用于承載單個設備封裝的系統和方法技術方案

根據本發明專利技術的實施例，一種方法可以包括提供適應于使用在晶片加工裝置中的基底(10)，其中該基底包括涂敷到其上的粘合劑(12)。該方法還包括重構多個設備封裝(14)到該基底上。根據本發明專利技術的這些和其他實施例，一種裝置可以包括適應于使用在晶片加工裝置中的基底(10)，涂敷到該基底上的粘合劑(12)，以及重構到該基底上的多個設備封裝(14)。該設備封裝(14)在被重構在該基底(10)上時承受測試。

【技術實現步驟摘要】
【國外來華專利技術】用于承載單個設備封裝的系統和方法相關申請本專利技術要求來自2014年4月22日提交的US臨時專利申請No.61/982,744和2015年4月20日提交的US非臨時專利申請No.14/690,763的優先權，這兩者通過參考并入本文。
本專利技術總體上涉及集成電路設備封裝的加工和制造。
技術介紹
集成電路在多個離散步驟中使用各種方法和設備進行制造。由于在這些方法中的差異和經濟因素，在全球的不同地方可以實施不同的方法。半導體材料可以在熔化過程中初次生長在單個晶體中，其通常可以在特定工廠通常由專業廠家執行該過程。單個晶體然后被切片成為晶片，其然后可以進一步在“加工”或制造工廠中進行處理。在加工廠中，實際電路可以使用各種已知的半導體加工方法形成在半導體晶片上。一旦每個晶片已經被形成到電路中，它然后可以被送到工廠完成最后加工、測試、單體化(例如，鋸成或分離成單個電路)、以及封裝。在單體化中，晶片可以被鋸成或分成多個單個芯片或電路。在一些情況中，每個芯片然后可以安裝在框架或載體中，其中電導線在離散焊盤位置處從載體有線粘接到芯片并且然后進行封裝(包裝)和貼標簽以形成最終產品。在其他情況中，芯片可以不安裝或包裝在另一個封裝中，而是可以包括用作獨立設備的晶片級芯片規格封裝或相似封裝。在制造期間，不管包裝或未包裝的設備封裝可以在多個不同階段被測試以確保形成在其上的電路正確執行功能。例如，設備可以經受包括預處理、高壓消毒、溫度循環測試、高溫泡沫測試、非偏差或偏差高速應力測試、溫度濕度偏差測試、以及其他應力和功能性測試的測試。晶片級芯片規格封裝(WLCSP)總體上為濕度敏感級1并且順應260℃，并且通常典型地耐受許多該封裝級應力，但具有它固有的特性，使得它難以測試和鑒定。例如，WLCSPs可能具有使它們難以處理的較小形成因子，可以產生需要高加工成本和單次使用硬件的非標準尺寸，可能包括單體化形式的非魯棒特征，其會導致再分配層、模塊參數、以及暴露塊受到損壞，以及可能具有使它們難以用標準燒入硬件或程序支撐的小節距(例如，0.4mm或更小)。用于解決該問題的現有技術工業方案包括通過為了鑒定而通過包裝WLCSP進行鑒定(例如，將WLCSP包裝在模制化合物或其他環氧樹脂中)。包裝WLCSP具有保護WLCSP免于受到處理損壞的優點。然而，由于許多原因，為了鑒定而包裝WLCSP不能呈現在應力測試中的真實最終產品。首先，WLCSP不能夠在它的最終使用中被包裝，并且包裝用于測試的WLCSP的任何封裝可能具有測試裝置閱讀點，其可能必須具有不同于非包裝WLCSP的電氣特性。其次，使用于該閱讀點的測試硬件和測試程序可能不使用在WLCSP的生產中，其可能需要客戶進行測試。第三，因為包裝用于測試的WLCSP的封裝不呈現真實的最終產品，封裝的缺點可能會指示錯誤的缺陷，這否則是令人滿意的WLCSP。第四，雖然WLCSP可能能夠在某些濕度敏感級和在特定溫度(例如，260℃)以上進行測試，但是包裝WLCSP的封裝可能不能夠用于測試。另一種工業方案包括將WLCSP安裝在專用于WLCSP的基底上的倒裝芯片，但是沒有如在包裝的情況中那樣用整體模塊包裝它。雖然該方法與包裝WLCSP的情況相比，更精確地表示最終使用情況，但是該方法可能不會保護WLCSP在測試期間免于受到處理。
技術實現思路
根據本專利技術的教導，可以減少或消除與測試和鑒定設備封裝的現有方法相關的一個或多個缺點或問題。根據本專利技術的實施例，一種方法可以包括提供適應于使用在晶片加工裝置中的基底，其中該基底包括涂敷到其上的粘合劑。該方法可以還包括重構多個設備封裝到該基底上。根據本專利技術的這些和其他實施例，一種裝置可以包括適應于使用在晶片加工裝置中的基底；涂敷到該基底上的粘合劑；以及重構到該基底上的多個設備封裝。從包括在本文中的附圖、描述和權利要求，本專利技術的技術優點對于本領域的技術人員來說是容易明白的。實施例的目的和優點將至少由特別在權利要求中指出的元件、特征及其組合來實現和完成。可以理解前面總體描述和下面細節描述是示例和解釋并且不是對在本專利技術中提出的權利要求的限制。附圖說明通過關聯附圖參考下面描述可以獲得對本實施例和其中優點的更完整理解，其中相同參考標記指示相同特征，并且其中：圖1圖示根據本專利技術的實施例，用于使用作為設備載體的基底；圖2圖示根據本專利技術的實施例，用于利用基底作為設備載體重構和測試設備封裝的示例方法的流程圖；圖3圖示根據本專利技術的實施例，可以使用來處理圖1的基底的晶片加工裝置的示例；以及圖4圖示根據本專利技術的實施例，可以與在圖3中描述的晶片加工裝置關聯使用的測試設備的示例。具體實施方式圖1圖示根據本專利技術的實施例，用于使用作為設備載體的基底10。如圖1所示，基底10可以包括涂敷到其表面的粘合劑12，以及重構在基底10上、由粘合劑12粘結在基底10上的多個設備封裝14?；?0可以包括用于承載設備封裝用于測試和鑒定的任何合適基底。在一些實施例中，基底10可以被調適為使用在晶片加工裝置中并且因此尺寸和/或形狀可以被確定為相似于可以使用在晶片加工裝置中的半導體晶片。在一些實施例中，基底10可以包括半導體晶片(例如，硅晶片)。在其他實施例中，基底10可以包括陶瓷晶片。然而，本專利技術的實施例不限于包括半導體晶片或陶瓷晶片的基底10，并且根據本專利技術可以包括任何合適的基底。粘合劑12可以包括用于將設備封裝14聯接到基底10的任何合適粘合劑。例如，在一些實施例中，粘合劑12可以包括雙側粘合劑帶的層或膜。在其他實施例中，粘合劑12可以包括環氧樹脂，其在設備封裝14被重構在基底10上之后被固化，以便將設備封裝14粘結到基底10。又在其他實施例中，粘合劑12可以包括用于提供在設備封裝14與基底10之間的臨時粘結的材料，其可以允許設備封裝14從基底10高效去除(例如，以便去除一個或多個設備封裝14用于故障分析)。用于提供臨時粘結的材料的示例包括在每側上涂敷有硅樹脂粘合劑并且控制在半導體晶片的研磨和切塊期間設計用于臨時粘結的釋放帶的高溫聚酰亞胺膜。在由圖1表示的實施例中，多個設備封裝14包括晶片級芯片規格封裝(WLCSPs)。然而，任何合適的設備封裝可以以與本文描述的相似或相同的方法重構在基底10上，包括但不限于基于引線框的封裝(aleadingframe-basedpackage)、基于積層的封裝(alaminate-basedpackage)、氣密封裝(ahermeticpackage)、裸模封裝(abare-diepackage)、以及散開晶片級芯片規格封裝(afan-outwafer-levelchip-scalepackage)等。在一些實施中，將多個設備封裝14重構在基底10上包括從在晶片框架上的單體化源晶片找回多個設備封裝14中的每個并且將多個設備封裝14中的每個放置在基底10上。在其他實施例中，將多個設備封裝14重構在基底10上包括從在源晶片載體帶找回多個設備封裝14中的每個并且將多個設備封裝14每個放置在基底10上。因此，如上所述，一種裝置可以包括適合于使用在晶片加工裝置中的基底10，具有涂敷到基底10上的粘合劑12，以及重構在基底10上的多個設備封裝14。在一些實施例中，尤其是在其中基底10使用來承載WLCSPs的那些本文檔來自技高網...

