一種蒸發源和蒸鍍裝置制造方法及圖紙

本發明專利技術公開了一種蒸發源和蒸鍍裝置，屬于半導體工藝設備領域。該蒸發源包括坩堝、加熱絲、反射板和冷卻裝置，加熱絲圍繞坩堝設置，反射板圍繞坩堝設置，冷卻裝置設置在反射板外，蒸發源還包括設置在反射板和冷卻裝置之間的溫差發電片，通過在反射板和冷卻裝置之間設置溫差發電片，由于反射板和冷卻裝置存在溫差，因此溫差發電片可以利用溫差產生一定的電能，從而可以回收一部分能量，減少能量的浪費，提高了能量的利用率。

Evaporation source and evaporation device

The invention discloses a evaporation source and a evaporation device, belonging to the field of semiconductor process equipment. The evaporation source includes a crucible, a heating wire and a reflecting plate and a cooling device, a heating wire arranged around the crucible, the reflecting plate arranged around the crucible, cooling device is arranged on the reflecting plate, the evaporation source also includes a thermoelectric power generation sheet is arranged between the reflecting plate and a cooling device, by setting the temperature difference between the reflection plate and film cooling device of generator because of the reflection plate and the cooling device, the temperature difference, so the thermoelectric power generation sheet can produce a certain power to use the temperature difference, which can recover part of energy, reduce the waste of energy, improve energy utilization.

