交界線上或在所述交界線附近，其中N為自然數(shù)；步驟S3：根據(jù)所述步驟S2中的結(jié)果進(jìn)行分析并以距離所述交界線最近的一個(gè)點(diǎn)確定為測試起始點(diǎn)。本發(fā)明專利技術(shù)所述方法通過起始位置的巧妙設(shè)定及測試后第一個(gè)點(diǎn)的準(zhǔn)確確定，可極大減少測試時(shí)因第一個(gè)測試點(diǎn)偏移而導(dǎo)致的測試偏差，從而準(zhǔn)確測試樣品的實(shí)際深度并提高工作效率。

Test method for resistivity of semiconductor materials

Test method for resistivity of the invention relates to a semiconductor material, comprising the steps of: S1 of semiconductor material samples were obtained by grinding processing, sample surface and grinding inclined plane boundary; step S2: test, N test points for the starting position of the preset sample surface boundary in the test when the left in the article, to ensure that the N+1 points on the border or boundary in the vicinity of the N, which is a natural number; step S3: according to the steps of the results in S2 are analyzed and the distance to the nearest point of a line to determine the starting point for the test. The method of the invention through the starting position of the ingenious setting and testing after the first point of the test deviation can be accurately determined, greatly reduce the test for the first test point deviation caused by the actual depth so as to accurately test samples and improve work efficiency.

