金屬相容的光致抗蝕劑和/或犧牲性抗反射涂層去除組合物制造技術

本發明專利技術公開了一種用于從其上具有光致抗蝕劑和／或犧牲性抗反射涂層（ＳＡＲＣ）材料的微電子器件上去除所述材料的液體去除組合物和方法。所述液體去除組合物包括至少一種有機季堿和至少一種表面相互作用增強添加劑。在制造集成電路時，所述組合物實現至少部分去除光致抗蝕劑和／或ＳＡＲＣ材料，同時對微電子器件上的金屬材料如銅和鈷的蝕刻最小化，且不會損害微電子器件結構中所用的低ｋ介電材料。

【技術實現步驟摘要】
【國外來華專利技術】

【技術保護點】
一種液體去除組合物，所述去除組合物包括：　至少一種有機季堿，　至少一種表面相互作用增強添加劑，和　任選至少一種選自下列的組分：至少一種堿金屬或堿土金屬源；至少一種有機溶劑；至少一種表面活性劑；至少一種螯合劑；及其組合，　 　其中所述液體去除組合物用于從其上具有光致抗蝕劑和／或犧牲性抗反射涂層（ＳＡＲＣ）材料的微電子器件上去除所述材料。

【技術特征摘要】
【國外來華專利技術】...

【專利技術屬性】
技術研發人員：梅利莎K拉斯，大衛D伯恩哈德，托馬斯H包姆，江平，周仁杰，邁克爾B克贊斯基，
申請(專利權)人：高級技術材料公司，
類型：發明
國別省市：US[美國]