【技術實現步驟摘要】
一種蒸發源和蒸鍍裝置
本專利技術涉及半導體工藝設備領域，特別涉及一種蒸發源和蒸鍍裝置。
技術介紹
蒸鍍是將金屬等材料加熱至蒸發或升華，然后使形成的蒸汽在低溫零件上析出，形成薄膜的一種工藝技術。這種工藝在半導體工藝中有著廣泛的應用，例如可以用來制備OLED(OrganicLightEmittingDiode，有機發光二極管)的電極等膜層。在蒸鍍工藝中，用于產生蒸汽的設備叫做蒸發源，蒸發源主要包括坩堝、加熱絲、反射板和冷卻裝置，加熱絲設置在坩堝的外壁上，用于對坩堝進行加熱。反射板則圍繞在加熱絲外，用于將加熱絲和坩堝向外輻射的熱向坩堝反射，以減少熱能的散失。冷卻裝置設置在反射板的外部，由于蒸鍍過程中，坩堝和加熱絲的溫度很高，冷卻裝置可以避免熱能散發到蒸發源外部，同時可以在結束蒸鍍后對設備進行冷卻。在加熱坩堝的過程中，只有一部分熱能能夠被反射板反射回坩堝進一步利用，而另一部分熱能會傳遞到反射板外，被冷卻裝置吸收，能量的利用率較低。
技術實現思路
為了解決現有蒸發源能量的利用率較低的問題，本專利技術實施例提供了一種蒸發源和蒸鍍裝置。所述技術方案如下：一方面，本專利技術實施例提供了一種蒸發源，所述蒸發源包括坩堝、加熱絲、反射板和冷卻裝置，所述加熱絲圍繞所述坩堝設置，所述反射板圍繞所述坩堝設置，所述冷卻裝置設置在所述反射板外，所述蒸發源還包括設置在所述反射板和所述冷卻裝置之間的溫差發電片。優選地，所述溫差發電片包括平行相對設置的吸熱板和導熱板、以及設置在所述吸熱板和所述導熱板之間的發電結構。進一步地，所述吸熱板采用硅硼化物納米材料制成。優選地，所述導熱板采用聚噻吩納米纖維制成。優選地，所述溫差發電片與所述反射板的相互接觸的表面上和/或所述溫差發電片與所述冷卻裝置的相互接觸的表面上對應設置有相互配合的凹形結構和凸形結構。可選地，所述凹形結構和/或所述凸形結構陣列排布。優選地，所述蒸發源還包括電能存儲單元，所述電能存儲單元與所述發電結構電連接。進一步地，所述蒸發源還包括溫度檢測器，所述溫度檢測器用于檢測所述坩堝的外壁的溫度。可選地，所述反射板上設置有通孔，所述溫度檢測器插裝在所述通孔中。另一方面，本專利技術實施例還提供了一種蒸鍍裝置，所述蒸鍍裝置包括前述任一種蒸發源。本專利技術實施例提供的技術方案帶來的有益效果是：通過在反射板和冷卻裝置之間設置溫差發電片，由于反射板和冷卻裝置存在溫差，因此溫差發電片可以利用溫差產生一定的電能，從而可以回收一部分能量，減少能量的浪費，提高了能量的利用率，同時還能減少散發到蒸發源之外的熱量，降低蒸鍍腔內的溫度。附圖說明為了更清楚地說明本專利技術實施例中的技術方案，下面將對實施例描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本專利技術的一些實施例，對于本領域普通技術人員來講，在不付出創造性勞動的前提下，還可以根據這些附圖獲得其他的附圖。圖1是本專利技術實施例提供的一種蒸發源的結構示意圖；圖2是本專利技術實施例提供的一種溫差發電片的結構示意圖；圖3是本專利技術實施例提供的一種冷卻裝置、溫差發電片和反射板的配合示意圖；圖4是本專利技術實施例提供的一種蒸發源的分解結構示意圖；圖5是本專利技術實施例提供的一種蒸發源的局部分解結構示意圖；圖6是本專利技術實施例提供的另一種蒸發源的局部分解結構示意圖。具體實施方式為使本專利技術的目的、技術方案和優點更加清楚，下面將結合附圖對本專利技術實施方式作進一步地詳細描述。圖1是本專利技術實施例提供的一種蒸發源的結構示意圖。如圖1所示，該蒸發源包括坩堝10、加熱絲20、反射板30、溫差發電片40和冷卻裝置50。加熱絲20圍繞坩堝10設置，反射板30圍繞坩堝10設置，冷卻裝置50設置在反射板30外，溫差發電片40設置在反射板30和冷卻裝置50之間。其中，加熱絲20與坩堝10的外壁之間可以設有間隙，以便于坩堝10的取出，此外也可以將加熱絲20直接繞設在坩堝10的外壁上，減少熱量的損失。本專利技術實施例通過在反射板和冷卻裝置之間設置溫差發電片，由于反射板和冷卻裝置存在溫差，因此溫差發電片可以利用溫差產生一定的電能，從而可以回收一部分能量，減少能量的浪費，提高了能量的利用率，同時還能減少散發到蒸發源之外的熱量，降低蒸鍍腔內的溫度。實現時，冷卻裝置50可以是水冷板。水冷板包括內設有水冷管道的板體，水冷管道可以是開設在板體內的通道，也可以是設置在板體內的管狀件，冷卻水在水冷管道中循環，從而降低溫度。其中，板體可以采用陶瓷材料或不銹鋼材料制成。加熱絲20可以采用鉭或鎢制成。反射板30可以采用陶瓷制成。為了提高反射板30對熱量的反射能力，還可以在反射板30的靠近坩堝的表面上涂覆高溫熱反射涂層，優選采用真空用高溫熱反射涂層，以適應蒸鍍時的真空環境。需要說明的是，圖1僅為便于顯示坩堝10、加熱絲20、反射板30、溫差發電片40和冷卻裝置50之間相對位置關系的示意圖，在實際產品中，加熱絲20繞設在坩堝10的外壁上，反射板30緊貼在加熱絲20外，且反射板30與加熱絲20之間絕緣，溫差發電片40緊貼在反射板30的遠離加熱絲20的表面上，冷卻裝置50緊貼在溫差發電片40遠離反射板30的表面上。實現時，反射板30在垂直于坩堝10的高度方向的截面上的正投影可以呈環形，即反射板30可以圍成筒狀結構，其中，反射板30的與坩堝10接觸的表面的正投影可以為圓形，由于坩堝10通常為圓柱形結構，這樣可以有利于反射板30緊貼在加熱絲20外，有利于熱量的傳遞，反射板30的與溫差發電片40接觸的表面的正投影(即反射板30的外輪廓形狀)可以為圓形，也可以為多邊形。圖2是本專利技術實施例提供的一種溫差發電片的結構示意圖。如圖2所示，溫差發電片40包括平行相對設置的吸熱板41和導熱板42、以及設置在吸熱板41和導熱板42之間的發電結構43。吸熱板41可以承受較高的溫度而不發生損壞，導熱板42具有良好的導熱性能，可以將熱量傳導到冷卻裝置。可選地，當在垂直于坩堝10的高度方向的截面上，反射板30的與溫差發電片40接觸的表面的正投影為圓形時，吸熱板41和導熱板42在垂直于坩堝10的高度方向的截面上的正投影可以為圓環形，即溫差發電片40呈圓柱筒狀，當在垂直于坩堝10的高度方向的截面上，反射板30的與溫差發電片40接觸的表面的正投影為多邊形時，吸熱板41和導熱板42在垂直于坩堝10的高度方向的截面上的正投影可以為多邊形，即溫差發電片40呈棱柱筒狀。圖2中僅示出了溫差發電片的局部結構。實現時，吸熱板41可以為多塊板材拼接的結構，以便于加工，導熱板42也可以為多塊板材拼接的結構。參照圖2，發電結構43可以包括多個熱電轉換單元431。每個熱電轉換單元431均包括第一導電片431a、第二導電片431b、第三導電片431c、p型半導體塊431d和n型半導體塊431e。第一導電片431a設置在吸熱板41的與反射板30相反的表面上，第二導電片431b和第三導電片431c間隔設置在導熱板42的與吸熱板41相對的表面上，p型半導體塊431d的一端與第一導電片431a連接，p型半導體塊431d的另一端與第二導電片431b連接，n型半導體塊431e的一端與第一導電片431a連接，n型半導體塊431e的另一端與第三導電片431c連接。根據塞貝克效應，p型半導體塊431d和n型半導體塊431e本文檔來自技高網...