【技術(shù)實(shí)現(xiàn)步驟摘要】
一種半導(dǎo)體材料的電阻率的測試方法
本專利技術(shù)涉及半導(dǎo)體領(lǐng)域，具體地，本專利技術(shù)涉及一種半導(dǎo)體材料的電阻率的測試方法。
技術(shù)介紹
擴(kuò)展電阻探針法用于定量測量某些半導(dǎo)體材料的局部電導(dǎo)率，空間分辨率高測量取樣體積為10-10cm3左右，測量重復(fù)精度優(yōu)于1％。將硅片磨角后用擴(kuò)展電阻法可以測量分辨深度方向30nm以內(nèi)電阻率的變化。因此，擴(kuò)展電阻探針是硅材料及器件生產(chǎn)工藝質(zhì)量測試手段，也可以用于砷化鎵、化銦等其他半導(dǎo)體材料的電阻率分布測試。現(xiàn)有技術(shù)中針對裸硅片或已工藝硅片但上面的所有層次均被剝離后使用擴(kuò)展電阻儀(以下簡稱SRP)測試縱向的輪廓(profile)時(shí)，起始點(diǎn)位置的準(zhǔn)確確定，可以最大程度的避免SRP測試過程中設(shè)備誤差或人為誤差導(dǎo)致的起始點(diǎn)橫向位移的問題引起結(jié)深偏差。現(xiàn)有技術(shù)中在進(jìn)行所述測試時(shí)不可避免的存在誤差現(xiàn)象，但是多數(shù)情況下是用SRP設(shè)備測試外延曲線分布，一般并不特別關(guān)注深度的誤差，如果關(guān)注深度，則每測試一個(gè)樣品前都做一次探針定位(Probelocation)，以校準(zhǔn)測試的起始位置。現(xiàn)有測試方法是設(shè)備首先進(jìn)行探針定位(Probelocation)，即校準(zhǔn)設(shè)備，使預(yù)設(shè)起始位置(如圖1a中左邊第一個(gè)圓圈)與實(shí)際測試位置一致。隨后測量時(shí)將扎針的預(yù)設(shè)起始位置設(shè)在研磨交界線上，即圖1a中樣品表面101與右側(cè)研磨斜面102的交界線11，測試結(jié)束默認(rèn)SRP的實(shí)際探針第一個(gè)位置在交界線上，并將此點(diǎn)作為測試曲線的第一個(gè)點(diǎn)12。但是實(shí)際測量時(shí)發(fā)現(xiàn)，盡管做了探針定位(Probelocation)，但測試多個(gè)樣品時(shí)，實(shí)際測試的起始位置，與預(yù)設(shè)的位置存在一定的偏移(如圖1b)，導(dǎo)致測試曲線與結(jié)深均出現(xiàn)一定的偏差。如果每片測試前都做探針定位(Probelocation)，偏差會減少，但工作效率很低。因此，需要對目前所述半導(dǎo)體材料電阻率的測試方法作進(jìn)一步的改進(jìn)，以便消除上述問題。
技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路
在
技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路
部分中引入了一系列簡化形式的概念，這將在具體實(shí)施方式部分中進(jìn)一步詳細(xì)說明。本專利技術(shù)的
技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路
部分并不意味著要試圖限定出所要求保護(hù)的技術(shù)方案的關(guān)鍵特征和必要技術(shù)特征，更不意味著試圖確定所要求保護(hù)的技術(shù)方案的保護(hù)范圍。本專利技術(shù)為了克服目前存在問題，提供了一種半導(dǎo)體材料的電阻率的測試方法，包括：步驟S1：對半導(dǎo)體材料樣品進(jìn)行研磨處理，以得到樣品表面和研磨斜面的交界線；步驟S2：進(jìn)行測試，測試時(shí)在所述交界線的左側(cè)的所述樣品表面中預(yù)設(shè)起始位置預(yù)留N個(gè)測試點(diǎn)，以確保第N+1個(gè)點(diǎn)在所述交界線上或在所述交界線附近，其中N為自然數(shù)；步驟S3：根據(jù)所述步驟S2中的結(jié)果進(jìn)行分析并以距離所述交界線最近的一個(gè)點(diǎn)確定為測試起始點(diǎn)。可選地，所述方法還進(jìn)一步包括：步驟S4：根據(jù)所述步驟S2中的測試結(jié)果建立分析測試曲線，并將所述分析測試曲線中所述測試起始點(diǎn)之前的數(shù)據(jù)刪除。可選地，在所述步驟S1中，還包括對研磨后的所述半導(dǎo)體材料樣品進(jìn)行清洗的步驟。可選地，在所述步驟S2中，測試時(shí)在預(yù)設(shè)起始位置預(yù)留5個(gè)點(diǎn)在交界線的左側(cè)，確保第6個(gè)點(diǎn)在所述交界線上或附近。可選地，在分析測試曲線時(shí)，將前5個(gè)點(diǎn)刪除，選用第6個(gè)點(diǎn)成為所述分析曲線的所述測試起始點(diǎn)。可選地，在所述步驟S3中在所述測試完成后，在顯微鏡下觀察所述樣品上的針跡，以確定所述測試起始點(diǎn)本專利技術(shù)為了解決現(xiàn)有技術(shù)中存在的問題，提供了一種半導(dǎo)體材料的電阻率的測試方法，所述方法在測試開始預(yù)設(shè)起始位置時(shí)，根據(jù)實(shí)際情況預(yù)留N個(gè)點(diǎn)在樣品表面，確保第N+1個(gè)點(diǎn)在研磨交界線上；測試完成后在設(shè)備的高倍顯微鏡下觀察實(shí)際測試針跡，選擇落在研磨交界線上或者離研磨交界線最近的點(diǎn)為測試的真正測試起始點(diǎn)；分析測試曲線時(shí)，將真正測試起始點(diǎn)左側(cè)的點(diǎn)刪除，確保測試深度的準(zhǔn)確性。此方法可以將誤差控制在半個(gè)步徑的范圍內(nèi)，極大提高了分析效率。本專利技術(shù)所述方法通過起始位置的巧妙設(shè)定及測試后第一個(gè)點(diǎn)的準(zhǔn)確確定，可極大減少測試時(shí)因第一個(gè)測試點(diǎn)偏移而導(dǎo)致的測試偏差，從而準(zhǔn)確測試樣品的實(shí)際深度并提高工作效率。本專利技術(shù)的優(yōu)點(diǎn)在于所述方法每次可進(jìn)行多個(gè)樣品連續(xù)測試，如果每個(gè)樣品測試10分鐘，則一小時(shí)內(nèi)可測試完成6個(gè)樣品，而業(yè)界現(xiàn)有的技術(shù)每測試一個(gè)點(diǎn)前做探針定位(Probelocation)，則每片至少需要耗時(shí)20分鐘，6片估計(jì)需要分析2小時(shí)，且測試過程中人員不能離開設(shè)備，即費(fèi)人工又耗機(jī)時(shí)測試效率極低，本專利技術(shù)既提高了效率又提高了分析的準(zhǔn)確度。附圖說明本專利技術(shù)的下列附圖在此作為本專利技術(shù)的一部分用于理解本專利技術(shù)。附圖中示出了本專利技術(shù)的實(shí)施例及其描述，用來解釋本專利技術(shù)的裝置及原理。在附圖中，圖1a-1b為現(xiàn)有技術(shù)中測試所述半導(dǎo)體材料電阻率的過程示意圖；圖2a-2c為本專利技術(shù)中測試所述半導(dǎo)體材料電阻率的過程示意圖；圖3為本專利技術(shù)一具體地實(shí)施中測試所述半導(dǎo)體材料電阻率的工藝流程圖。具體實(shí)施方式在下文的描述中，給出了大量具體的細(xì)節(jié)以便提供對本專利技術(shù)更為徹底的理解。然而，對于本領(lǐng)域技術(shù)人員而言顯而易見的是，本專利技術(shù)可以無需一個(gè)或多個(gè)這些細(xì)節(jié)而得以實(shí)施。在其他的例子中，為了避免與本專利技術(shù)發(fā)生混淆，對于本領(lǐng)域公知的一些技術(shù)特征未進(jìn)行描述。應(yīng)當(dāng)理解的是，本專利技術(shù)能夠以不同形式實(shí)施，而不應(yīng)當(dāng)解釋為局限于這里提出的實(shí)施例。相反地，提供這些實(shí)施例將使公開徹底和完全，并且將本專利技術(shù)的范圍完全地傳遞給本領(lǐng)域技術(shù)人員。在附圖中，為了清楚，層和區(qū)的尺寸以及相對尺寸可能被夸大。自始至終相同附圖標(biāo)記表示相同的元件。應(yīng)當(dāng)明白，當(dāng)元件或?qū)颖环Q為“在...上”、“與...相鄰”、“連接到”或“耦合到”其它元件或?qū)訒r(shí)，其可以直接地在其它元件或?qū)由稀⑴c之相鄰、連接或耦合到其它元件或?qū)樱蛘呖梢源嬖诰娱g的元件或?qū)印Ｏ喾矗?dāng)元件被稱為“直接在...上”、“與...直接相鄰”、“直接連接到”或“直接耦合到”其它元件或?qū)訒r(shí)，則不存在居間的元件或?qū)印?yīng)當(dāng)明白，盡管可使用術(shù)語第一、第二、第三等描述各種元件、部件、區(qū)、層和/或部分，這些元件、部件、區(qū)、層和/或部分不應(yīng)當(dāng)被這些術(shù)語限制。這些術(shù)語僅僅用來區(qū)分一個(gè)元件、部件、區(qū)、層或部分與另一個(gè)元件、部件、區(qū)、層或部分。因此，在不脫離本專利技術(shù)教導(dǎo)之下，下面討論的第一元件、部件、區(qū)、層或部分可表示為第二元件、部件、區(qū)、層或部分。空間關(guān)系術(shù)語例如“在...下”、“在...下面”、“下面的”、“在...之下”、“在...之上”、“上面的”等，在這里可為了方便描述而被使用從而描述圖中所示的一個(gè)元件或特征與其它元件或特征的關(guān)系。應(yīng)當(dāng)明白，除了圖中所示的取向以外，空間關(guān)系術(shù)語意圖還包括使用和操作中的器件的不同取向。例如，如果附圖中的器件翻轉(zhuǎn)，然后，描述為“在其它元件下面”或“在其之下”或“在其下”元件或特征將取向?yàn)樵谄渌蛱卣鳌吧稀薄Ｒ虼耍纠孕g(shù)語“在...下面”和“在...下”可包括上和下兩個(gè)取向。器件可以另外地取向(旋轉(zhuǎn)90度或其它取向)并且在此使用的空間描述語相應(yīng)地被解釋。在此使用的術(shù)語的目的僅在于描述具體實(shí)施例并且不作為本專利技術(shù)的限制。在此使用時(shí)，單數(shù)形式的“一”、“一個(gè)”和“所述/該”也意圖包括復(fù)數(shù)形式，除非上下文清楚指出另外的方式。還應(yīng)明白術(shù)語“組成”和/或“包括”，當(dāng)在該說明書中使用時(shí)，確定所述特征、整數(shù)、步驟、操作、元件和/或部件的存在，但不排除一個(gè)或更多其它的特征、整數(shù)、步驟、操作、元件、部件和/或組本文檔來自技高網(wǎng)...