【技術保護點】
一種方法，包括：提供適應于在晶片加工裝置中使用的基底，其中該基底包括涂敷到其上的粘合劑；以及重構多個設備封裝到該基底上。

【技術特征摘要】
【國外來華專利技術】2014.04.22 US 61/982,7441.一種方法，包括：提供適應于在晶片加工裝置中使用的基底，其中該基底包括涂敷到其上的粘合劑；以及重構多個設備封裝到該基底上。2.如權利要求1所述的方法，其中該基底包括半導體晶片。3.如權利要求2所述的方法，其中該基底包括硅晶片。4.如權利要求1所述的方法，其中該基底包括陶瓷晶片。5.如權利要求1所述的方法，其中該基底的熱膨脹系數大約等于多個設備封裝的熱膨脹系數。6.如權利要求1所述的方法，其中所述重構包括從在晶片框架上的單體化源晶片找回所述多個設備封裝中的每個并且將所述多個設備封裝中的每個放置在所述基底上。7.如權利要求1所述的方法，其中所述重構包括從在源晶片載體帶找回所述多個設備封裝中的每個并且將所述多個設備封裝中的每個放置在所述基底上。8.如權利要求1所述的方法，其中所述粘合劑包括雙側粘合劑帶的層。9.如權利要求1所述的方法，其中所述粘合劑包括環氧樹脂。10.如權利要求9所述的方法，還包括固化環氧樹脂。11.如權利要求1所述的方法，其中所述粘合劑包括用于提供在該設備封裝與該基底之間的臨時粘結的材料。12.如權利要求1所述的方法，其中該設備封裝包括晶片級芯片規格封裝。...

【專利技術屬性】
技術研發人員：M·J·加布里埃爾三世，杰森·黃，D·T·帕滕，
申請(專利權)人：美國思睿邏輯有限公司，
類型：發明
國別省市：美國,US