【技術保護點】
一種蒸發源，所述蒸發源包括坩堝、加熱絲、反射板和冷卻裝置，所述加熱絲圍繞所述坩堝設置，所述反射板圍繞所述坩堝設置，所述冷卻裝置設置在所述反射板外，其特征在于，所述蒸發源還包括設置在所述反射板和所述冷卻裝置之間的溫差發電片。

【技術特征摘要】
1.一種蒸發源，所述蒸發源包括坩堝、加熱絲、反射板和冷卻裝置，所述加熱絲圍繞所述坩堝設置，所述反射板圍繞所述坩堝設置，所述冷卻裝置設置在所述反射板外，其特征在于，所述蒸發源還包括設置在所述反射板和所述冷卻裝置之間的溫差發電片。2.根據權利要求1所述的蒸發源，其特征在于，所述溫差發電片包括平行相對設置的吸熱板和導熱板、以及設置在所述吸熱板和所述導熱板之間的發電結構。3.根據權利要求2所述的蒸發源，其特征在于，所述吸熱板采用硅硼化物納米材料制成。4.根據權利要求2所述的蒸發源，其特征在于，所述導熱板采用聚噻吩納米纖維制成。5.根據權利要求1～4任一項所述的蒸發源，其特征在于，所述溫差發電片與所述反射板...

【專利技術屬性】
技術研發人員：段廷原，姚固，鄒清華，王玉，謝虎，付瀟，曾蘇偉，
申請(專利權)人：京東方科技集團股份有限公司，合肥鑫晟光電科技有限公司，
類型：發明
國別省市：北京,11