【技術(shù)保護(hù)點(diǎn)】
一種半導(dǎo)體材料的電阻率的測試方法，包括：步驟S1：對半導(dǎo)體材料樣品進(jìn)行研磨處理，以得到所述樣品表面和研磨斜面的交界線；步驟S2：進(jìn)行測試，測試時(shí)在所述交界線左側(cè)的所述樣品表面預(yù)設(shè)起始位置預(yù)留N個(gè)測試點(diǎn)，以確保第N+1個(gè)點(diǎn)在所述交界線上或在所述交界線附近，其中N為自然數(shù)；步驟S3：根據(jù)所述步驟S2中的結(jié)果進(jìn)行分析，并以距離所述交界線最近的一個(gè)點(diǎn)確定為測試起始點(diǎn)。

【技術(shù)特征摘要】
1.一種半導(dǎo)體材料的電阻率的測試方法，包括：步驟S1：對半導(dǎo)體材料樣品進(jìn)行研磨處理，以得到所述樣品表面和研磨斜面的交界線；步驟S2：進(jìn)行測試，測試時(shí)在所述交界線左側(cè)的所述樣品表面預(yù)設(shè)起始位置預(yù)留N個(gè)測試點(diǎn)，以確保第N+1個(gè)點(diǎn)在所述交界線上或在所述交界線附近，其中N為自然數(shù)；步驟S3：根據(jù)所述步驟S2中的結(jié)果進(jìn)行分析，并以距離所述交界線最近的一個(gè)點(diǎn)確定為測試起始點(diǎn)。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法還進(jìn)一步包括：步驟S4：根據(jù)所述步驟S2中的測試結(jié)果建立分析測試曲線，并將所述分析測試曲線中所述測試起始點(diǎn)...

【專利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員：陳倩，薛云，周蕾，
申請(專利權(quán))人：無錫華潤上華半導(dǎo)體有限公司，
類型：發(fā)明
國別省市：江蘇,32